Wirjoadi Wirjoadi
Unknown Affiliation

Published : 12 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 12 Documents
Search

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi Wirjoadi; Yunanto Yunanto; Bambang Siswanto; Sri Sulamdari; Sudjatmoko Sudjatmoko
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 5 Nomor 2 Juli 2002
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (124.931 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2002.5.2.215

Abstract

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA. Telah dilakukan karakterisasi sifat-sifat optik lapisan tipis ZnO:Al pada substrat gelas untuk jendela sel surya dengan metode sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk memperoleh lapisan tipis ZnO:Al yang dapat digunakan sebagai bahan TCO (Transparent Conducting Oxide) untuk sel surya silikon amorf. Untuk mendapatkan lapisan tipis ZnO:Al dengan sifat optik optimum, proses deposisi dilakukan dengan beberapa variasi parameter, yaitu variasi konsentrasi campuran Al, suhu substrat, tekanan gas dan waktu deposisi. Berdasarkan hasil eksperimen yang telah dilakukan diperoleh hasil lapisan tipis ZnO:Al yang optimum pada kondisi suhu 450 oC, tekanan gas 6×10-2 torr dan lama waktu deposisi 1,5 jam. Dari pengukuran sifat-sifat optik (transmitansi) dengan UV-vis diperoleh hasil optimum pada suhu 450 oC. Pada kondisi ini transmitansinya sekitar (50-82) %, pada tekanan gas 6×10-2 torr sekitar (50-80) % dan pada waktu deposisi 1,5 jam sekitar (49-81) % yang semuanya pada posisi panjang gelombang (500-800) nm.. Untuk lapisan tipis ZnO diperoleh hasil transmitansi sekitar (78 - 80) % pada posisi panjang gelombang (500-800) nm. Hasil foto dengan SEM, untuk lapisan tipis ZnO diperoleh tebal lapisan sekitar 1,5 μm, morfologi permukaan dan butiran-butiran kecil terdistribusi secara homogen. Sedangkan untuk lapisan tipis ZnO:Al diperoleh tebal lapisan sekitar 1,3 μm dan morfologi permukaan yang terbentuk dengan butiran-butiran yang tidak seragam.
DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi Wirjoadi; Yunanto Yunanto; Bambang Siswanto
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 10 Nomor 2 Juli 2007
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (816.687 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2007.10.2.164

Abstract

DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGAUNTUK SEL SURYA CIS. Telah dilakukan deposisi lapisan tipis (CdS) tipe-N di atas lapisan tipis (CuInSe2) tipe-Ppada substrat kaca, yaitu bagian dari komponen untuk sel surya CIS dengan teknik DC sputtering. Penelitian inibertujuan untuk mengetahui pengaruh deposisi lapisan tipis CdS di atas lapisan tipis CuInSe2 terhadap tipe konduksi.Untuk mendapatkan lapisan tipis CdS yang optimal, maka telah dilakukan variasi parameter sputtering yaitu waktudeposisi 30; 60; 90 dan 120 menit, tekanan gas 1,1 ´ 10-1; 1,2 ´ 10-1; 1,3x10-1dan 1,4 ´ 10-1 Torr, yang lain dibuattetap yaitu suhu substrat 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA. Pengukuran resistansi dan tipe konduksi digunakanprobe empat titik, Dari hasil pengukuran diperoleh bahwa nilai resistansi terendah R = 5,14 kW, pada kondisi waktudeposisi 60 menit, tekanan gas 1,3 ´ 10-1 Torr, suhu 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA, kemudian tipekonduksinya adalah tipe-N. Struktur kristal lapisan terorientasi pada bidang (103), (004) dan (200) untuk penumbuhankristal CuInSe2, dan pada bidang (100),(110) dan (220) untuk penumbuhan kristal CdS. Hasil pengamatan strukturmikro dengan SEM diperoleh butiran-butiran yang terdistribusi cukup homogen, untuk lapisan CuInSe2 mempunyaiketebalan lapisan 1,0 mm dan lapisan CdS mempunyai ketebalan 0,6 mm.
PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B) Bambang Siswanto; Wirjoadi Wirjoadi; Sudjatmoko Sudjatmoko
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 8 Nomor 2 Juli 2005
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (229.743 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2005.8.2.183

Abstract

PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B). Telah dilakukan deposisibahan Si:B pada permukaan substrat kaca dengan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukan untuk beberapaparameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapat diperolehlapisan tipis (a-Si:H:B) yang mempunyai konduktivitas yang memadai sebagai bahan sel surya. Target adalahbahan silikon yang telah dicampur boron dengan konsentrasi (0,1; 0,3; 0,5; 0,7) % berat. Variasi waktu deposisiadalah (0,5 - 2) jam, tekanan gas (1,1 ´ 10-1 - 1,4 ´ 10-1) Torr dan suhu substrat (150–300) oC, sedangkan gasreaktif hidrogen selama proses deposisi dibuat tetap sebesar 4 sccm. Pengukuran sifat listrik dilakukan denganprobe empat titik, konduktivitas dihitung dengan pendekatan rumus matematik. Hasil penelitian menunjukkan bahwaresistansi terkecil sebesar R = 2,73 ´ 108 W, ini diperoleh pada kondisi percobaan, waktu deposisi 1,5 jam, tekanangas 1,4 ´ 10-1 Torr dan suhu substrat 200 oC. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa parameter proses di atasmerupakan parameter deposisi yang optimum untuk pembuatan lapisan tipis (a-Si:H:B).
KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto; Wirjoadi Wirjoadi; Trimardji Atmono; Yunanto Yunanto
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 9 Nomor 2 Juli 2006
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (369.358 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2006.9.2.174

Abstract

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA. Telah dideposisikanlapisan tipis a-Si:H:B pada substrat kaca dengan menggunakan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukanuntuk beberapa parameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapatdiperoleh beberapa lapisan tipis a-Si:H:B yang mempunyai sifat optik yang sesuai untuk bahan sel surya. Variasiwaktu deposisi (0,5 s/d 2 jam), tekanan gas (1,1 s.d 1,4×10-1 torr) dan suhu substrat (150 s.d 300 oC), sedangkanaliran gas reaktif hidrogen ditetapkan sebesar 4 sccm. Target dari bahan silikon yang telah dicampur boron dengankonsentrasi (0,1, 0,3, 0,50, 0,7) % berat. Dari analisa sifat optik menggunakan spektrofotometer UV-Vis diperolehtransmitansi optik maksimum 47 % yang diperoleh pada panjang gelombang 700 nm. Koefisien serapan dan lebarenergi gap untuk lapisan tipis a-Si:H:B masing-masing sebesar 3,49×104 m-1 dan 1,77 eV.
SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi Wirjoadi; Bambang Siswanto
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 11 Nomor 2 Juli 2008
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (195.166 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2008.11.2.142

Abstract

SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACASEBAGAI BAHAN TCO. Telah dilakukan karakterisasi sifat optik, struktur kristal dan struktur mikro lapisan tipisZnO:Al hasil deposisi pada substrat kaca sebagai bahan Transparent Conducting Oxide (TCO) untuk sel suryadengan metode DC sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk memperoleh hasil lapisan tipis ZnO:Al yang dapatdigunakan sebagai bahan TCO untuk sel surya. Parameter sputtering optimum diperoleh pada kondisi suhu substrat450 oC, tekanan gas 6 x 10-2 torr dan waktu deposisi 1,5 jam. Sifat optik (transmitansi) lapisan tipis ZnO dan ZnO:Almasing-masing (62 - 80) % dan (20 - 68) % pada posisi panjang gelombang (400 - 800) nm. Struktur kristal lapisantipis ZnO dan ZnO:Al terorientasi pada bidang (002) masing-masing dengan sudut hamburan 2q = 34,810o dan34,715o atau terorientasi pada arah sumbu-c yang tegak lurus pada permukaan substrat. Hasil pengamatan strukturmikro dengan SEM, menunjukkan bahwa morfologi permukaan berbentuk butiran-butiran kecil yang terdistribusi cukuphomogen dan mempunyai ketebalan sekitar 1,5 mm untuk lapisan tipis ZnO, sedangkan untuk lapisan tipis ZnO:Alketebalannya sekitar 1,0 mm.
ANALISIS STRUKTUR-MIKRO LAPISAN TIPIS NITRIDA BESI YANG TERNITRIDASI PADA PERMUKAAN MATERIAL KOMPONEN MESIN Sudjatmoko Sudjatmoko; Wirjoadi Wirjoadi; Bambang Siswanto; Suharni Suharni; Tjipto Sujitno
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 13 Nomor 2 Juli 2010
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (662.441 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2010.13.2.52

Abstract

ANALISIS STRUKTUR-MIKRO LAPISAN TIPIS NITRIDA BESI YANG TERNITRIDASI PADA PERMUKAANMATERIAL KOMPONEN MESIN. Pada penelitian ini telah dilakukan proses nitridasi ion material komponen mesin,yang terdiri dari pena piston dan ring piston. Nitridasi ion dari material komponen mesin tersebut dilakukan untukbeberapa variasi suhu nitridasi, waktu nitridasi dan tekanan gas nitrogen menggunakan lucutan pijar DC. Kekerasanoptimum dari cuplikan pena piston diperoleh pada suhu nitridasi 100 oC, waktu nitridasi 3 jam dan tekanan gasnitrogen 1,6 mbar, dan nilai kekerasannya meningkat sekitar enam kali terhadap cuplikan yang tidak ternitridasi;sedangkan kekerasan cuplikan cincin piston meningkat sekitar 2,6 kalinya pada kondisi suhu nitridasi 100 oC, waktunitridasi 3 jam dan tekanan gas nitrogen 1,2 mbar. Untuk mengamati struktur-mikro dan komposisi unsur dari lapisantipis nitrida besi yang terbentuk pada permukaan cuplikan digunakan SEM-EDAX, dan struktur fase lapisan nitridabesi dilakukan dengan menggunakan XRD. Berdasarkan hasil pengamatan diketahui bahwa lapisan senyawa yangterbentuk pada permukaan cuplikan mempunyai kandungan unsur nitrogen yang berbeda dan membentuk strukturfase g’-Fe4N, e-Fe3N dan z-Fe2N yang mempunyai sifat mekanik sangat baik.Kata kunci: struktur-mikro, lapisan tipis nitrida besi, komponen mesin, nitridasi ion.
PENINGKATAN KEKERASAN DAN KETAHANAN KOROSI BIOMATERIAL METALIK JENIS STAINLESS STEEL 316L DAN Ti-6Al-4V MENGGUNAKAN TEKNIK NITRIDASI ION Sudjatmoko Sudjatmoko; Wirjoadi Wirjoadi; Lely Susita; Bambang Siswanto
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 14 Nomor 2 Juli 2011
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (641.543 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2011.14.2.39

Abstract

PENINGKATAN KEKERASAN DAN KETAHANAN KOROSI BIOMATERIAL METALIK JENIS STAINLESS STEEL316L DAN Ti-6Al-4V MENGGUNAKAN TEKNIK NITRIDASI ION. Telah dilakukan nitridasi ion pada cuplikanbiomaterial metalik jenis stainless steel 316L dan Ti-6Al-4V untuk meningkatkan sifat kekerasan dan ketahanankorosinya. Proses nitridasi ion dilakukan dengan variasi parameter suhu nitridasi, tekanan gas nitrogen dan waktunitridasi untuk mendapatkan kekerasan yang tinggi dan ketahanan korosi yang sangat baik. Kekerasan optimumcuplikan stainless steel 316L diperoleh pada suhu nitridasi 500 oC, waktu nitridasi 3 jam dan tekanan gas nitrogen1,6 mbar; sedangkan untuk cuplikan Ti-6Al-4V diperoleh pada suhu nitridasi 500 oC, waktu nitridasi 3 jam dantekanan gas nitrogen 1,8 mbar. Pengamatan struktur-mikro dan komposisi unsur dilakukan menggunakan SEMEDAX,dan penentuan struktur fase lapisan nitrida yang terbentuk pada permukaan cuplikan dilakukan denganteknik XRD. Lapisan nitrida yang terbentuk pada cuplikan stainless steel 316L terdiri dari struktur fase FeN, Fe2Ndan Fe4N, dan pada cuplikan Ti-6Al-4V terdiri dari struktur fase Ti2N, TiAlN, Ti3AlN dan Ti3Al2N2. Nitrida tersebutmemiliki sifat sangat keras atau mempunyai ketahanan aus sangat baik. Ketahanan korosi cuplikan yang ternitridasidiuji menggunakan alat uji korosi dengan mengukur besarnya arus korosi. Ketahanan korosi optimum diperolehpada suhu nitridasi 450 oC.Kata kunci : Kekerasan, ketahanan korosi, biomaterial, nitridasi ion, struktur-mikro, struktur fase.
PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-Si DAN Ag Yunanto Yunanto; Sudjatmoko Sudjatmoko; Trimardji Atmono; Wirjoadi Wirjoadi
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 5 Nomor 2 Juli 2002
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (478.961 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2002.5.2.213

Abstract

PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-Si DAN Ag. Telah dilakukan deposisi lopisan tipis a-Si dan Ag pada substrat kaca untuk lapisan reflektor dan lapisan untuk membuat sambungan P-N untuk sel surya. Penelitian ini bertujuan mendapatkan tahanan lapisan tipis a-Si dan refleksivitas lapisan tipis Ag yang optimal, sehingga akan dipereroleh sel surya yang mempunyai efisiensi lebih tinggi. Target Si dan Ag secara terpisah ditumbuki dengan ion Ar dalam tabung sputtering, sehingga atom Si dan Ag akan terdeposisi pada substrat kaca. Untuk mengetahui struktur kristal data lapisan tipis Si diamati dengan XRD, refleksivitas lapisan tipis Ag menggunakan UV-Vis dan tahanan lapisan tipis Si dengan multimeter digital. Dari hasil pengamatan diperoleh hasil bahwa lapisan tipis Si menunjukkan amorf, refleksivitas tertinggi lapisan tipis Ag 78 % dan tahanan terkecil lapisan tipis a-Si: 77 mega Ohm.
PENGARUH NITRIDASI ION SUHU RENDAH PADA KETAHANAN AUS DAN KOROSI BIOMATERIAL STAINLESS STEEL AUSTENITIK 316L Sudjatmoko Sudjatmoko; Bambang Siswanto; Wirjoadi Wirjoadi; Lely Susita
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 15 Nomor 2 Juli 2012
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (797.66 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2012.15.2.218

Abstract

PENGARUH NITRIDASI ION SUHU RENDAH PADA KETAHANAN AUS DAN KOROSI BIOMATERIAL STAINLESS STEEL AUSTENITIK 316L. Dalam penelitian ini telah selesai dilakukan proses nitridasi ion dan karakterisasi cuplikan SS 316L. Proses nitridasi ion telah dilakukan pada cuplikan untuk variasi suhu nitridasi 350, 400, 450, 500, dan 550 oC, pada tekanan gas nitrogen optimum 1,8 mbar dan waktu nitridasi optimum 3 jam. Struktur-mikro, komposisi unsur dan struktur fase lapisan nitrida yang terbentuk pada permukaan cuplikan diamati menggunakan teknik SEM-EDAX dan XRD, dan diketahui bahwa lapisan tipis nitrida besi telah terbentuk pada permukaan cuplikan. Lapisan nitrida besi tersebut mempunyai struktur fase antara lain -Fe2-3N, ’-Fe4N, CrN, Cr2N dan austenit terekspansi N yang mempunyai sifat-sifat istimewa. Hasil karakterisasi ketahanan aus cuplikan SS 316L menunjukkan terjadinya peningkatan ketahanan aus sekitar 2,6 kali cuplikan standar pada suhu nitridasi 350 oC, dan dari uji korosi dengan larutan Hanks diperoleh laju korosi optimum 29,87 mpy atau ketahanan korosinya meningkat sekitar 137%. Dengan demikian dapat diketahui bahwa dengan menggunakan teknik nitridasi ion telah terbentuk lapisan nitrida besi pada permukaan cuplikan SS 316L, dan mereka mempunyai sifat ketahanan aus dan ketahanan korosi sangat baik. Sifat kekerasan yang tinggi dan mempunyai ketahanan korosi yang baik tersebut, terutama disebabkan terbentuknya nitrida besi dan fase austenit terekspansi N pada proses nitridasi suhu rendah.
CONCEPT OF ELECTRON SOURCE BASED ON PULSED PLASMA DISCHARGE Widdi Usada; Wirjoadi Wirjoadi; Agus Purwadi; Bambang Siswanto
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 12 Nomor 2 Juli 2009
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (177.727 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2009.12.2.153

Abstract

CONCEPT OF ELECTRON SOURCE BASED ON PULSED PLASMA DISCHARGE. The lack of continuous electronbeam machine is electron current limitation and heating impact on target. So it is needed a new machine which will givehigher current in the pulsed mode operation. This paper offers on the possibility of pulsed plasma discharge as a pulseelectron source. By using simple equation, it can be achieved some interesting parameters such as plasma current,rise time etc. The result is useful as basic understanding in designing this machine.