Lely Susita Dwi Murwani
Pendidikan Fisika, JPMIPA FKIP Universitas Sanata Dharma Yogyakarta, Badan Tenaga Nuklir Nasional Yogyakarta Kampus III Jl. Paingan Maguwoharjo Sleman Yogyakarta, Jl Babarsari Sleman Yogyakarta

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

Studi Fabrikasi Isolator Silikon Dioksida (SiO2) Berbasis Lapisan Tipis Menggunakan Teknik Plasma Glow Discharge (Halaman 32 s.d. 35) Sri Agustini Sulandari; Lely Susita Dwi Murwani
Jurnal Fisika Indonesia Vol 17, No 50 (2013)
Publisher : Department of Physics Universitas Gadjah Mada

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (362.028 KB) | DOI: 10.22146/jfi.24421

Abstract

Telah dilakukan penelitian tentang pengaruh parameter plasma oksidasi pada proses pembentukan lapisan tipis isolator silikon dioksida (SiO2) dengan plasma lucutan pijar. Lapisan yang terbentuk  dikarakterisasi sifat elektriknya menggunakan probe empat titik (FPP), sifat struktur mikro, komposisi kimia, maupun pengukuran ketebalan lapisan tipis menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM) yang dikopel dengan Energy Dispersive X-Rays Spectroscopy(EDX). Agar proses pembentukan lapisan tipis lebih cepat, silikon harus dietsa/dicuci dengan larutan etsa. Akan tetapi etsa ini berdampak mengubah silikon yang awalnya tipe P menjadi N. Lapisan isolator terbentuk pada temperatur sekitar 5000C, dengan waktu proses hingga 5 jam, yang ditandai dengan resistivitas irisannya E30 (∞) (tahanan tidak terukur). Indikasi terbentuknya lapisan oksida juga diperkuat dari analisis struktur mikro maupun analisis komposisi kimia. Pada kondisi P=1,4 mbar, V=1026 volt, I=725 mA, T= 502 °C, t=5 jam kandungan  Si = 46,74 mass% dan O= 53,26 mass%.  Pada  kondisi tersebut ketebalan lapisan oksida sekitar 0,4 µm