Pengaruh Waktu Deposisi dan Temperatur Substrat Terhadap Pembuatan Kaca Konduktif FTO (Fluorine doped Tin Oxide) [The Influence of Deposition Time and Substrate Temperature in Manufacturing Process of FTO (Fluorine doped Tin Oxide) Conductive Glass]

Tri Arini (Pusat Penelitian Metalurgi dan material)
Latifa Hanum Lalasari (Pusat Penelitian Metalurgi dan Material - LIPI Gedung 470 Kawasan Puspiptek - Serpong, Tangerang Selatan 15314)
Akhmad Herman Yuwono (Departemen Teknik Metalurgi dan Material – Universitas Indonesia Kampus Baru Universitas Indonesia – Depok 16424)
F Firdiyono (Pusat Penelitian Metalurgi dan Material - LIPI Gedung 470 Kawasan Puspiptek - Serpong, Tangerang Selatan 15314)
Lia Andriyah (Pusat Penelitian Metalurgi dan Material - LIPI Gedung 470 Kawasan Puspiptek - Serpong, Tangerang Selatan 15314)
Achmad Subhan (Pusat Penelitian Fisika - LIPI Kawasan Puspiptek - Serpong, Tangerang Selatan 15314)

Metalurgi
Vol 32, No 1 (2017): Metalurgi Vol. 32 No. 1 April 2017

Manufacturing FTO (fluorine-doped tin oxide) is expected to replace ITO (indium tin oxide) because the process is simple and relatively low cost. Tin chloride precursor with fluorine doping is prepared via sol-gel method with a coating process with spray pyrolisis technique can be considered as a new breakthrough in DSSC device structures. This experiment uses the raw material tin (II) chloride hydrate (SnCl2.2H2O) as precursors and ammonium fluoride (NH4F) as a doping ratio of 6% wt with variation in temperatures of 250, 300, 350, 400 °C and time resistivities of 5, 20, 30 and 40 minutes. The results showed that the longer deposition time decreasing value of conductive glass resistivity. This condition would reduce the value of transmittance. High transmittance and low resistivity obtained on the variation of deposition time 5 minutes with a substrate temperature of 300 °C with a resistivity value of 3.16 x 10-4 Ω.cm and transmittance value of 86.74%AbstrakPembuatan FTO (flourine-doped tin oxide) ini diharapkan dapat menggantikan fungsi ITO (indium tin oxide) karena proses pembuatan yang sederhana dan biaya yang relatif rendah. Prekursor timah klorida dengan doping flourine yang dipreparasi melalui metode sol-gel dengan proses pelapisan dengan teknik spray pyrolisis dapat dipertimbangkan sebagai suatu terobosan baru di dalam struktur device sel surya tersensitasi zat pewarna. Percobaan ini menggunakan bahan baku timah (II) klorida hidrat (SnCl2.2H2O) sebagai prekursor dan amonium florida (NH4F) sebagai doping dengan rasio 6 %berat dengan variasi temperatur 250, 300, 350, 400 °C dan dengan variasi waktu 5, 20, 30, dan 40 menit. Hasil percobaan menunjukkan bahwa semakin lama waktu deposisi maka akan semakin kecil nilai resistivitas kaca konduktif. Namun semakin lama waktu deposisi akan mengurangi nilai transmitansi. Pada percobaan ini menghasilkan transmitansi tinggi dan resistivitas rendah diperoleh pada variasi waktu deposisi 5 menit dengan temperatur substrat 300 °C dengan nilai resitivitas 3,16 x 10-4 Ω.cm dan nilai transmitansi 86,74%.