<![CDATA[Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh penambahan zat aditif diethanolamine (DEA) dan jumlah pelapisan menggunakan metode spin-coating terhadap nilai band gap lapisan tipis CuSnO₃. Material CuSnO₃ dipilih karena bersifat semikonduktor dengan potensi tinggi untuk digunakan dalam aplikasi elektronik dan energi terbarukan. Sintesis dilakukan dengan mencampurkan Cu(NO₃)₂ dan Sn(NO₃)₄ dalam pelarut metanol dengan penambahan DEA pada variasi volume 1,0 mL, 1,5 mL, dan 2,0 mL. Proses spin-coating dilakukan pada substrat kaca dengan kecepatan 2000 rpm selama 60 detik, kemudian dilakukan pelapisan sebanyak 1, 3, dan 5 kali. Sampel dikeringkan dalam oven pada suhu 110 °C selama 15 menit dan dikalsinasi pada suhu 550 °C selama 2 jam. Karakterisasi dilakukan menggunakan UV-Vis DRS untuk mengukur nilai band gap. Hasil penelitian menunjukkan bahwa penambahan DEA menyebabkan penurunan nilai band gap dari 3.0089 eV menjadi 2.9161 eV. Selain itu, penambahan jumlah pelapisan hingga 5 kali menghasilkan nilai band gap terendah yaitu 2.0203 eV. Penurunan nilai band gap menunjukkan peningkatan potensi konduktivitas material, sehingga CuSnO₃ dengan penambahan DEA dan jumlah pelapisan yang tepat dapat digunakan sebagai material semikonduktor alternatif yang efisien.]]>
Copyrights © 2025
