<![CDATA[ Gallium Nitride (GaN) merupakan bahan semikonduktor dengan celah pita lebar, konduktivitas termal tinggi dan stabilitas kimia yang baik pada kondisi tertentu. Hal ini menjadikannya ideal untuk aplikasi dalam kondisi ekstrem. Dalam beberapa tahun terakhir, GaN nanowire telah muncul sebagai komponen penting dalam pengembangan sensor modern, berkat rasio permukaan terhadap volume yang tinggi. Hal ini memungkinkan aplikasi dalam analisis komposisi kimia, identifikasi biomolekul dan penginderaan tekanan. Peninjauan ini bertujuan untuk mengeksplorasi potensi GaN nanowire dalam mengatasi keterbatasan teknologi pengindraan saat ini, seperti sensitivitas, stabilitas, dan daya tahan yang rendah. Analisis mendalam terhadap karakteristik material dan kontribusi terbaru dalam literatur GaN nanowire, penelitian ini berupaya memberikan wawasan tentang implementasi dan efektivitas GaN nanowire dalam meningkatkan kinerja sensor di berbagai aplikasi, seperti industri, biomedis, dan lingkungan. Ke depannya, penelitian ini dapat memberikan rekomendasi berharga untuk pengembangan sensor yang lebih efisien dan inovatif, serta mendorong kemajuan dalam teknologi penginderaan di masa depan. Dari tinjauan literatur, temuan utama difokuskan pada ide-ide baru seperti rekayasa permukaan, pendekatan fabrikasi canggih, dan prinsip-prinsip teknik yang telah terbukti meningkatkan sensitivitas, waktu respons, dan ketergantungan operasi sensor GaN dasar. Hasilnya menunjukkan bahwa GaN menjanjikan untuk aplikasi sensor generasi mendatang, menawarkan kinerja yang unggul dan memperluas cakupan kemampuan deteksi yang tepat. ]]>
