Garuda - Garba Rujukan Digital

Sujarwata Sujarwata, Sujarwata

Universitas Negeri Semarang

Author-ID : 502418

Agriculture, Biological Sciences & Forestry Biochemistry, Genetics & Molecular Biology Chemistry Computer Science & IT Education Materials Science & Nanotechnology Physics

Published : 9 Documents Claim Missing Document

Claim Missing Document

Articles

Title

1

SENSOR GAS BERBASIS FILM TIPIS DENGAN KONFIGURASI TRANSISTOR EFEK MEDAN (FET) UNTUK DETEKSI GAS CO Sujarwata, Sujarwata; Marwoto, Putut
Sainteknol : Jurnal Sains dan Teknologi Vol 11, No 2 (2013): December 2013
Publisher : Unnes Journal

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/sainteknol.v11i2.5578

Pembuatan dan karakterisasi Transistor Efek Medan (FET) berbasis film tipis dengan struktur bottom-contact dan panjang channel 100 Î¼m untuk aplikasi sensor gas. Pembuatan FET dengan cara: permulaan dilakukan pencucian substrat Si/SiO 2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan pendeposisian elektroda source/ drain dengan metode penguapan hampa udara dan teknik lithography. Selanjutnya dilakukan deposisi film tipis CuPc diantara source/drain sebagai panjang channel dan elektrode gate. Karakteristik FET, untuk daerah aktif untuk V DS (2,80 s/d 3,42) V dan kuat arus I (0,00095 s/d 0,00169) A. FET akan aktif beroperasi hanya diperlukan tegangan V DS (2,79 V s/d 3,43 V) dan dengan ukuran sangat kecil ( 1,5 mm x 3,1 mm ) serta jarak antara S ke D adalah 100 Î¼m. Aplikasi sensor gas telah dilakukan untuk mendeteksi gas CO, diperoleh hasil untuk response time 90 detik dan recovery time 120 detik. DS

SENSOR GAS BERBASIS FILM TIPIS DENGAN KONFIGURASI TRANSISTOR EFEK MEDAN (FET) UNTUK DETEKSI GAS CO Sujarwata, Sujarwata; Marwoto, Putut
Sainteknol : Jurnal Sains dan Teknologi Vol 11, No 2 (2013): December 2013
Publisher : Universitas Negeri Semarang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/sainteknol.v11i2.5578

Pembuatan dan karakterisasi Transistor Efek Medan (FET) berbasis film tipis dengan struktur bottom-contact dan panjang channel 100 Î¼m untuk aplikasi sensor gas. Pembuatan FET dengan cara: permulaan dilakukan pencucian substrat Si/SiO 2 dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan pendeposisian elektroda source/ drain dengan metode penguapan hampa udara dan teknik lithography. Selanjutnya dilakukan deposisi film tipis CuPc diantara source/drain sebagai panjang channel dan elektrode gate. Karakteristik FET, untuk daerah aktif untuk V DS (2,80 s/d 3,42) V dan kuat arus I (0,00095 s/d 0,00169) A. FET akan aktif beroperasi hanya diperlukan tegangan V DS (2,79 V s/d 3,43 V) dan dengan ukuran sangat kecil ( 1,5 mm x 3,1 mm ) serta jarak antara S ke D adalah 100 Î¼m. Aplikasi sensor gas telah dilakukan untuk mendeteksi gas CO, diperoleh hasil untuk response time 90 detik dan recovery time 120 detik. DS

Title Search

Found 2 Documents Search Journal : Sainteknol : Jurnal Sains dan Teknologi

Abstract

Abstract

Title

Found 2 Documents
Search
Journal : Sainteknol : Jurnal Sains dan Teknologi