Nanang Sudrajad
PPET-LIPI, Jl. Sangkuriang Komp. LIPI Bandung 40135 No.Telp/Fax:022-2504660/022-2504659

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

PROSES PHOTOLITHOGRAPHY DALAM FABRIKASI DIVAIS SEMIKONDUKTOR Slamet Widodo; Nanang Sudrajad
PROSIDING SEMINAR NASIONAL FISIKA (E-JOURNAL) Vol 3 (2014): PROSIDING SEMINAR NASIONAL FISIKA (E-JOURNAL) SNF2014
Publisher : Program Studi Pendidikan Fisika dan Program Studi Fisika Universitas Negeri Jakarta, LPPM Universitas Negeri Jakarta, HFI Jakarta, HFI

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (569.741 KB)

Abstract

Photolithography merupakan tahapan proses dasar (basic) untuk pembuatan divais semikonduktor dengan teknologi mikroelektronika. Proses photolithography adalah proses pemindahan pola bentuk geometris pada masker ke lapisan tipis (beberapa mikron) dan bahan yang peka terhadap radiasi (photoresist). Pertama, photoresist biasanya dilapiskan dengan cara spin coating atau spray coating untuk melapisi permukaan wafer silikon. Kedua, didalam lithography sinar (radiasi) ultra violet (U.V.) digunakan untuk mengubah kelarutan photoresist ke dalam suatu pelarut. Photoresist positip menjadi lebih larut pada penyinaran dengan sinar u.v., sedangkan photoresist negatip menjadi lebih larut, setelah photoresist ini mengalami proses polimerisasi. Pembuatan divais semikonduktor dan rangkaian terintegrasi (IC) terdiri dari bermacam-macam lapisan melalui photolithography (pelindunglmasker) dengan tahapan proses seperti daerah oksidasi, difusi, gate, lubang kontak. atau metalisasi dengan setiap tahap memerlukan pelindung (masker). Tahap pelindung ini menentukan daerah dimana tahap proses berikutnya akan ditentukan. Jumlah semua tahapan proses itu akan menghasilkan divais dan rangkaian dengan sifat listrik yang spesifik. Kata Kunci : Photolithography, photoresist positif dan negatif, divais semikonduktor.