Pengaruh Luas Kontak pada Kualitas MSM pGaSb

Euis Sustini (Institut Teknologi Bandung)
Hery Saeful Azis (Institut Teknologi Bandung)
Heri Sutanto (Institut Teknologi Bandung)
Agus Subagyo (Institut Teknologi Bandung)

JFA (Jurnal Fisika dan Aplikasinya)
Vol 2, No 2 (2006)

Dalam tulisan ini film tipis semikonduktor GaSb telah ditumbuhkan dengan metoda MOCVD vertikal pada tekanan 50 torr di atas subtsrat SI GaAs(100). Film mempunyai type p dengan permukaan yang cukup homogen serta orientasi film didominasi (200). Film yang ditumbuhkan pada temperatur 520 oC dengan rasio V/III=1 mempunyai mobilitas 68,57 cm2/Vs dan konsentrasi 1,9 x 1018 cm−3. Metal Semikonduktor Metal (MSM) Al-pGaSb telah dibuat menggunakan dua metoda, yaitu metoda sederhana evaporasi dengan luas kontak 0,02 cm2 dan metoda UV litografi dengan luas kontak 0,009 cm2. MSM bersifat ohmik kontak dengan resistansi spesifik Rc menurun terhadap luas kontak yang digunakan.