Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING Mohammad Mustafa Sarinanto
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol. 1 No. 2 (2000): Jurnal Sains dan Materi Indonesia
Publisher : BRIN Publishing (Penerbit BRIN)

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

FABRIKASI LAPISAN TIPIS CuInS2 MENGGUNAKAN METODA REACTIVE SPUTTERING. Lapisan tipis CuInS2 telah dipreparasi di atas Pyrex slide glass dengan menggunakan metoda reactive sputtering, dengan temperatur substrat 200-350°C dimana sebagai gas pereaksi digunakan CS2. Kecepatan pertumbuhannya adalah 0,5 — 1 pm/jam. Film kristal yang diperoleh mempunyai orientasi (112) sejajar dengan substrat.