Analisa Pergeseran Magnetic Domain Wall Pada Lapisan Tipis Free Layer CoFeB Untuk Sistem Spin-Valve Tunneling Magneto-Resistance (TMR) Sensor

Galih Setyawan (Jurusan Fisika, Fakultas MIPA, Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta, Indonesia Sekip Utara PO BOX BLS. 21 Yogyakarta 55281, Indonesia)
Edi Suharyadi (Jurusan Fisika, Fakultas MIPA, Universitas Gadjah Mada, Yogyakarta, Indonesia Sekip Utara PO BOX BLS. 21 Yogyakarta 55281, Indonesia)

Jurnal Fisika Indonesia
Vol 17, No 49 (2013)

Telah dilakukan analisa pergeseran magnetic domain wall pada lapisan tipis free layer CoFeB untuk sistem spin-valve Tunneling Magneto-Resistance (TMR). Analisa telah dilakukan dengan menggunakan software Object Oriented Micromagnetic Framework (OOMMF) berdasarkan persamaan Landau-Lifshitz Gilbert (LLG). Analisa pergeseran magnetic domain wall pada CoFeB yang mempunyai ukuran luas 120x100 nm2 dengan variasi ketebalan 1 dan 4 nm. Dari simulasi didapatkan hasil analisa pergeseran magnetic domain wall, histeresis loop dan energi dari sistem ferromagnetik (energy exchange dan demagnetisasi). Pada medan eksternal 299,9 Oersted CoFeB dengan ketebalan 1 nm nilai Mx/Ms adalah 0,99 dan pada ketebalan 4 nm nilai Mx/Ms adalah 0.93. Energi demagnetisasi mempunyai pola naik dengan bertambahnya medan luar dan energi exchange menurun dengan bertambahnya medan luar.