Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
1.756
P-Index
This Author published in this journals
All Journal JTEV (Jurnal Teknik Elektro dan Vokasional Jurnal Teknologi Prosiding Semnastek PROtek : Jurnal Ilmiah Teknik Elektro JTERA (Jurnal Teknologi Rekayasa) Sebatik Martabe : Jurnal Pengabdian Kepada Masyarakat Jurnal Teknik TELKA - Telekomunikasi, Elektronika, Komputasi dan Kontrol Infotekmesin EPSILON: Journal of Electrical Engineering and Information Technology
Atik Charisma
Jurusan Teknik Elektro, Fakultas Teknik, Universitas Jenderal Achmad Yani
Agriculture, Biological Sciences & Forestry Arts Humanities Chemical Engineering, Chemistry & Bioengineering Civil Engineering, Building, Construction & Architecture Computer Science & IT Control & Systems Engineering Education Electrical & Electronics Engineering Energy Engineering Industrial & Manufacturing Engineering Mechanical Engineering Social Sciences

Published : 13 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 13 Documents
Search

 1   2 
Perancangan Low Noise Amplifier untuk Aplikasi Radar Pasif Antrisha Setiawan; Muhamad Ramdani; Atik Charisma
EPSILON: Journal of Electrical Engineering and Information Technology Vol 19 No 1 (2021): EPSILON: Journal of Electrical Engineering and Information Technology
Publisher : Department of Electrical Engineering, UNJANI

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Radar pasif adalah sebuah perangkat yang digunakan untuk mendeteksi dan memperoleh posisi dengan menggunakan sinyal tertentu yang ditransmisikan oleh target. Sinyal pada sistem radar dalam bentuk gelombang mikro memiliki daya yang sangat rendah. Sehingga, sistem penerima pada radar harus mempunyai penguat dengan penguatan yang tinggi dan mampu meredam derau serendah-rendahnya. Perancangan Low Noise Amplifier (LNA) dibuat menggunakan mikrostrip dengan komponen aktif penyusunya berupa transistor ATF- 58143. Software ADS (Advaced Desain System) digunakan pada perancangan LNA. Untuk medapatkan rangkaian matching impedansi, digunakan tools Smitch-chart pada ADS. Metode yang digunakan dalam perancangan matching impedance adalah single short stub. Rangkaian LNA dipasngkan dengan rangkaian bias untuk mendapatkan nilai-nilai yang memenuhi spesifikasi. Hasil akhir perancangan pada frekuensi 2,5 GHz memiliki faktor kestabilan 1,719, noise figure sebesar 2,554, gain (S21) 12,090 dB, input return loss (S11) -26,861 dB, output return loss (S22) -13,563 dB, dan VSWR bernilai 1,531. Panjang saluran transmisi di penyesuai impedansi masukan memiliki nilai W = 3,416540 mm dan L = 20,405200 mm di short stub, dan nilai W = 3,416540 dan L = 3,847260 di line stub. Panjang saluran di impedansi saluran keluaran memiliki nilai W = 3,416540 mm dan L = 10,683500 mm di short stub, dan nilai W = 3,416540 dan L = 3,847260 di line stub. LNA dapat digunakan pada frekuensi 2 - 3 GHz.
Low Noise Amplifier Dual Stage dengan Metode π-Junction untuk Long Term Evolution (LTE) Atik Charisma; Nahal Widianto; M. Reza Hidayat; Handoko Rusiana Iskandar
TELKA - Jurnal Telekomunikasi, Elektronika, Komputasi dan Kontrol Vol 8, No 2 (2022): TELKA
Publisher : Jurusan Teknik Elektro UIN Sunan Gunung Djati Bandung

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15575/telka.v8n2.116-125

Abstract

Long Term Evolution (LTE) merupakan teknologi tanpa kabel yang memerlukan komponen-komponen elektronika untuk mendukung performansinya. Salah satu komponen elektronika tersebut yaitu Low Noise Amplifier (LNA) sebagai penguat di bagian penerima. Penelitian ini merancamg Low Noise Amplifier dengan bantuan software berdasarkan perhitungan. LNA bekerja pada frekuensi 1,8 GHz yang merupakan pita frekuensi LTE. Tahapan perancangan LNA dimulai dari pemilihan transistor, rangkaian DC bias, dan penyesuai impedansi. Transistor ATF 34143 menjadi pilihan untuk LNA karena sesuai dengan spesifikasi yang dibutuhkan. Komponen perancangan LNA untuk rangkaian DC meliputi resistor, kapasitor, dan induktor. Salah satu metode yang digunakan pada rangkaian penyesui impedansi yaitu metode π-junction pada bagian input dan output. Rangkaian penyesuai impedansi menggunakan mikrostrip. Sebuah transitor ditambahkan secara cascade untuk meningkatkan performansi LNA. Paremeter-parameter penting sebagai kinerja LNA yaitu noise figure, faktor kestabilan, dan gain. Hasil simulasi perancangan LNA ini memperoleh nilai noise figure sebesar 0,561 dB, gain 36,463 dB, dan faktor kestabilan 1,785. Parameter hasil perancangan telah memenuhi spesfikasi LNA serta kebutuhan LTE.Long Term Evolution (LTE) is a wireless technology that requires electronic components to support its performance. One of the electronic components is the Low Noise Amplifier (LNA) as an amplifier at the receiver. This study designed a Low Noise Amplifier with the help of software based on calculations. LNA works on the 1.8 GHz frequency which is the LTE frequency band. The LNA design stages start from the selection of transistors, DC bias circuits, and impedance matching. The ATF 34143 transistor is the choice for LNA because it fits the required specifications. LNA design components for DC circuits include resistors, capacitors, and inductors. One of the methods used in impedance matching circuits is the π-junction method on the input and output sections. Impedance adjustment circuit using microstrip. A transistor is added cascade to improve LNA performance. Important parameters as the performance of LNA are noise figure, stability factor, and gain. The simulation results of this LNA design obtain a noise figure value of 0.561 dB, a gain of 36.463 dB, and a stability factor of 1.785. The design parameters have met the LNA specifications and LTE requirements.
The Green Campus Building's Rooftop Photovoltaic System Design Project Handoko Rusiana Iskandar; Deri Mardiansyah; Atik Charisma; Een Taryana; Yuda Bakti Zainal
Infotekmesin Vol 15 No 1 (2024): Infotekmesin: Januari, 2024
Publisher : P3M Politeknik Negeri Cilacap

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.35970/infotekmesin.v15i1.1945

Abstract

Universitas Jenderal Achmad Yani, whose major campus is in Cimahi City, is constructing a large-scale campus development, the size of which is directly proportionate to the quantity of energy consumed. This increase in electrical energy consumption can be minimized by utilizing environmentally friendly renewable energy sources to supply loads and reduce the use of existing energy from the grid (PT. PLN). This context supports a design proposal for the production of photovoltaic-based photovoltaic on the Universitas Jenderal Achmad Yani campus, particularly in two buildings with exceptional roof potential. In this paper, the modeling carried out aims to help supply renewable energy-based electrical energy. The design of PV on Grid Installation Engineering in Buildings at Universitas Jenderal Achmad Yani carried out in this paper includes PV placement layout, PV construction, and simulation using PVsyst. The rooftop-type grid-connected PV is modeled in the Faculty of Health Sciences and Technology (FHST) Building and the Rectorate Building, which are composed of PV panels, inverters, and other supporting components. Grid PV design and simulation modeling on the roofs of FITKES and Rectorate Buildings resulted in a total installable PV capacity of 420 kWp, an annual average Performance Ratio of 80.6%, and an average potential energy output of 702 MWh/year. This energy potential is undoubtedly proposed to fulfill future electricity needs.
Co-Authors Ade Sena Permana Ahmad Daelami Ahmad Daelami Aldi Setiawan Alni Muflihati Antrisha Daneraici Setiawan Antrisha Setiawan Asep Najmurrokhman Bayudin Clarez Bebby Elysees Dani Ramdani Dede Irawan Saputra Dede Irawan Saputra Deri Mardiansyah Devin Dwi Nugraha Een Taryana Een Taryana Fadilah Ana Dhofati Faisal Dharmawan Hajiar Yuliana Handoko Rusiana Iskandar Handoko Rusiana Iskandar Henda Nurfajar M. Reza Hidayat Muhamad Ramdani Muhammad Burhannudin Misuari Muhammad Burhannudin Misuari Nahal Widianto Nivika Tifani Somantri Rijal Ridwanulloh Yuda Bakti Zainal Zul Fakhri Zul Fakhri