<![CDATA[Penguat daya merupakan salah satu komponen penting dalam sistem komunikasi yang berfungsi untuk memperkuat sinyal agar dapat ditransmisikan pada jarak tertentu dengan daya yang memadai. Kinerja penguat daya pada frekuensi tinggi, khususnya pada rentang S-band, seringkali mengalami keterbatasan dalam menghasilkan gain yang optimal akibat karakteristik perangkat aktif dan jaringan pencocokan impedansi. Oleh karena itu, penelitian ini bertujuan untuk merancang dan merealisasikan penguat daya dengan gain tinggi menggunakan metode multi-stage. Perancangan dilakukan dengan menggunakan dua tingkat penguat, di mana tingkat pertama berfungsi sebagai driver stage menggunakan transistor GaAs FET tipe MGF1801, sedangkan tingkat kedua sebagai power stage menggunakan transistor MGF0904A untuk meningkatkan daya keluaran. Desain penyesuaian impedansi dilakukan dengan pendekatan load pull menggunakan konfigurasi single stub pada sisi input dan output untuk mencapai pencocokan impedansi yang optimal. Substrat yang digunakan adalah Rogers Duroid 5880 dengan ketebalan 1,575 mm. Pengujian dilakukan menggunakan NanoVNA SAA-2N untuk memperoleh parameter S seperti gain, return loss, dan VSWR. Hasil pengukuran menunjukkan bahwa penguat daya mampu menghasilkan gain sebesar 18,6 dB pada frekuensi 2 GHz dengan nilai return loss sebesar -24,5 dB dan VSWR sebesar 1,1. Namun, terjadi pergeseran frekuensi kerja dari target 2,6 GHz menjadi sekitar 2 GHz, yang mengakibatkan penurunan performa pada frekuensi target dengan deviasi sebesar 23%.]]>
Copyrights © 2026
