<![CDATA[Pada penelitian ini dirancang High efficiency Concurent Multiband RF Power Amplifier Class-E dengan teknologi CMOS 0.18um type N, yang beroperasi padafrekuensiGSM 900 MHz, GSM 1800 MHz, WIMAX 2300 Mhz, dan LTE 2600 Mhz, dengan menggunakan dua metode perancangan. Rancangan pertama menggunakan metode multiband Class-EPower Amplifier yang konvensional, dan perancangan kedua dengan menambahkan rangkaian Driver Stage untuk menghasilkan Insertion loss (S21) yang lebih besar. input matching dan output matching dirancang dengan menggunakan komponen lumped. Hasil dari perancangan ini diperoleh nilaiInsertion loss (S21) bernilai lebih besar dari 15 dB dan Return loss (S11) dibawah -15 dB, Tegangan supply 5 Volt, Power Added Efficiency >50%.]]>
Copyrights © 2012
