Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2021 - 2026
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal PROSIDING SEMINAR NASIONAL FISIKA (E-JOURNAL)
Slamet Widodo
PPET-LIPI, Jl. Sangkuriang Komp. LIPI Bandung 40135 No.Telp/Fax:022-2504660/022-2504659
Electrical & Electronics Engineering Energy Physics Other

Published : 2 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 2 Documents
Search

 1 
PROSES PHOTOLITHOGRAPHY DALAM FABRIKASI DIVAIS SEMIKONDUKTOR Slamet Widodo; Nanang Sudrajad
PROSIDING SEMINAR NASIONAL FISIKA (E-JOURNAL) Vol 3 (2014): PROSIDING SEMINAR NASIONAL FISIKA (E-JOURNAL) SNF2014
Publisher : Program Studi Pendidikan Fisika dan Program Studi Fisika Universitas Negeri Jakarta, LPPM Universitas Negeri Jakarta, HFI Jakarta, HFI

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (569.741 KB)

Abstract

Photolithography merupakan tahapan proses dasar (basic) untuk pembuatan divais semikonduktor dengan teknologi mikroelektronika. Proses photolithography adalah proses pemindahan pola bentuk geometris pada masker ke lapisan tipis (beberapa mikron) dan bahan yang peka terhadap radiasi (photoresist). Pertama, photoresist biasanya dilapiskan dengan cara spin coating atau spray coating untuk melapisi permukaan wafer silikon. Kedua, didalam lithography sinar (radiasi) ultra violet (U.V.) digunakan untuk mengubah kelarutan photoresist ke dalam suatu pelarut. Photoresist positip menjadi lebih larut pada penyinaran dengan sinar u.v., sedangkan photoresist negatip menjadi lebih larut, setelah photoresist ini mengalami proses polimerisasi. Pembuatan divais semikonduktor dan rangkaian terintegrasi (IC) terdiri dari bermacam-macam lapisan melalui photolithography (pelindunglmasker) dengan tahapan proses seperti daerah oksidasi, difusi, gate, lubang kontak. atau metalisasi dengan setiap tahap memerlukan pelindung (masker). Tahap pelindung ini menentukan daerah dimana tahap proses berikutnya akan ditentukan. Jumlah semua tahapan proses itu akan menghasilkan divais dan rangkaian dengan sifat listrik yang spesifik. Kata Kunci : Photolithography, photoresist positif dan negatif, divais semikonduktor.
TEKNIK PELAPISAN SILIKON DIOKSIDA (SiO2) DENGAN ALAT RF-SPUTTERING ARC-12M Slamet Widodo
PROSIDING SEMINAR NASIONAL FISIKA (E-JOURNAL) Vol 1 (2012): PROSIDING SEMINAR NASIONAL FISIKA (E-JOURNAL) SNF2012
Publisher : Program Studi Pendidikan Fisika dan Program Studi Fisika Universitas Negeri Jakarta, LPPM Universitas Negeri Jakarta, HFI Jakarta, HFI

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (654.251 KB)

Abstract

In this paper described the technique of metal and non metal coating (Alloy) by using a sputtering ARC-12M. Sputtering is a process ejected material from a surface of solids or liquids due to ground by high-energy particles up to momentum exchange occurs (momentum exchange). Target in the form of coating material is placed in the same direction with the substrate in a vacuum chamber with initial pressure (base pressure) equal to 5x10-4 to 5x10-7torr. Types of particles that were fired from the gas ions that are not easy to react to other substances or inert gas. On Non-metal deposition process (Alloy) eg Silicon Dioxide (SiO2) by RF-sputtering method, the thickness would increase linearly with increasing time.The deposition of chromium (Cr) with Argon (Ar) gas at a pressure of 15 mTorr, it produce relatively higher than the pressure of 25 mTorr. Keywords :Deposition, SiO2, RF Sputtering ARC-12M.
Co-Authors Nanang Sudrajad