Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Indonesian Journal of Physics (IJP)
Ida Hamidah
Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika – ITB
Astronomy Computer Science & IT Earth & Planetary Sciences Electrical & Electronics Engineering Energy Engineering

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

 1 
Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah; Wilson W. Wenas
Indonesian Journal of Physics Vol 12 No 1 (2001): Vol. 12 No. 1, Januari 2001
Publisher : Institut Teknologi Bandung

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (142.925 KB)

Abstract

Dalam studi ini dikaji sifat-sifat struktur double barrier pada divais silikon amorf (a-Si). Struktur double barrier dibangun dengan mengkombinasikan material a-Si:H dengan material a-SiC:H yang memiliki celah energi optik yang berbeda. Material a-Si:H berfungsi sebagai sumur kuantum di antara material a-SiC:H yang berfungsi sebagai barrier. Probabilitas tunneling yang menjadi pokok utama sifat-sifat struktur double barrier dihitung berdasarkan persamaan Schroedinger, pendekatan WKB, dan pendekatan Lorentzian. Probabilitas tunneling mencapai harga 0,12 untuk tegangan luar 10 V, tebal barrier 10 Å dan lebar sumur potensial 10 Å. Selanjutnya, hasil perhitungan probabilitas tunneling diaplikasikan pada salah satu divais a-Si yaitu Thin Film Light Emitting Diode (TFLED), untuk menghitung rapat arus tunneling dan brightness. Didapatkan bahwa semakin tinggi probabilitas tunneling, rapat arus tunneling semakin meningkat dan pada akhirnya dapat meningkatkan harga brightness dari TFLED.
Co-Authors Wilson W. Wenas