Garuda - Garba Rujukan Digital

Article Per Year (5 Year)

p-Index From 2021 - 2026

0.562

P-Index

This Author published in this journals

All Journal JMM (Jurnal Masyarakat Mandiri) Jurnal Teknik Elektro Uniba (JTE Uniba) POLIGRID

Sunu Pradana

Politeknik Negeri Samarinda

Author-ID : 3342834

Computer Science & IT Control & Systems Engineering Electrical & Electronics Engineering Energy Industrial & Manufacturing Engineering Other

Published : 5 Documents Claim Missing Document

Claim Missing Document

Articles

Title

Rancang Bangun Modul Praktikum Penggunaan Fotovoltaik Andhika Wijayanto; Khairuddin Karim; Sunu Pradana
PoliGrid Vol 1, No 2 (2020): Desember
Publisher : Politeknik Negeri Samarinda

Abstrak- Peralatan yang umum digunakan untuk pengujian kinerja sel fotovoltaik adalah simulator surya. Rancang bangun modul simulator surya ini berguna sebagai media pembelajaran. Simulator surya ini digunakan sebagai perangkat untuk menggantikan matahari sebagai sumber cahaya alami untuk penyinaran fotovoltaik dengan kondisi laboratorium. Pada perancangan ini dibangun sebuah sistem simulator surya berbasis lampu LED dengan pengendali Arduino. Dengan LED yang digunakan berjenis LED daya tinggi dengan beberapa jenis warna LED, memungkinkan intensitas yang dihasilkan lebih besar dibanding LED indikator dan untuk membandingkan pengaruh setiap spektrum warna terhadap daya keluaran dari fotovoltaik. Berdasarkan hasil pengujian modul simulator surya untuk penggunaan fotovoltaik ini, daya yang dihasilkan terhadap modul fotovoltaik 10 WP pada penyinaran maksimal LED yaitu tegangan rangkaian terbuka dapat mencapai 18 V dan arus hubung singkat adalah 42 mA.

Rancang Bangun Modul Praktikum Penggunaan Bipolar Junction Transistor Sebagai Sakelar Berbasis Arduino Mega Zeka Wijaya Kusuma; Sunu Pradana; Abdul Hamid Kurniawan
PoliGrid Vol 1, No 1 (2020): Juni
Publisher : Politeknik Negeri Samarinda

Abstrak- BJT (Bipolar Junction Transistor) sebagai sakelar adalah salah satu pokok bahasan pada mata kuliah elektronika daya dan membutuhkan modul praktikum sebagai media dalam proses pembelajarannya. Modul praktikum yang sudah ada relatif kompleks sehingga penulis membuat rancang bangun yang lebih sederhana sehingga mudah untuk diperbaiki saat terjadi kerusakan serta komponen penggantinya mudah untuk ditemukan. BJT dapat berfungsi sebagai sakelar dengan memanfaatkan dua modenya yaitu saturation dan cut off. Pada perancangan modul, penyakelaran dikendalikan oleh Arduino Mega dengan sinyal PWM (Pulse Width Modulation) pada terminal basis, baik BJT NPN maupun BJT PNP. Berdasarkan pengujian saat cut off untuk BJT NPN dan BJT PNP pada beban resistor maupun resistor dengan induktor, nilai tegangan beban 0 V dan arus beban 0,003 A. sedangkan saat saturation pada beban resistor untuk BJT NPN, nilai tegangan beban 11,45 V dan arus beban 0,572 A dan BJT PNP, nilai tegangan beban 11,45 V dan arus beban 0,573 A. pada beban resistor dengan induktor untuk BJT NPN, nilai tegangan beban 11,81 V dan arus beban 0,122 A dan BJT PNP, nilai tegangan beban 11,79 V dan arus beban 0,121 A.

Rancang Bangun Sistem Alat Praktikum MOSFET di Laboratorium Elektronika Daya Novan Ernado Wijanarko; Sunu Pradana; Erry Yadie
PoliGrid Vol 2, No 2 (2021): Desember
Publisher : Politeknik Negeri Samarinda

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) merupakan salah satu bahasan pada mata kuliah elektronika daya yang digunakan sebagai sakelar. Untuk menunjang proses pembelajaran maka diperlukan suatu alat praktikum. Alat praktikum komersial yang sudah ada memiliki sistem yang cukup kompleks dan alat praktikum penyakelaran elektronik yang telah dirancang terdapat masalah, sehingga dilakukan perancangan alat praktikum yang lebih sederhana dan mudah dalam melakukan perbaikan. MOSFET sebagai sakelar menggunakan dua wilayah mode operasi yaitu cut off dan ohmic. Perancangan alat praktikum MOSFET menggunakan pengendali Arduino Mega dengan pengontrolan tegangan gate menggunakan metode Pulse Width Modulation (PWM). Dari hasil pengujian dengan sistem keseluruhan pada N-MOSFET dan P-MOSFET saat cut off, nilai tegangan dan arus beban bernilai 0. Sedangkan saat ohmic dengan beban resistor 20 Ω, untuk N-MOSFET tegangan beban 11,39 V dan arus 0,577 A, sedangkan untuk P-MOSFET tegangan beban 11,12 V dan arus 0,563 A. Pada beban resistor 100 Ω dan induktor 51,5 mH, untuk N-MOSFET tegangan beban 11,97 V dan arus 0,123 A, sedangkan P-MOSFET tegangan beban 11,83 V dan arus 0,122 A. Masalah pada alat praktikum yang telah dirancang adalah waktu eksekusi program. Waktu eksekusi sebelum dilakukan perbaikan program sebesar 95-97 ms. Setelah dilakukan perbaikan program waktu eksekusi sebesar 58-60 ms.

Co-Authors Abdul Hamid Kurniawan Andhika Wijayanto Erry Yadie Khairuddin Karim Novan Ernado Wijanarko Onglan Nainggolan Prihadi Murdiyat Zeka Wijaya Kusuma

Title Search

Found 3 Documents Search Journal : POLIGRID

Abstract

Abstract

Abstract

Title

Found 3 Documents
Search
Journal : POLIGRID