Preparasi Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H dengan Metode HWC-VHF-PECVD pada Variasi Daya rf

Elang J.S. (Universitas Negeri Jakarta)
Satwiko Sidopekso (Universitas Negeri Jakarta)
T. Winata (Institut Teknologi Bandung)

JFA (Jurnal Fisika dan Aplikasinya)
Vol 5, No 2 (2009)

Metode Hot Wire Cell Very High Frequency PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) adalah metode pengembangan dari PECVD konvensional dan merupakan metode gabungan antara VHF-PECVD dan HWC-PECVD. Pada metode ini diharapkan mendapatkan laju deposisi yang tinggi, konduktivitas yang tinggi serta kandungan hidrogen yang rendah. Lapisan tipis a-Si:H dideposisi dengan gas Silan (SiH4) 10% dalam gas Hidrogen (H2) dan ditumbuhkan di atas substrat gelas corning 7059 pada variasi daya 10-50 Watt, temperatur substrat 275C, tekanan chamber 300 mTorr, Temperatur filament 800C serta laju aliran gas SiH4 sebesar 70sccm. Dalam HWC-VHF-PECVD elemen pemanas terintegrasi pada sistem gas masukan serta peningkatan frekuensi pembangkit daya rf dari 13,56 MHz menjadi 70 MHz. Pada parameter penumbuhan tersebut diharapkan mendapatkan lapisan tipis a-Si:H yang lebih baik.