Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Sains Materi Indonesia
Sukirno Sukirno
K.K. Fisika Material Elektroni - ITB Jl. Ganesha No. 10, Bandung 40132
Materials Science & Nanotechnology

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

 1 
KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO2 DAN Nd-CeO2 YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD) Iis Nurhasanah; Khairurrijal Khairurrijal; Mikrajudin Abdullah; Bambang Ariwahjoedi; Maman Budiman; Sukirno Sukirno
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (163.13 KB) | DOI: 10.17146/jusami.2006.0.0.5178

Abstract

KARAKTERISTIK ARUS FILM TIPIS CeO2 DAN Nd-CeO2 YANG DIDEPOSISIKAN DI ATAS SUBSTRAT Si(100) MENGGUNAKAN TEKNIK PULSED-LASER ABLATION DEPOSITION (PLAD). Karakteristik arus film tipis CeO2 dan Nd-CeO2 yang dideposisikan di atas substrat p-Si(100) menggunakan teknik Pulsed-Laser Ablation Deposition (PLAD) telah diamati melalui pengukuran arus-tegangan (I-V). Film tipis CeO2 memiliki rapat arus yang lebih besar 2 orde dari film tipis Nd-CeO2. Perbedaan rapat arus dapat dijelaskan berdasarkan perbedaan orientasi kristal, keadaan trap dan tinggi potensial penghalang. Mekanisme konduksi yang terjadi terutama adalah Space-Charge Limited Current (SCLC) pada tegangan rendah dan emisi Schottky pada tegangan tinggi. Diketahui pula bahwa potensial penghalang film tipis Nd-CeO2 lebih besar dari film tipis CeO2 dan memberikan kontribusi terhadap penurunan rapat arus.
Co-Authors Bambang Ariwahjoedi Iis Nurhasanah Khairurrijal Khairurrijal Maman Budiman Mikrajudin Abdullah