Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Ganendra: Majalah IPTEK Nuklir
Sri Sulamdari
Unknown Affiliation
Computer Science & IT Other

Published : 2 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 2 Documents
Search

 1 
KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi Wirjoadi; Yunanto Yunanto; Bambang Siswanto; Sri Sulamdari; Sudjatmoko Sudjatmoko
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 5 Nomor 2 Juli 2002
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (124.931 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2002.5.2.215

Abstract

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA. Telah dilakukan karakterisasi sifat-sifat optik lapisan tipis ZnO:Al pada substrat gelas untuk jendela sel surya dengan metode sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk memperoleh lapisan tipis ZnO:Al yang dapat digunakan sebagai bahan TCO (Transparent Conducting Oxide) untuk sel surya silikon amorf. Untuk mendapatkan lapisan tipis ZnO:Al dengan sifat optik optimum, proses deposisi dilakukan dengan beberapa variasi parameter, yaitu variasi konsentrasi campuran Al, suhu substrat, tekanan gas dan waktu deposisi. Berdasarkan hasil eksperimen yang telah dilakukan diperoleh hasil lapisan tipis ZnO:Al yang optimum pada kondisi suhu 450 oC, tekanan gas 6×10-2 torr dan lama waktu deposisi 1,5 jam. Dari pengukuran sifat-sifat optik (transmitansi) dengan UV-vis diperoleh hasil optimum pada suhu 450 oC. Pada kondisi ini transmitansinya sekitar (50-82) %, pada tekanan gas 6×10-2 torr sekitar (50-80) % dan pada waktu deposisi 1,5 jam sekitar (49-81) % yang semuanya pada posisi panjang gelombang (500-800) nm.. Untuk lapisan tipis ZnO diperoleh hasil transmitansi sekitar (78 - 80) % pada posisi panjang gelombang (500-800) nm. Hasil foto dengan SEM, untuk lapisan tipis ZnO diperoleh tebal lapisan sekitar 1,5 μm, morfologi permukaan dan butiran-butiran kecil terdistribusi secara homogen. Sedangkan untuk lapisan tipis ZnO:Al diperoleh tebal lapisan sekitar 1,3 μm dan morfologi permukaan yang terbentuk dengan butiran-butiran yang tidak seragam.
PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-Si:H) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi Wirjoadi; Sudjatmoko Sudjatmoko; Yunanto Yunanto; Bambang Siswanto; Sri Sulamdari
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 6 Nomor 1 Januari 2003
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (153.336 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2003.6.1.201

Abstract

PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-Si:H) UNTUK BAHAN SEL SURYA. Telah dilakukan pembuatan lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) untuk bahan sel surya. Lapisan tipis silikon amorf telah diketahui dan dapat dibuat, akan tetapi bahan lapisan tipis tersebut tidak dapat dimanfaatkan sebagai piranti elektronik. Pengontrolan valensi semi konduktor telah membuka jalan untuk pemanfaatan bahan tersebut untuk piranti-piranti elektro-nik terutama untuk piranti lapisan tipis photovoltaic, karena piranti photovoltaic seperti sel surya membutuhkan luasan aktif yang sangat besar untuk pengumpulan energi surya. Dalam penelitian ini deposisi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) dilakukan dengan metode sputtering pada beberapa variasi parameter, yaitu suhu substrat, tekanan gas dan lama waktu deposisi untuk mendapatkan sifat listrik, terutama nilai resistivitas lapisan optimum. Berdasarkan perhitungan dan analisa data pengukuran dengan probe empat titik, maka lapisan tipis silikon amorf diperoleh hasil nilai resistansi sebesar R = (1,68 ± 0,02) MΩ, nilai resistivitas ρ = (1,80 ± 0,05) Ωm dan nilai konduktivitas σ = (0,57 ± 0,02) Ω-1m-1, yang ini diperoleh pada kondisi suhu 300 oC, tekanan gas 7 x 10-2 torr, waktu deposisi 1,5 jam. Sedangkan hasil untuk lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) diperoleh nilai resistansi optimum sebesar R = 1349,66 MΩ, pada suhu 300 oC, tekanan gas 3,8 x 10-2 torr dan waktu deposisi 1,5 jam.
Co-Authors Bambang Siswanto Sudjatmoko Sudjatmoko Wirjoadi Wirjoadi Yunanto Yunanto