<![CDATA[Energi celah pita yang lebar dari semikonduktor TiO2 yang setara dengan cahaya ultraviolet (l<380 nm) membatasi aplikasi fotokatalitik hanya terbatas pada daerah ultraviolet dan tidak pada daerah cahaya tampak (l = 400 nm–700 nm). Pada penelitian ini dilakukan sintesis TiO2 teremban nitrogen yang dipreparasi melalui metode sol-gel. Prekursor TiCl4 digunakan sebagai sumber titanium dioksida dan CO(NH2)2 sebagai sumber nitrogen dan divariasi pada jumlah konsentrasi N dengan variasi 20 g, 30 g, 40 g dan 50 g. Refluks dilakukan pada suhu 100oC selama 7 jam dilanjutkan dengan pengeringan selama 3 jam pada suhu 100oC, dan kalsinasi pada suhu 500oC selama 7 jam . Karakterisasi N-doped TiO2 dilakukan menggunakan X-ray Diffraction (XRD), Fourier Transform–Infra Red spectroscopy (FTIR), dan UV- Visible diffuse reflectance spectra (UV-Vis DRS). Berdasarkan data XRD diketahui bahwa kristal N- doped TiO2 berstruktur anatase dengan indeks Miller 101. Spektra FTIR menunjukkan pergeseran serapan vibrasi O-Ti-O pada bilangan gelombang 400-1050 cm-1, diperkirakan sebagai akibat terbentuknya ikatan N-Ti-O. Spektrum DRS-UV–tampak menunjukkan penurunan energi celah pita dari TiO2 yakni 3,2 eV. Dapat disimpulkan bahwa penambahan konsentrasi nitrogen mengakibatkan penurunan energi celah pita, pada variasi 20g sebesar 3,12 eV, 30 g sebesar 3,09 eV, 40 g sebesar 3,082 eV, dan 50 g sebesar 3,08 eV.]]>
Copyrights © 2016
