Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

LASER SEMIKONDUKTOR GaAs JENIS DOUBLE HETEROJUNCTION SEBAGAI SUMBER CAHAYA DALAM KOMUNIKASI OPTIK Samy J Litiloly; Nicolas Titahelu
ALE Proceeding Vol 2 (2019): Archipelago Engineering (ALE)
Publisher : Fakultas Teknik Universitas Pattimura

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.30598/ale.2.2019.128-134

Abstract

Abstrak Telah diteliti suatu sistem junction yang tepat sebagai gelombang carrier dalam komunikasi optik. Mula-mula disampaikan asal muasal munculnya Laser Semikonduktor GaAs, kemudian struktur homojunction, khususnya uraian tentang rapat arus ambang dan daya output saat forward-bias; yang memberikan λoutput dengan profil yang tidak tajam (pelebaran 2 μm) dan daya dibawah 10 mW. Setelah itu, pencampuran III-V terhadap GaAs murni, diciptakan untuk mempertajam profil laser output dan memperbesar dayanya. Struktur yang terbaik untuk keperluan ini adalah double heterojunction (DH) dengan salah satu bahan unggulannya adalah Ga1-xInxAs1-yPy. Kemudian ditunjukkan bahwa bahan ini memberikan λoutput ≈ 1,55 μm dan daya output diatas 10 mW dengan efisiensi operasi 70 %.