<![CDATA[Tujuan penelitian ini adalah mendapatkan pemodelan SS nanostruktur dengan menghitung level energi elektron pada pita konduksi. Divais fotovoltaik nanoyaitu kuantum dot KD dan kuantum well KW mengerjakan jangkauan lebar transisi elektron dimana bisa dikontrol oleh distribusi jangkauan luasyang sesuai ukuran KD. KD memberikan kemampuan menyerap cahaya dimana menciptakan pasangan elektron hole yang terlokasi didalam dot. Transisi elektron didalam KD secara berarti melampaui energi termal dan tidak bisa diinduksi oleh fonon termal sementara transisi hole secara mudah diinduksi oleh fonon akustik termal. Konsep dan komputasi untuk menghitung level energi, konsep yang digunakan adalah DEK. Ketebalan well Lw adalah cukup kecil (10nm atau kurang), set level energi diskret akan ada didalam well dan mempunyai pergantungan pada massa efektf dan ketebalan well yaitu En meningkat dengan pengurangan W, atau Lw. Energi maksimum E± = 3,77 X 10AeV pada ketebalan lapisan Lw = 0,1nm. Energi maksimum £2 = 1,51 X 105eV pada Lw = 0,1 nm. AE adalah selisih besar energi di titik awal 0,1 nm adalah 1,13 X 105eV dan di ketebalan akhir pada KW yaitu 10nm adalah 1,13 X 101eV. Oleh karena itu transisi elektron didalam KW secara berarti melampaui energi termal dan tidak bisa diinduksi oleh fonon termal. Kata kunci: nanoteknologi; kuantum dot bermuatan]]>
Copyrights © 2016
