<![CDATA[PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-Si:H) UNTUK BAHAN SEL SURYA. Telah dilakukan pembuatan lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) untuk bahan sel surya. Lapisan tipis silikon amorf telah diketahui dan dapat dibuat, akan tetapi bahan lapisan tipis tersebut tidak dapat dimanfaatkan sebagai piranti elektronik. Pengontrolan valensi semi konduktor telah membuka jalan untuk pemanfaatan bahan tersebut untuk piranti-piranti elektro-nik terutama untuk piranti lapisan tipis photovoltaic, karena piranti photovoltaic seperti sel surya membutuhkan luasan aktif yang sangat besar untuk pengumpulan energi surya. Dalam penelitian ini deposisi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) dilakukan dengan metode sputtering pada beberapa variasi parameter, yaitu suhu substrat, tekanan gas dan lama waktu deposisi untuk mendapatkan sifat listrik, terutama nilai resistivitas lapisan optimum. Berdasarkan perhitungan dan analisa data pengukuran dengan probe empat titik, maka lapisan tipis silikon amorf diperoleh hasil nilai resistansi sebesar R = (1,68 ± 0,02) MΩ, nilai resistivitas ρ = (1,80 ± 0,05) Ωm dan nilai konduktivitas σ = (0,57 ± 0,02) Ω-1m-1, yang ini diperoleh pada kondisi suhu 300 oC, tekanan gas 7 x 10-2 torr, waktu deposisi 1,5 jam. Sedangkan hasil untuk lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) diperoleh nilai resistansi optimum sebesar R = 1349,66 MΩ, pada suhu 300 oC, tekanan gas 3,8 x 10-2 torr dan waktu deposisi 1,5 jam.]]>
