Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia
E. Wibowo
Jurusan Teknik Fisika, Fakultas Teknik Universitas Telkom Jl. Telekomunikasi Terusan Buah Batu, Bandung 40257
Education Physics

Published : 3 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 3 Documents
Search

 1 
PENINGKATAN KUALITAS FILM TIPIS CdTe SEBAGAI ABSORBER SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN DOPING TEMBAGA (Cu) Marwoto, P.; Darmaputra, N.M.; -, Sugianto; Othaman, Z.; Wibowo, E.; Astuti, S.Y.
Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Vol 8, No 2 (2012)
Publisher : Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Film tipis CdTe dengan doping tembaga (Cu) berkonsenterasi 2% telah berhasil ditumbuhkan di atas substrat Indium Tin Oxide (ITO) dengan metode dc magnetron sputtering. Penelitian ini dilakukan untuk mengetahui pengaruh doping Cu(2%) terhadap struktur morfologi, struktur kristal, fotoluminisensi dan resistivitas listrik film CdTe. Citra morfologi Scanning Electron Microscopy (SEM) dan hasil analisis struktur dengan X-Ray Diffraction (XRD) menunjukkan bahwa film CdTe:Cu(2%) mempunyai citra permukaan dan struktur kristal yang lebih sempurna dibandingkan film CdTe tanpa doping. Hasil analisis spektrometer fotoluminisensi menunjukkan bahwa film CdTe dan CdTe(2%) mempunyai puncak fotoluminisensi pada tiga panjang gelombang yang identik yaitu 685 nm (1,81 eV), 725 nm (1,71 eV) dan 740 nm (1,67 eV). Film CdTe dengan doping Cu(2%) memiliki intensitas puncak fotoluminisensi yang lebih tajam pada pita energi 1,81 eV dibandingkan dengan film CdTe tanpa doping. Pengukuran arus dan tegangan (I-V) menunjukkan bahwa pemberian doping Cu(2%) dapat menurunkan resistivitas film dari 8,40x109 Ωcm menjadi 6,92x105 Ωcm. Sebagai absorber sel surya, kualitas film tipis CdTe telah berhasil ditingkatkan dengan pemberian doping Cu(2%).CdTe:Cu(2%) thin film has been successfully grown on Indium Tin Oxide (ITO) substrates by using dc magnetron sputtering. This study was carried out in order to investigate the effect of Cu(2%) doping on the morphologycal structure, crystal structure, photoluminesence, and resistivity of CdTe thin film. Scanning Electron Microscopy (SEM)  images and X-Ray Diffraction (XRD) results showed that CdTe:Cu(2%) thin film has morphologycal and crystal structures more perfect than undoped CdTe film. Photoluminesence spectroscopy results showed that CdTe and CdTe:Cu(2%) thin films have luminesence peak at three identical wevelength regions i.e. 685 nm (1.81 eV), 725 nm (1.71 eV) and 740 nm (1.67 eV) however CdTe:Cu(2%) film shows sharper photoluminescence peak at band energy of 1.81 eV. Current-Voltage (I-V) measurement showed that the presenting of Cu doping on CdTe film configuration could decrease its electrical resistivity from 8.40x109 Ωcm to 6.92x105 Ωcm. Indeed, as absorber layer of solar cell, the performance of CdTe thin film has been succsesfully improved by using Cu(2%) as doping.
VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA) Sulhadi, S.; Fatiatun, F.; Marwoto, P.; Sugianto, S.; Wibowo, E.
Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Vol 11, No 1 (2015): January 2015
Publisher : Physics Department, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Semarang State University

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/jpfi.v11i1.4007

Abstract

Telah dilakukan deposisi film tipis ZnO:Ga di atas substrat kaca korning pada tekanan deposisi 500 mtorr dengan metode DC-magnetron sputtering. Film ditumbuhkan masing-masing pada suhu 325oC, 375oC, dan 425oC. Struktur, sifat optik dan sifat listrik film tipis yang dideposisikan telah dikarakterisasi dengan menggunakan EDX, XRD, SEM, spektrofotometer UV-Vis dan I-V Meter. Analisis EDX menunjukkan bahwa film yang terdeposisi merupakan film tipis ZnO:Ga. Hasil analisis struktur dengan XRD menunjukkan bahwa film tipis ZnO:Ga yang dideposisikan merupakan polikristalin dengan struktur heksagonal wurtzite. Film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325o mempunyai kualitas kristal yang lebih baik dibandingkan dengan film yang dideposisikan pada suhu 375o dan 425oC. Hasil XRD juga terkonfirmasi dengan observasi SEM menunjukkan bahwa film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325oC mempunyai ukuran butir yang lebih homogen dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada suhu deposisi 375o dan 425oC. Film tipis ZnO:Ga yang ditumbuhkan pada suhu 325oC mencapai transmitansi optik ~ 89% dan energi bandgap ~3,33 eV. Sifat listrik dapat diketahui dengan menggunakan I-V Meter yang menunjukkan nilai  1,74 x10ˉ3 (Ωcm)ˉ1 pada suhu deposisi 325oC. Thin films ZnO:Ga were deposited on corning glass substrates with argon gas pressure 500 mtorr and variation temperature at 325oC,  375oC and 425oC by DC-Magnetron Sputtering. The structural studies, optical and electricity properties of the thin films have been investigated by means of EDX, XRD, SEM, Uv-Vis spectroscopy and I-V meter. The EDX result show that thin films were deposited is ZnO:Ga thin films. The structural studies result from XRD show the ZnO:Ga thin films deposited have polycrystalline with the hexagonal wurtzite structure. ZnO:Ga film were deposited at 325oC have the better quality crystal with the other. The XRD result also appropriate with SEM, it was shown at 325oC has grain size more homogeny with the other films. Thin films ZnO:Ga was deposited at 325oC has the optical transmittance ~89% and the bandgap ~3,33 eV. Electrical conductivity 1.74 x10ˉ3 (Ωcm)ˉ1 at deposited  325oC. 
VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA) Sulhadi, S.; Fatiatun, F.; Marwoto, P.; Sugianto, S.; Wibowo, E.
Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Vol 11, No 1 (2015)
Publisher : Department of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Sciences

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/jpfi.v11i1.4007

Abstract

Telah dilakukan deposisi film tipis ZnO:Ga di atas substrat kaca korning pada tekanan deposisi 500 mtorr dengan metode DC-magnetron sputtering. Film ditumbuhkan masing-masing pada suhu 325oC, 375oC, dan 425oC. Struktur, sifat optik dan sifat listrik film tipis yang dideposisikan telah dikarakterisasi dengan menggunakan EDX, XRD, SEM, spektrofotometer UV-Vis dan I-V Meter. Analisis EDX menunjukkan bahwa film yang terdeposisi merupakan film tipis ZnO:Ga. Hasil analisis struktur dengan XRD menunjukkan bahwa film tipis ZnO:Ga yang dideposisikan merupakan polikristalin dengan struktur heksagonal wurtzite. Film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325o mempunyai kualitas kristal yang lebih baik dibandingkan dengan film yang dideposisikan pada suhu 375o dan 425oC. Hasil XRD juga terkonfirmasi dengan observasi SEM menunjukkan bahwa film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325oC mempunyai ukuran butir yang lebih homogen dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada suhu deposisi 375o dan 425oC. Film tipis ZnO:Ga yang ditumbuhkan pada suhu 325oC mencapai transmitansi optik ~ 89% dan energi bandgap ~3,33 eV. Sifat listrik dapat diketahui dengan menggunakan I-V Meter yang menunjukkan nilai  1,74 x10ˉ3 (Ωcm)ˉ1 pada suhu deposisi 325oC. Thin films ZnO:Ga were deposited on corning glass substrates with argon gas pressure 500 mtorr and variation temperature at 325oC,  375oC and 425oC by DC-Magnetron Sputtering. The structural studies, optical and electricity properties of the thin films have been investigated by means of EDX, XRD, SEM, Uv-Vis spectroscopy and I-V meter. The EDX result show that thin films were deposited is ZnO:Ga thin films. The structural studies result from XRD show the ZnO:Ga thin films deposited have polycrystalline with the hexagonal wurtzite structure. ZnO:Ga film were deposited at 325oC have the better quality crystal with the other. The XRD result also appropriate with SEM, it was shown at 325oC has grain size more homogeny with the other films. Thin films ZnO:Ga was deposited at 325oC has the optical transmittance ~89% and the bandgap ~3,33 eV. Electrical conductivity 1.74 x10ˉ3 (Ωcm)ˉ1 at deposited  325oC. 
Co-Authors Fatiatun, Fatiatun N.M. Darmaputra P. Marwoto S.Y. Astuti Sugianto - Sulhadi - Z. Othaman