Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0.23
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Sainteknol : Jurnal Sains dan Teknologi JOIV : International Journal on Informatics Visualization
- Sugianto
Jl. Sindoro III/23 Ungaran Telp: (024) 76910012, Mobile Phone: 08157169295
Computer Science & IT Education Physics

Published : 7 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 2 Documents
Search
Journal : Sainteknol : Jurnal Sains dan Teknologi

 1 
PENGARUH KONDISI PENUMBUHAN PADA SIFAT FISIS FILM TIPIS GA2O3 DENGAN DOPING ZNO Sulhadi, -; Marwoto, Putut; Sugianto, -
Sainteknol : Jurnal Sains dan Teknologi Vol 8, No 2 (2010): December 2010
Publisher : Unnes Journal

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/sainteknol.v8i2.321

Abstract

Telah dapat ditumbuhkan film tipis Ga2O3:ZnO di atas substrat silikonmenggunakan dc magnetron sputtering (home made). Parameter deposisi yangdivariasikan dalam pembuatan film tipis Ga2O3:ZnO adalah daya plasma. Prosespenumbuhan dilakukan selama 3 jam. Struktur film dipelajari dengan menggunakandifraksi sinar X (XRD) dan SEM. Hasil difraktogram XRD dibandingkan dengandata JCPDS untuk mengidentifikasi struktur kristal yang tumbuh. Film tipis yangditumbuhkan dengan daya plasma 20,15 W dan 24,10 W teramati puncak difraksibersesuaian dengan orientasi bidang (201) yang menunjukkan lapisan tipisGa2O3:ZnO memiliki struktur monoklinik dan intensitas tertinggi bersesuaian denganorientasi bidang (400) pada fase kubik. Pada citra SEM dengan perbesaran 10.000kali teramati bahwa film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 20,15 Wmempunyai morfologi yang lebih rata. Kondisi tersebut dikarenakan atom-atom yangmenempel pada substrat ada yang terlepas terlebih dahulu sebelum datang atom-atomyang tersputter dari target. Hal ini sebagai konsekuensi laju atom yang menujusubstrat relatif rendah karena ditumbuhkan pada daya plasma yang juga relatifrendah.Kata kunci: Ga2O3:ZnO, daya plasma, XRD, SEM, dc magnetron sputtering.
PENGARUH KONDISI PENUMBUHAN PADA SIFAT FISIS FILM TIPIS GA2O3 DENGAN DOPING ZNO Sulhadi, -; Marwoto, Putut; Sugianto, -
Sainteknol : Jurnal Sains dan Teknologi Vol 8, No 2 (2010): December 2010
Publisher : Universitas Negeri Semarang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/sainteknol.v8i2.321

Abstract

Telah dapat ditumbuhkan film tipis Ga2O3:ZnO di atas substrat silikonmenggunakan dc magnetron sputtering (home made). Parameter deposisi yangdivariasikan dalam pembuatan film tipis Ga2O3:ZnO adalah daya plasma. Prosespenumbuhan dilakukan selama 3 jam. Struktur film dipelajari dengan menggunakandifraksi sinar X (XRD) dan SEM. Hasil difraktogram XRD dibandingkan dengandata JCPDS untuk mengidentifikasi struktur kristal yang tumbuh. Film tipis yangditumbuhkan dengan daya plasma 20,15 W dan 24,10 W teramati puncak difraksibersesuaian dengan orientasi bidang (201) yang menunjukkan lapisan tipisGa2O3:ZnO memiliki struktur monoklinik dan intensitas tertinggi bersesuaian denganorientasi bidang (400) pada fase kubik. Pada citra SEM dengan perbesaran 10.000kali teramati bahwa film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 20,15 Wmempunyai morfologi yang lebih rata. Kondisi tersebut dikarenakan atom-atom yangmenempel pada substrat ada yang terlepas terlebih dahulu sebelum datang atom-atomyang tersputter dari target. Hal ini sebagai konsekuensi laju atom yang menujusubstrat relatif rendah karena ditumbuhkan pada daya plasma yang juga relatifrendah.Kata kunci: Ga2O3:ZnO, daya plasma, XRD, SEM, dc magnetron sputtering.
Co-Authors - Sutikno Desi Kiswiranti M. Akrom N. Hindarto P. Marwoto Putut Marwoto S Sopiah Sulhadi - U. Maghfiroh Wardhani, Kartina Diah Kusuma Wiyanto - Yohana Dewi Lulu Widyasari