Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2021 - 2026
0.444
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Pendidikan Fisika Undiksha Inovasi Fisika Indonesia (IFI)
I Wayan Windu Sara
Unknown Affiliation
Earth & Planetary Sciences Education Electrical & Electronics Engineering Engineering Materials Science & Nanotechnology Physics Other

Published : 2 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 2 Documents
Search

 1 
KALKULASI NUMERIK RAPAT KEADAAN WS2 MONOLAYER DENGAN PENDEKATAN IKATAN KUAT MENGGUNAKAN METODE PERAMBATAN WAKTU I Wayan Windu Sara
Jurnal Pendidikan Fisika Undiksha Vol. 14 No. 3 (2024)
Publisher : Universitas Pendidikan Ganesha

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.23887/jjpf.v14i3.86266

Abstract

Abstrak Tungsten Disulfida merupakan salah satu varian Transition Metal Dichalcogenide yang memiliki potensi besar untuk diaplikasikan pada berbagai teknologi seperti sel surya, transistor, dan optoelektronika lainnya. Dalam penelitian ini dikaji rapat keadaan Tungsten Disulfida monolayer dalam keadaan murni maupun dengan variasi vakansi atom penyusunnya. Penelitian ini dilakukan secara komputasi menggunakan metode perambatan waktu dengan pustaka TBPLaS. Kalkulasi dalam penelitian ini dapat berjalan dengan baik pada komputer personal dan waktu yang diperlukan bersifat linier terhadap peningkatan ukuran sistem yang dikaji. Diperoleh bahwa Tungsten Disulfida monolayer dalam keadaan murni memiliki sifat semikonduktor dengan celah pita energi yang bernilai sekitar 1,7 eV. Sementara itu, Tungsten Disulfida monolayer dengan variasi konsentrasi atom-atom penyusunnya dari 1 - 5% menunjukkan sifat semikonduktor tipe N, tipe P dan terkompensasi. Kata kunci: Tungsten Disulfida monolayer , Ikatan Kuat, Metode Perambatan Waktu, Rapat Keadaan, Vakansi Abstract Tungsten Disulfide is one of the Transition Metal Dichalcogenides with significant potential for applications in various technologies, such as solar cells, transistors, and other optoelectronic devices. This study examines the density of states of monolayer Tungsten Disulfide in its pure state and with variations in its atomic vacancies. The computational research used the time propagation method with the TBPLaS library. Calculations were performed efficiently on a personal computer, with computation time increasing linearly with the system size. The results show that pure monolayer Tungsten Disulfide exhibits semiconductor properties with an energy band gap of approximately 1.7 eV. In contrast, monolayer Tungsten Disulfide with varying atomic vacancy concentrations from 1% to 5% displays characteristics of N-type, P-type, and compensated semiconductors. Keywords : Tungsten Disulfide monolayer, Tight-Binding, Time Propagation Method, Density of States, Vacancy
PEMODELAN SEMI-EMPIRIK PENGARUH KETEBALAN SIO2 TERHADAP REFLEKTANSI, TRANSMITANSI, DAN ABSORPTANSI CERMIN ALUMINIUM I Wayan Windu Sara
Inovasi Fisika Indonesia Vol. 15 No. 1 (2026): Inpress Vol 15 No 1
Publisher : Prodi Fisika FMIPA Universitas Negeri Surabaya

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.26740/ifi.v15n1.p48-60

Abstract

Abstrak Cermin Aluminium (Al) banyak digunakan pada berbagai aplikasi dan teknologi seperti dekorasi, rekayasa energi baru terbarukan, dan eksplorasi luar angkasa. Namun, penelitian secara numerik yang memodelkan pengaruh lapisan pelindung SiO2 terhadap reflektansi, transmitansi, dan absorptansi cermin Al masih terbatas. Penelitian ini dilakukan secara komputasi menggunakan prinsip Hukum Snellius untuk dinamika antar lapisan dan matriks karakteristik untuk dinamika perambatan gelombang dalam lapisan, sebagai upaya mempelajari pengaruh ketebalan lapisan SiO2 terhadap karakteristik optik cermin Al. Diperoleh bahwa nilai rerata reflektansi cermin Al berkisar ~85%, nilai rerata transmitansi bervariasi dengan nilai ~0,0013%, dan nilai rerata absorptansi sebesar ~15%. Perubahan ketebalan lapisan SiO2 menyebabkan perubahan pola reflektansi, transmitansi, dan absorptansi yang periodik. Hasil penelitian ini menunjukkan adanya peluang rekayasa ukuran ketebalan lapisan SiO2 pada cermin Al untuk memperoleh nilai reflektansi, transmitansi, dan absorptansi yang relevan untuk kebutuhan teknologi maupun sensor optik.   Abstract Aluminum (Al) mirrors are widely employed in various applications and technologies, including decorative coatings, renewable energy engineering, and space exploration. However, numerical studies that explicitly model the influence of protective SiO₂ layers on the reflectance, transmittance, and absorptance of Al mirrors remain limited. This study was conducted computationally by applying Snell’s Law to describe interlayer dynamics and the characteristic matrix method to model wave propagation within each layer, with the aim of investigating the effect of SiO₂ layer thickness on the optical characteristics of Al mirrors. The results show that the average reflectance of the Al mirror is approximately 85%, the average transmittance varies with a value of about 0.0013%, and the average absorptance is around 15%. Variations in the SiO₂ layer thickness induce periodic changes in the reflectance, transmittance, and absorptance spectra. These findings indicate that engineering the SiO₂ layer thickness on Al mirrors offers potential for achieving reflectance, transmittance, and absorptance values tailored to the requirements of optical technologies and sensing applications.
Co-Authors