cover
Article Per Year (5 Year)
All
Home Page
OAI Link
Editorial Team
Contact
Reviewer
Google Scholar
Contact Name
-
Contact Email
-
Phone
-
Journal Mail Official
ganendra@batan.go.id
Editorial Address
Jl. Babarsari Kotak Pos 6101 ykbb, Yogyakarta 55281
Location
Kota adm. jakarta selatan,
Dki jakarta
INDONESIA
Ganendra: Majalah IPTEK Nuklir
Published by Badan Tenaga Nuklir Nasional
ISSN : 14106957     EISSN : 25035029     DOI : https://doi.org/10.17146/gnd
Core Subject : Science, Education,
Computer Science & IT Other
Jurnal Iptek Nuklir Ganendra merupakan jurnal ilmiah hasil litbang dalam bidang iptek nuklir, diterbitkan oleh Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan (PTAPB) - BATAN Yogyakarta. Frekuensi terbit dua kali setahun setiap bulan Januari dan Juli.
Arjuna Subject : -
Articles 5 Documents
 1 
Search results for , issue "Volume 5 Nomor 2 Juli 2002" : 5 Documents clear
KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi Wirjoadi; Yunanto Yunanto; Bambang Siswanto; Sri Sulamdari; Sudjatmoko Sudjatmoko
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 5 Nomor 2 Juli 2002
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (124.931 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2002.5.2.215

Abstract

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA. Telah dilakukan karakterisasi sifat-sifat optik lapisan tipis ZnO:Al pada substrat gelas untuk jendela sel surya dengan metode sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk memperoleh lapisan tipis ZnO:Al yang dapat digunakan sebagai bahan TCO (Transparent Conducting Oxide) untuk sel surya silikon amorf. Untuk mendapatkan lapisan tipis ZnO:Al dengan sifat optik optimum, proses deposisi dilakukan dengan beberapa variasi parameter, yaitu variasi konsentrasi campuran Al, suhu substrat, tekanan gas dan waktu deposisi. Berdasarkan hasil eksperimen yang telah dilakukan diperoleh hasil lapisan tipis ZnO:Al yang optimum pada kondisi suhu 450 oC, tekanan gas 6×10-2 torr dan lama waktu deposisi 1,5 jam. Dari pengukuran sifat-sifat optik (transmitansi) dengan UV-vis diperoleh hasil optimum pada suhu 450 oC. Pada kondisi ini transmitansinya sekitar (50-82) %, pada tekanan gas 6×10-2 torr sekitar (50-80) % dan pada waktu deposisi 1,5 jam sekitar (49-81) % yang semuanya pada posisi panjang gelombang (500-800) nm.. Untuk lapisan tipis ZnO diperoleh hasil transmitansi sekitar (78 - 80) % pada posisi panjang gelombang (500-800) nm. Hasil foto dengan SEM, untuk lapisan tipis ZnO diperoleh tebal lapisan sekitar 1,5 μm, morfologi permukaan dan butiran-butiran kecil terdistribusi secara homogen. Sedangkan untuk lapisan tipis ZnO:Al diperoleh tebal lapisan sekitar 1,3 μm dan morfologi permukaan yang terbentuk dengan butiran-butiran yang tidak seragam.
SEBARAN RADIOAKTIVITAS RADIONUKLIDA ALAM DAN FAKTOR AKUMULASINYA DALAM AIR, SEDIMEN DAN TANAMAN DI PERAIRAN SUNGAI DAN LAUT SURABAYA Agus Taftazani; Sumining Sumining; Muzakky Muzakky
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 5 Nomor 2 Juli 2002
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (120.341 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2002.5.2.216

Abstract

SEBARAN RADIOAKTIVITAS RADIONUKLIDA ALAM DAN FAKTOR AKUMULASINYA DALAM AIR, SEDIMEN DAN TANAMAN DI PERAIRAN SUNGAI DAN LAUT SURABAYA. Telah dilakukan analisis radioaktivitas beberapa sampel di beberapa lokasi perairan Surabaya. Sampel untuk penelitian berupa air laut dan air sungai, sedimen permukaan dasar perairan dan eceng gondok. Lokasi pengambilan cuplikan di sungai dan laut pesisir Surabaya yang ditetapkan secara terpilih (bertujuan khusus) di lima (5) titik. Air diuapkan, sedimen dibersihkan, dikeringkan dan dihaluskan; eceng gondok diabukan pada 500 oC kemudian ditentukan paparan radioaktivitas α, β dan γ-nya. Dari hasil penelitian dapat disimpulkan bahwa aktivitas cacah cuplikan lingkungan alam sangat rendah. Aktivitas gross β cuplikan air masih di bawah nilai ambang menurut Men KLH No. Kep.02/MENKLH/I/1988 sebesar 1000 mBq/L dan aktivitas α cuplikan air lebih tinggi dari batas ambang (100 mBq/L) dari SK Men KLH tersebut. Aktivitas paparan radiasi dalam cuplikan eceng gondok ternyata lebih tinggi daripada aktivitas cuplikan air dan sedimen yang menunjukkan adanya perpindahan radionuklida menurut jalur air-sedimen-biota dan terjadinya akumulasi radionuklida dalam organisme perairan. Hasil identifikasi radioisotop dengan teknik spektrometri-γ menunjukkan adanya 2 jenis radioisotop yang terdeteksi K-40 dan Tl-208 dalam beberapa cuplikan dan beberapa lokasi. Keberadaan radioisotop alam ini menunjukkan bahwa sampai saat pencuplikan dilakukan, perairan sungai dan pesisir Surabaya belum terkontaminasi oleh radionuklida buatan hasil fisi. Faktor distribusi FD pada umumnya < Faktor bioakumulasi FB.
PENGARUH SENYAWA PENGOTOR Ca DAN Mg PADA EFISIENSI PENURUNAN KADAR U DALAM AIR LIMBAH Ignatius Djoko Sardjono; Herry Poernomo
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 5 Nomor 2 Juli 2002
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (121.727 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2002.5.2.217

Abstract

PENGARUH SENYAWA PENGOTOR Ca DAN Mg PADA EFISIENSI PENURUNAN KADAR U DALAM AIR LIMBAH. Telah dilakukan penelitian pengolahan air limbah uranium yang mengandung senyawa pengotor Ca dan Mg dengan pertukaran ion. Penelitian secara eksperimental ini dilakukan dengan menggunakan kolom gelas berdiameter 1,1 cm yang diisi dengan 4 gram resin jenis Dowex 50W-X8(Na). Umpan yang berupa larutan uranium berkadar 100 ppm dengan pH= 4 dan pengotor Ca serta Mg yang kadarnya bervariasi dari 25, 50, 75 dan 100 ppm dialirkan ke dalam kolom resin dengan pompa masterflex dengan kecepatan alir tetap 2,5 ml/menit. Kadar efluen uranium yang keluar dari kolom resin dianalisis menggunakan spektrofotometer dengan memakai arsenazo sebagai pengompleks. Dari data kadar U yang masuk dan keluar dari kolom resin dapat ditentukan nilai penurunan efisiensi kadar U. Dari data penelitian diperoleh bahwa nilai penurunan efisiensi pemisahan kadar U yang dicapai dengan pengotor Ca dari 99,1% ke 92% sedangkan untuk pengotor Mg dari 97,8 % ke 94%.
PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-Si DAN Ag Yunanto Yunanto; Sudjatmoko Sudjatmoko; Trimardji Atmono; Wirjoadi Wirjoadi
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 5 Nomor 2 Juli 2002
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (478.961 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2002.5.2.213

Abstract

PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-Si DAN Ag. Telah dilakukan deposisi lopisan tipis a-Si dan Ag pada substrat kaca untuk lapisan reflektor dan lapisan untuk membuat sambungan P-N untuk sel surya. Penelitian ini bertujuan mendapatkan tahanan lapisan tipis a-Si dan refleksivitas lapisan tipis Ag yang optimal, sehingga akan dipereroleh sel surya yang mempunyai efisiensi lebih tinggi. Target Si dan Ag secara terpisah ditumbuki dengan ion Ar dalam tabung sputtering, sehingga atom Si dan Ag akan terdeposisi pada substrat kaca. Untuk mengetahui struktur kristal data lapisan tipis Si diamati dengan XRD, refleksivitas lapisan tipis Ag menggunakan UV-Vis dan tahanan lapisan tipis Si dengan multimeter digital. Dari hasil pengamatan diperoleh hasil bahwa lapisan tipis Si menunjukkan amorf, refleksivitas tertinggi lapisan tipis Ag 78 % dan tahanan terkecil lapisan tipis a-Si: 77 mega Ohm.
EFEK IMPLANTASI ION Mg DAN Y TERHADAP SIFAT KETAHANAN OKSIDASI MATERIAL MA 956 Tjipto Sujitno; Lely Susita; Suprapto Suprapto
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 5 Nomor 2 Juli 2002
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (627.954 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2002.5.2.214

Abstract

EFEK IMPLANTASI ION Mg DAN Y TERHADAP SIFAT KETAHANAN OKSIDASI MATERIAL MA 956. Dalam makalah ini disajikan hasil penelitian tentang pengaruh implantasi ion Magnesium dan Yttrium terhadap sifat ketahanan oksidasi material MA 956. Untuk maksud tersebut material MA 956 diimplantasi dengan ion Magnesium dan Yttrium pada doses Ion 1 x 1017 ion/cm2 dan pada energi 100 keV. Untuk mengetahui pengaruh sifat ketahanan oksidasinya, sampel dipanasi pada temperatur 1100 oC dalam udara yang mengandung oksigen selama 100 jam dengan menggunakan TGA (Thermogravitymetry). Disamping itu juga telah dilakukan analisa struktur mikro menggunakan SEM dan analisa komposisi kimia menggunakan EDX, dari pengujian yang telah dilakukan diperoleh hasil bahwa untuk benda uji yang tanpa diimplantasi, untuk benda uji yang diimplantasi dengan ion Magnesium dan dengan ion Yttrium dengan waktu oksidasi 100 jam, laju oksidasinya masing-masing sekitar 0.54 mg/cm2., 0,48 mg/cm2 dan 0,40 mg/cm2. Sedangkan dari analisa struktur mikro potongan melintang terlihat bahwa ketebalan lapisan oksida masing-masing adalah sekitar 0 67μm. 0,3μm dan 0,25μm. Dari hasil tersebut dapat disimpulkan bahwa dengan adanya implantasi elemen reakif Magnesium maupun Yttrium mampu menghambat laju oksidasi dari 0,54 mg/cm2 menjadi 0,48 mg/cm2 untuk material yang diimplantasi dengan ion Magnesium dan dari 0,54 mg/cm2, meyadi 0,40 mg/cm2 untuk materialyang diimplantasi dengan ion Yttrium.

Page 1 of 1 | Total Record : 5

 1 

Filter by Year

2002 2002


Reset
Filter By Issues
All Issue Volume 26 Nomor 2, 2023 Volume 26 Nomor 1, 2023 Volume 24 Nomor 2 Juli 2021 Volume 24 Nomor 1 Januari 2021 Volume 23 Nomor 2 Juli 2020 Volume 23 Nomor 1 Januari 2020 Volume 22 Nomor 2 Juli 2019 Volume 22 Nomor 1 Januari 2019 Volume 21 Nomor 2 Juli 2018 Volume 21 Nomor 1 Januari 2018 Volume 20 Nomor 2 Juli 2017 Volume 20 Nomor 1 Januari 2017 Volume 19 Nomor 2 Juli 2016 Volume 19 Nomor 1 Januari 2016 Vol 18, No.2 (2015) Volume 18 Nomor 1 Januari 2015 Volume 17 Nomor 2 Juli 2014 Volume 17 Nomor 1 Januari 2014 Volume 16 Nomor 2 Juli 2013 Volume 16 Nomor 1 Januari 2013 Volume 15 Nomor 2 Juli 2012 Volume 15 Nomor 1 Januari 2012 Volume 14 Nomor 2 Juli 2011 Volume 14 Nomor 1 Januari 2011 Volume 13 Nomor 2 Juli 2010 Volume 13 Nomor 1 Januari 2010 Volume 12 Nomor 2 Juli 2009 Volume 12 Nomor 1 Januari 2009 Volume 11 Nomor 2 Juli 2008 Volume 11 Nomor 1 Januari 2008 Volume 10 Nomor 2 Juli 2007 Vomor 10 Nomor 1 Januari 2007 Volume 9 Nomor 2 Juli 2006 Volume 9 Nomor 1 Januari 2006 Volume 8 Nomor 2 Juli 2005 Volume 8 Nomor 1 Januari 2005 Volume 7 Nomor 2 Juli 2004 Volume 7 Nomor 1 Januari 2004 Volume 6 Nomor 2 Juli 2003 Volume 6 Nomor 1 Januari 2003 Volume 5 Nomor 2 Juli 2002 Volume 5 Nomor 1 Januari 2002 More Issue