Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal JFA (Jurnal Fisika dan Aplikasinya)
Elang J.S.
Universitas Negeri Jakarta
Physics

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

 1 
Preparasi Penumbuhan Lapisan Tipis a-Si:H dengan Metode HWC-VHF-PECVD pada Variasi Daya rf Elang J.S.; Satwiko Sidopekso; T. Winata
Jurnal Fisika dan Aplikasinya Vol 5, No 2 (2009)
Publisher : Lembaga Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat, LPPM-ITS

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (293.26 KB) | DOI: 10.12962/j24604682.v5i2.941

Abstract

Metode Hot Wire Cell Very High Frequency PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) adalah metode pengembangan dari PECVD konvensional dan merupakan metode gabungan antara VHF-PECVD dan HWC-PECVD. Pada metode ini diharapkan mendapatkan laju deposisi yang tinggi, konduktivitas yang tinggi serta kandungan hidrogen yang rendah. Lapisan tipis a-Si:H dideposisi dengan gas Silan (SiH4) 10% dalam gas Hidrogen (H2) dan ditumbuhkan di atas substrat gelas corning 7059 pada variasi daya 10-50 Watt, temperatur substrat 275C, tekanan chamber 300 mTorr, Temperatur filament 800C serta laju aliran gas SiH4 sebesar 70sccm. Dalam HWC-VHF-PECVD elemen pemanas terintegrasi pada sistem gas masukan serta peningkatan frekuensi pembangkit daya rf dari 13,56 MHz menjadi 70 MHz. Pada parameter penumbuhan tersebut diharapkan mendapatkan lapisan tipis a-Si:H yang lebih baik.
Co-Authors Satwiko Sidopekso T. Winata