cover
Contact Name
-
Contact Email
-
Phone
-
Journal Mail Official
ganendra@batan.go.id
Editorial Address
Jl. Babarsari Kotak Pos 6101 ykbb, Yogyakarta 55281
Location
Kota adm. jakarta selatan,
Dki jakarta
INDONESIA
Ganendra: Majalah IPTEK Nuklir
ISSN : 14106957     EISSN : 25035029     DOI : https://doi.org/10.17146/gnd
Core Subject : Science, Education,
Jurnal Iptek Nuklir Ganendra merupakan jurnal ilmiah hasil litbang dalam bidang iptek nuklir, diterbitkan oleh Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan (PTAPB) - BATAN Yogyakarta. Frekuensi terbit dua kali setahun setiap bulan Januari dan Juli.
Arjuna Subject : -
Articles 5 Documents
Search results for , issue "Volume 9 Nomor 2 Juli 2006" : 5 Documents clear
PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SnO2 DENGAN METODE SPUTTERING DC UNTUK SENSOR GAS CO Sayono Sayono; Suprapto Suprapto; Sunardi Sunardi
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 9 Nomor 2 Juli 2006
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (1428.892 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2006.9.2.173

Abstract

PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SnO2 DENGAN METODE SPUTTERING DC UNTUK SENSOR GAS CO. Telahdilakukan pembuatan lapisan tipis SnO2 dengan metode sputtering DC untuk gas CO. Pembuatan lapisan tipis SnO2dilakukan dengan parameter sputtering pada tegangan elektroda 2 kV, arus 10 mA, tekanan vakum 5 × 10-2 torr, waktudeposisi 30 menit, 60 menit dan 120 menit pada suhu substrat 250 0C, sedangkan gas sputtering adalah gas argon.Hasil eksperimen menunjukkan bahwa lapisan tipis SnO2 yang dideposisi dengan parameter sputtering : tegangan 2kV, arus 10 mA, tekanan 5 × 10-2 Torr, waktu 120 menit dan suhu 250 °C mempunyai sensitivitas optimun 23 % untukmendeteksi gas CO pada konsentrasi 106,25 ppm. Kemudian dari hasil analisis unsur lapisan SnO2 pada kondisioptimum menggunakan SEM–EDS diperoleh Sn sebesar 31,73%, O sebesar 67,37 % atom.
KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto; Wirjoadi Wirjoadi; Trimardji Atmono; Yunanto Yunanto
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 9 Nomor 2 Juli 2006
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (369.358 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2006.9.2.174

Abstract

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA. Telah dideposisikanlapisan tipis a-Si:H:B pada substrat kaca dengan menggunakan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukanuntuk beberapa parameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapatdiperoleh beberapa lapisan tipis a-Si:H:B yang mempunyai sifat optik yang sesuai untuk bahan sel surya. Variasiwaktu deposisi (0,5 s/d 2 jam), tekanan gas (1,1 s.d 1,4×10-1 torr) dan suhu substrat (150 s.d 300 oC), sedangkanaliran gas reaktif hidrogen ditetapkan sebesar 4 sccm. Target dari bahan silikon yang telah dicampur boron dengankonsentrasi (0,1, 0,3, 0,50, 0,7) % berat. Dari analisa sifat optik menggunakan spektrofotometer UV-Vis diperolehtransmitansi optik maksimum 47 % yang diperoleh pada panjang gelombang 700 nm. Koefisien serapan dan lebarenergi gap untuk lapisan tipis a-Si:H:B masing-masing sebesar 3,49×104 m-1 dan 1,77 eV.
RANCANGAN SISTEM PENYEMPROT PLASMA UNTUK PEMBUATAN SEL BAHAN BAKAR OKSIDA PADAT : STUDI PEMANASAN PARTIKEL YSZ DALAM PLASMA JET Widdi Usada; Suryadi Suryadi; Agus Purwadi
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 9 Nomor 2 Juli 2006
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (205.94 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2006.9.2.175

Abstract

RANCANGAN SISTEM PENYEMPROT PLASMA UNTUK PEMBUATAN SEL BAHAN BAKAR OKSIDA PADAT: STUDI PEMANASAN PARTIKEL YSZ DALAM PLASMA JET. Salah satu metode pembuatan elektrolit YSZ padaSOFC adalah dengan penyemprot plasma. Sistem ini memanaskan partikel sehingga meleleh dan mendorong partikeltersebut sampai di target dan membentuk lapisan. Makalah ini menyajikan studi pemanasan partikel YSZ dalamplasma jet. Dengan model sederhana dapat ditunjukkan waktu yang diperlukan untuk melelehkan serbuk partikel YSZdengan ukuran butir 50 μm sekitar 12.10-4 detik.
APLIKASI MESIN BERKAS ELEKTRON UNTUK PENGOLAHAN GAS BUANG Sudjatmoko Sudjatmoko
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 9 Nomor 2 Juli 2006
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (395.342 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2006.9.2.171

Abstract

APLIKASI MESIN BERKAS ELEKTRON UNTUK PENGOLAHAN GAS BUANG. Emisi gas buang SO2 dan NOx keudara dari suatu aktivitas industri berat terutama dari pembakaran bahan bakar fosil seperti batubara dan minyak bumipada pembangkit listrik merupakan salah satu sumber utama polusi lingkungan. Polutan udara tersebut seringkaliberpindah tempat sampai ribuan kilometer dan menimbulkan masalah lingkungan di tempat lain, bahkan negara lain,oleh karena itu polusi udara tersebut menjadi masalah besar dunia. Pada saat ini beberapa negara telah menerapkanaturan pengendalian emisi yang lebih ketat untuk menyelesaikan masalah polusi udara. Pada saat ini pengolahan gasbuang dengan berkas elektron diketahui sebagai suatu metode pengendalian polusi yang menjanjikan denganbeberapa keunggulan antara lain dapat mengolah SO2 dan NOx secara serentak dengan tingkat efisiensi tinggi,merupakan proses kering, ramah lingkungan karena mengubah polutan menjadi pupuk pertanian dan lain sebagainya.Dalam makalah ini akan dibahas tentang Mesin Berkas Elektron dan aplikasinya untuk pengolahan gas buang PLTUbatubara.
LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS Tjipto Sujitno; Trimardji Atmono; Sayono Sayono; Lely Susita
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 9 Nomor 2 Juli 2006
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (447.27 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2006.9.2.172

Abstract

LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS. Telah dibuat sensor gas dari bahan lapisan tipisZnO dengan sistem larik menggunakan teknik D-C sputtering. Tujuan dari pembuatan sistem larik ini adalah untukmenyederhanakan sistem, memperkecil konsumsi daya dan untuk memperkecil tahanan lapisan tipis yang terbentuk.Untuk maksud tersebut sistem pemanas dibuat dari lapisan tipis emas dengan sistem larik dan ditumbuhkan padasalah satu sisi substrat alumina (Al2O3), sedangkan sistem elektroda dari lapisan tipis emas juga dalam bentuk sistemlarik ditumbuhkan pada sisi yang lainnya. Selanjutnya lapisan tipis ZnO ditumbuhkan di atas elektroda menggunakanteknik sputtering. Dari hasil pengujian sistem pemanas dari tegangan baterai 1,5 volt hingga 9 volt diperoleh hasiltemperatur sebesar 295 0C yang merupakan temperatur operasi sensor dicapai pada tegangan 4,5 volt, sedangkanuntuk tegangan pemanas 9 volt, lapisan tipis pemanas mengelupas (rusak). Dari pengujian respon sensor untukberbagai gas uji juga diperoleh hasil bahwa dengan sistem larik ternyata resistansinya juga semakin kecil, sebagaicontoh resistansi untuk sistem satu larik sebesar 150 MΩ sedangkan resistansi untuk sistem 3 larik sebesar 39 MΩ.Berdasar uji sensitivitas sensor juga diperoleh hasil bahwa dengan jumlah larik yang lebih banyak ternyata sensorlebih sensitif. Dari hasil analisis struktur mikro menggunakan SEM teramati bahwa lapisan tipis ZnO yang terbentukterdistribuasi secara merata pada permukaan substrat sedang ketebalan lapisan tipis dalam order 1,4 μm. Darianalisa unsur menggunakan EDX teramati bahwa lapisan yang terbentuk betul-betul senyawa ZnO dengan komposisiZn = 80, 34 % massa dan O = 19,66 % massa. Dari analisa struktur kristal menggunakan XRD teramati bahwa lapisantipis ZnO yang terbentuk merupakan polikristal dengan bidang-bidang kristal (110), (022), (101), (141), (211), (002)dan (301)

Page 1 of 1 | Total Record : 5