Claim Missing Document
Check
Articles

Found 3 Documents
Search

RANCANG BANGUN DAN PENGUJIAN DEVAIS PERIPHERAL INPUT/OUTPUT (P I/O) BERBASIS UNIVERSAL SERIAL BUS (USB) Agus Pracoyo; Tossin Alamsyah
Jurnal Poli-Teknologi Vol. 10 No. 2 (2011)
Publisher : Politeknik Negeri Jakarta

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (536.663 KB) | DOI: 10.32722/pt.v10i2.9

Abstract

Almost all modern computers provide a USB port (Universal Serial Bus) for access to the device input / output external. This phenomenon has forced the designers and developers full-custom devices, input / output is always based on the USB interface technique. A USB system consists of a controller (host PC) and several Device input / output This research aims to design devices, input / output USB HID class (Human Interface Decive). Design based on the USB protocol version 1.1 and 2.0 as the software on the Device (firmware) and the host, as a controller selected PIC18F4550 microcontroller. The design of devices, input / output USB with analog and digital terminals that can diakes and controlled by the host Testing is done using software USBTrace. The test results showed that the speed of transactions is achieved is 12 Mbps (full-speed) with 48 MHz MCU clock Key words: Design, Testing, Peripheral Input Output (PI/O) , Universal Serial Bus (USB) ABSTRAK Teknologi Personal Computer (PC) telah menyediakan terminal USB (Universal Serial Bus) untuk keperluan akses dari dan ke devais input/output eksternal. Fenomena ini memaksa para perancang dan pengembang full-custom untuk merancang devais input/output berbasis antar muka USB. Sistem USB terdiri dari pengontrol yaitu PC sebagai host dan beberapa devais input/output (I/O) sebagai client. Pada artikel ini dibahas hasil rancangan dan pengujian devais input/output Human Interface Decive USB dengan Microcontroller PIC18F4550. Pengujian menggunakan software Tools USBTrace yang dikembangkan oleh SysNucleus. Hasil pengujian menunjukkan bahwa kecepatan transaksi dapat mencapai 12 Mbps, merupakan kategori full-speed. Kecepatan Transaksi dicapai berdasarkan pada Compiler MikroC, dengan clock pada MCU 48 Mhz dan xtal terpasang 8 Mhz. Kata Kunci: Rancang bangun, Pengujian, Peripheral Input Output (PI/O) , Universal Serial Bus (USB)
RANCANGAN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR SILIKON GERMANIUM (HBT’S SIGE) DENGAN PENDEKATAN POISSON EQUATION Tossin Alamsyah; Endang Saepuddin
Jurnal Poli-Teknologi Vol. 10 No. 2 (2011)
Publisher : Politeknik Negeri Jakarta

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (395.834 KB) | DOI: 10.32722/pt.v10i2.12

Abstract

Ideally performance of Heterojunction Bipolar Transistor (SiGe HBT's) is the Threshold Frequency (ft) and Maximum Frequency (fmax) and high current gain. In order to get the performance can be used the physics approach that that is heavy doping on the emitter and narrow base width. This research conducted at the design of SiGe HBT's based on a model approach three (3)-dimensional hydrodynamic approach to the Poisson equation with electron transport. Simulation using the software Bipole3 with input parameters based on models developed by IBM's first generation. Results of analysis and discussion show that the design of SiGe HBT's provide the frequency threshold (FT) 56 GHz with a deviation of 7% of the worth of a model developed by IBM. Keywords: HBT’s SiGe, Poisson Equation. ABSTRAK Kinerja ideal dari Heterojunction Bipolar Transistor (HBT’s SiGe) adalah Threshold Frequency ( ft ) dan Maximum Frequency ( fmax ) serta Current Gain yang tinggi. Untuk mendapatkan unjuk kerja yang tersebut dapat digunakan pendekatan physic yaitu heavy doping pada emitter dan lebar basis dibuat sempit (narrow base width). Pada riset ini dilakukan rancangan HBT’s SiGe berdasarkan pendekatan model tiga(3) dimensi hydrodynamic dengan pendekatan Poisson equation electron transport. Simulasi menggunakan perangkat lunak Bipole3 dengan parameter masukan berdasarkan model yang dikembangkan oleh IBM generasi pertama Hasil analisa dan pembahasan menunjukkan bahwa hasil rancangan HBT’s SiGe menghasilkan frekuensi threshold (fT) 56 GHz dengan deviasi senilai 7% terhadap model yang dikembangkan oleh IBM. Kata kunci: HBT’s SiGe, Persamaan Poisson
EKSTRAKSI PASIR SLIKAT (SILLICOND SAND) SEBAGAI MATERIAL SUBTRAT PADA SENSOR GAS DAN TURUNANNYA Tossin Alamsyah
Jurnal Poli-Teknologi Vol. 20 No. 1 (2021)
Publisher : Politeknik Negeri Jakarta

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.32722/pt.v20i1.2893

Abstract

Pasir silika adalah material dari kristal silika (SiO2) dan senyawa lainnya yang mengandung material lain  selama proses deposisi, memiliki komposisi gabungan dari SiO2, Fe2O3, Al2O3, CaO, MgO, dan K2O.  Sensitivitas atau responsivitas suatu sensor gas dapat dipengaruhi oleh porositas pada permukaan substrat, umumnya substrat material dari sensor gas digunakan alumina (Al2O3) atau dioxside silikon (SiO2).Pada artikel  ini membahas tentang hasil proses sintering pada pasir silika yang bertujuan untuk mendapatkan struktur SiO2 yang baik, khusunya dalam parameter konduktivitas termal. Proses sintering dilakukan pada pasir silika dengan campuran almunium sulfat (AlSo4) pada 1600o untuk hasil kemudian tumbuk menjadi tiga (3) buah sampel yaitu sampel A ukuran  mesh 300, Sampel B ukuran mesh 500 mesh dan sampel C ukuran mesh  1000 mesh.Hasil pengamatan, jika tiga sampel dipanaskan (T) sampai 1000 , sampel C memiliki responsivitas tinggi untuk dibandingkan dengan sampel a dan b dengan rasio 5,7; 5,4 dan 4,8. Disimpulkan bahwa bahan substrat dengan ukuran mesh kecil  (sampel C, 1000) memiliki resistivitas termal yang tinggi dibandingkan dengan ukuran bahan mesh rendah , sampel A (mesh 300) dan  dan B(mesh 500).Akhirnya  ketika diimplementasikan dalam model sensor Gas CO, dihasilkan bahwa sample C dengan mesh 1000 memiliki thermal sensitivitas yang lebih besar dibandingkan dengan sampel B dan A