<![CDATA[Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui struktur kristal lapisan tipis, komposisi kimia, morfologi permukaan, sifat- sifat optik dan listrik lapisan tipis Sn(Se0,4 S0,6) . Preparasi bahan menggunakan teknik evaporasi termal, dengan jarak spacer 15 cm, tekanan vakum pada 4,0x10-5 mbar, waktu deposisi selama 8 menit. Karakterisasi dalam penelitian ini menggunakan XRD (X-ray diffraction) untuk mengetahui struktur Kristal,  komposisi kimia bahan semikonduktor diketahui dengan menggunakan EDS (energy dispersive X-ray spectroscoy), sifat listrik diketahui dengan four point probe (FPP) dan untuk mengetahui sifat optik  digunakan spektrofotometer UV-VIS. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa Sn(Se0,4 S0,6) memiliki struktur kristal orthorombik, dengan konstanta kisi a = 4.1186 Å; b = 11.4830 Å; c = 4.3192 Å. Hasil EDS menunjukkan bahwa perbandingan komposisi kimiab Sn: Se: S = 1: 0.47: 0.53. Bahan memiliki tipe-p dengan resistivitas sebesar 85,4 Ω cm. Pada pengukuran Spektrofotometer UV-VIS bahan mulai menyerap energi foton pada panjang gelombang 400 nm, bersesuaian dengan band gap sebesar 1,38 eV.  Kata kunci : Four Point Probe, Orthorhombic, Evaporasi]]>
Copyrights © 2015
