Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2021 - 2026
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Sains Materi Indonesia
Didik Aryanto
Pusat Penelitian Fisika, Lembaga Ilmu Pengetahuan Indonesia Kawasan Puspiptek, Serpong 15314, Tangerang Selatan, Indonesia Materials Research Group, Universitas Negeri Semarang Gunungpati, Semarang 50229 Jawa Tengah, Indonesia
Materials Science & Nanotechnology

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

 1 
KARAKTERISASI STRUKTUR DAN SIFAT LISTRIK FILM TIPIS ZINC OXIDE DIDOPING GALLIUM DAN ALUMINIUM Didik Aryanto; Sugianto Sugianto; Putut Marwoto; Sulhadi Sulhadi
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol 15, No 3: APRIL 2014
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (152.716 KB) | DOI: 10.17146/jsmi.2014.15.3.4346

Abstract

KARAKTERISASI STRUKTUR DAN SIFAT LISTRIK FILM TIPIS ZINC OXIDE DIDOPING GALLIUM DAN ALUMINIUM. Film tipis Zinc Oxide (ZnO) yang didoping unsur Gallium (Ga) dan Aluminium (Al) telah ditumbuhkan di atas gelas corning menggunakan DC Magnetron Sputtering. Efek dari doping Ga dan Al pada struktur dan sifat listrik film tipis ZnO telah dipelajari menggunakan X-Ray Diffractometer (XRD) dan I-Vmeter. Karakterisasi XRD menunjukkan bahwa film tipis ZnO murni dan ZnO yang telah didoping memiliki struktur polikristal dengan tipe heksagonal wurtzite. Kualitas dari film tipis ZnO meningkat dengan didoping unsur Ga, tetapi menurun ketika didoping unsur Al. Resistivitas dari film tipis ZnO berkurang ketika didoping dengan unsur Ga dan bertambah saat didoping unsurAl. Resistivitas terendah ditunjukkan film tipis ZnO yang didoping Ga (1%) sebesar 0,209 x 107 Ωcm.
Co-Authors Putut Marwoto S Sulhadi Sugianto -