Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Indonesian Journal of Mathematics and Natural Sciences
P Marwoto
Jurusan Fisika, FMIPA, Universitas Negeri Semarang, Indonesia
Mathematics

Published : 4 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 4 Documents
Search

 1 
MOBILITAS PEMBAWA MUATAN PADA OFET (ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR) BERBASIS FILM TIPIS -, Sujarwata; Marwoto, P
Jurnal MIPA Vol 36, No 2 (2013): October 2013
Publisher : Jurnal MIPA

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Abstrak __________________________________________________________________________________________ Tujuan penelitian ini adalah pembuatan dan karakterisasi pada OFET (Organic Field Effect Transistor) berbasis film tipis dengan struktur bottom-contact. Pembuatan OFET dilakukan dengan cara pencucian substrat dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan deposisi elektroda source dan drain di atas substrat SiO2 dengan metode  penguapan hampa udara pada suhu ruang dan teknik lithography. Selanjutnya dilakukan deposisi film tipis CuPc diantara source (S) dan drain (D) sebagai panjang saluran (channel) dan diakhiri dengan deposisi elektrode gate (G). Karakterisai OFET berbasis film tipis dilakukan dengan El-Kahfi 100, untuk menentukan karakteristik keluaran V-I. Hasil karakterisasi OFET dengan panjang channel (L) 100 μm dan lebar (W) 1 mm, mempunyai daerah aktif, yaitu: 2,80 V sampai dengan 3,42. Mobilitas pembawa muatan OFET untuk daerah saturasi, µ = 0,00182278 cm2 /Vs dan untuk daerah linier, µ = 0,000343818  cm2 /Vs   Abstract __________________________________________________________________________________________ The purpose of this research is to produce and characterize the OFET (Organic Field Effect Transistor) based on thin film with bottom-contact structure. The OFET production consists of the substract wash by using ethanol in the ultrasonic cleaner, then electrode deposition of source and drain on the SiO2 substract by using vacuum evaporation in the room temperature and lithography technique.  Then, the deposition of thin film of CuPc between source (S) and drain (D) was done as the channel length and ended with electrode gate (G) deposition. The OFET characterization  with channel length (L)  100 μm and wide (W) 1 mm  obtained the active area of 2,80 - 3,42 v. While the mobility of OFET charge carrier  obtained µ =  0,00182278 cm2 /Vs for the saturation area and µ = 0,000343818  cm2 /Vs for linier area.
PENGARUH TEMPERATUR ANNEALING PADA SIFAT LISTRIK FILM TIPIS ZINC OKSIDA DOPING ALUMINIUM OKSIDA Sugianto, S; Zannah, R; Mahmudah, S N; Astuti, B; D.P, N M; Wibowo, A A; Marwoto, P; Ariyanto, D; Wibowo, E
Jurnal MIPA Vol 39, No 2 (2016): October 2016
Publisher : Jurnal MIPA

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Penumbuhan film tipis zinc oksida di-doping aluminium oksida dengan variasi temperatur annealing menggunakan metode dc magnetron sputtering telah berhasil dilakukan. Pengaruh variasi temperature annealing pada struktur dan sifat listrik film tipis telah dipelajari dengan menggunakan XRD dan I-V meter. Berdasarkan karakterisasi XRD, film tipis yang dihasilkan memiliki struktur wurtzite dengan orientasi yang dominan adalah (002). Penambahan temperatur annealing pada proses penumbuhan meningkatkan intensitas orientasi (002). Selanjutnya analisis sifat listrik menggunakan I-V meter. Film tipis zinc oksida di-doping Al  pada temperatur annealing 300°C memiliki nilai resitivitas yang optimum yaitu 2,89 x 102  Wcm. Hal tersebut konsisten dengan hasil XRD yang menyatakan bahwa film tipis zinc oksida yang di doping  dengan  aluminium oksida pada temperature 300°C memiliki ukuran kristal yang semakin besar, kompak dan homogen.Growth of zinc oxide doped aluminum oxide thin film with annealing temperature variation using dc magnetron sputtering method has been done. Effect of annealing temperature variations on the structure and electrical properties of thin films has studied using XRD and I-V meter. According to XRD characterization, thin film was obtained has wurtzite structure with dominant orientation is (002). Increasing of annealing temperature on the growth process was increased the intensity of orientation (002). Furthermore, the electrical properties were measured using I-V meter.  Zinc oxide doped Al thin film shows the optimum resistivity around of 2.89 x 102 Wcm when the annealing temperature of 300 °C. This is consistent with XRD results which is the Zinc oxide doped aluminum oxide thin has a crystal size is getting bigger, dense, and homogeneous at annealing temperature 300°C.
PENGARUH TEMPERATUR ANNEALING PADA SIFAT LISTRIK FILM TIPIS ZINC OKSIDA DOPING ALUMINIUM OKSIDA Sugianto, S; Zannah, R; Mahmudah, S N; Astuti, B; D.P, N M; Wibowo, A A; Marwoto, P; Ariyanto, D; Wibowo, E
Indonesian Journal of Mathematics and Natural Sciences Vol 39, No 2 (2016): October 2016
Publisher : Universitas Negeri Semarang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Penumbuhan film tipis zinc oksida di-doping aluminium oksida dengan variasi temperatur annealing menggunakan metode dc magnetron sputtering telah berhasil dilakukan. Pengaruh variasi temperature annealing pada struktur dan sifat listrik film tipis telah dipelajari dengan menggunakan XRD dan I-V meter. Berdasarkan karakterisasi XRD, film tipis yang dihasilkan memiliki struktur wurtzite dengan orientasi yang dominan adalah (002). Penambahan temperatur annealing pada proses penumbuhan meningkatkan intensitas orientasi (002). Selanjutnya analisis sifat listrik menggunakan I-V meter. Film tipis zinc oksida di-doping Al  pada temperatur annealing 300°C memiliki nilai resitivitas yang optimum yaitu 2,89 x 102  Wcm. Hal tersebut konsisten dengan hasil XRD yang menyatakan bahwa film tipis zinc oksida yang di doping  dengan  aluminium oksida pada temperature 300°C memiliki ukuran kristal yang semakin besar, kompak dan homogen.Growth of zinc oxide doped aluminum oxide thin film with annealing temperature variation using dc magnetron sputtering method has been done. Effect of annealing temperature variations on the structure and electrical properties of thin films has studied using XRD and I-V meter. According to XRD characterization, thin film was obtained has wurtzite structure with dominant orientation is (002). Increasing of annealing temperature on the growth process was increased the intensity of orientation (002). Furthermore, the electrical properties were measured using I-V meter.  Zinc oxide doped Al thin film shows the optimum resistivity around of 2.89 x 102 Wcm when the annealing temperature of 300 °C. This is consistent with XRD results which is the Zinc oxide doped aluminum oxide thin has a crystal size is getting bigger, dense, and homogeneous at annealing temperature 300°C.
MOBILITAS PEMBAWA MUATAN PADA OFET (ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR) BERBASIS FILM TIPIS -, Sujarwata; Marwoto, P
Indonesian Journal of Mathematics and Natural Sciences Vol 36, No 2 (2013): October 2013
Publisher : Universitas Negeri Semarang

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Abstrak __________________________________________________________________________________________ Tujuan penelitian ini adalah pembuatan dan karakterisasi pada OFET (Organic Field Effect Transistor) berbasis film tipis dengan struktur bottom-contact. Pembuatan OFET dilakukan dengan cara pencucian substrat dengan etanol dalam ultrasonic cleaner, kemudian dilakukan deposisi elektroda source dan drain di atas substrat SiO2 dengan metode  penguapan hampa udara pada suhu ruang dan teknik lithography. Selanjutnya dilakukan deposisi film tipis CuPc diantara source (S) dan drain (D) sebagai panjang saluran (channel) dan diakhiri dengan deposisi elektrode gate (G). Karakterisai OFET berbasis film tipis dilakukan dengan El-Kahfi 100, untuk menentukan karakteristik keluaran V-I. Hasil karakterisasi OFET dengan panjang channel (L) 100 μm dan lebar (W) 1 mm, mempunyai daerah aktif, yaitu: 2,80 V sampai dengan 3,42. Mobilitas pembawa muatan OFET untuk daerah saturasi, µ = 0,00182278 cm2 /Vs dan untuk daerah linier, µ = 0,000343818  cm2 /Vs   Abstract __________________________________________________________________________________________ The purpose of this research is to produce and characterize the OFET (Organic Field Effect Transistor) based on thin film with bottom-contact structure. The OFET production consists of the substract wash by using ethanol in the ultrasonic cleaner, then electrode deposition of source and drain on the SiO2 substract by using vacuum evaporation in the room temperature and lithography technique.  Then, the deposition of thin film of CuPc between source (S) and drain (D) was done as the channel length and ended with electrode gate (G) deposition. The OFET characterization  with channel length (L)  100 μm and wide (W) 1 mm  obtained the active area of 2,80 - 3,42 v. While the mobility of OFET charge carrier  obtained µ =  0,00182278 cm2 /Vs for the saturation area and µ = 0,000343818  cm2 /Vs for linier area.
Co-Authors A A Wibowo, A A B Astuti, B D Ariyanto, D E Wibowo, E N M D.P, N M R Zannah, R S N Mahmudah, S N Sugianto - Sujarwata -