Mohammad Mustafa Sarinanto
Direktorat Teknologi Informasi dan Elektronika BPPT Gd 11 BPPT, Lt.21, JI.M.H.Thamrin no.8 Jakarta Pusat 10340

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING Mohammad Mustafa Sarinanto
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol 1, No 2: FEBRUARI 2000
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (421.983 KB) | DOI: 10.17146/jusami.2000.1.2.5324

Abstract

FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING. Lapisan tipis CuInS2 telah dipreparasi di atas Pyrex slide glass dengan menggunakan metoda reactive sputtering, dengan temperatur substrat 200-350°C dimana sebagai gas pereaksi digunakan CS2. Kecepatan pertumbuhannya adalah 0,5 — 1 pm/jam. Film kristal yang diperoleh mempunyai orientasi (112) sejajar dengan substrat.