Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal PROSIDING SEMINAR NASIONAL FISIKA (E-JOURNAL)
Dea Widiawati
Unknown Affiliation
Electrical & Electronics Engineering Energy Physics Other

Published : 5 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 5 Documents
Search

 1 
ENERGY GAP ANALYSIS OF BA0.25SR0.75TIO3 THIN FILM ON GLASS INDIUM TIN OXIDE (ITO) SUBSTRATE Rony Febryarto; Novia Fransiska Simbolon; Dea Widiawati; Naila Nur Alifa; Irzaman
Joint Prosiding IPS dan Seminar Nasional Fisika Vol. 14 No. 1 (2026): Joint Prosiding IPS dan Seminar Nasional Fisika
Publisher : Program Studi Pendidikan Fisika dan Program Studi Fisika Universitas Negeri Jakarta, LPPM Universitas Negeri Jakarta, HFI Jakarta, HFI

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.21009/03.1401.FA05

Abstract

Ba₀.₂₅Sr₀.₇₅TiO₃ (BST) thin films were fabricated on indium tin oxide (ITO) glass substrates using the chemical solution deposition (CSD) method followed by annealing. The objective of this work was to investigate the effect of Ruthenium (Ru) doping on the optical properties, particularly the band gap energy, of BST thin films. Optical characterization was carried out using UV–Vis spectrophotometry in the wavelength range of 230–850 nm. The results revealed that Ru doping effectively modified the electronic structure of BST, leading to a progressive reduction in band gap energy. On silicon substrates, the band gap decreased from 3.363 eV (undoped) to 1.568 eV (1.5% Ru), while on ITO substrates it decreased from 2.116 eV to 1.698 eV for the same doping level. This decreasing trend indicates that Ru introduces localized states or defect levels within the BST structure, facilitating electronic transitions at lower photon energies. The tunability of the band gap is highly significant for optoelectronic applications. A narrower band gap enhances light absorption in the visible region, which is beneficial for devices such as solar cells, photodetectors, optical sensors, and smart windows. Furthermore, the compatibility of BST with transparent conducting oxides such as ITO strengthens its potential forintegration into multifunctional and energy-efficient devices. In summary, this study demonstrates that Ruthenium doping provides a promising route to tailor the band gap of BST thin films, thereby expanding their applicability in next-generation optoelectronic technologies.
ANALISIS CELAH ENERGI PADA FILM TIPIS Ba0,375Sr0,625TiO3 DI ATAS SUBSTRAT KACA INDIUM TIN OXIDE (ITO) DAN SUBSTRAT SI (100) TIPE P Muhammad Izatul Al Fajar; Novia Fransiska Simbolon; Dea Widiawati; Renny Apriani Dwika Saputri; Habibah Assa’addah; Irzaman
Joint Prosiding IPS dan Seminar Nasional Fisika Vol. 14 No. 1 (2026): Joint Prosiding IPS dan Seminar Nasional Fisika
Publisher : Program Studi Pendidikan Fisika dan Program Studi Fisika Universitas Negeri Jakarta, LPPM Universitas Negeri Jakarta, HFI Jakarta, HFI

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.21009/03.1401.FA09

Abstract

Film tipis Ba0,375Sr0,625TiO3 berhasil difabrikasi pada substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dan substrat Silikon(100) tipe-P menggunakan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan larutan prekursor berkonsentrasi 0,5 M. Proses pelapisan dilakukan melalui teknik spin coating pada kecepatan 3000 rpm, diikuti dengan proses annealing pada suhu 550 °C dengan laju pemanasan 100 °C per jam selama 16 jam, kemudian didinginkan secara bertahap hingga suhu kamar. Substrat kaca ITO yang digunakan memiliki ketebalan 1,1 mm dan resistivitas sekitar 20 ohm per kuadrat, sedangkan substrat Si(100) tipe-P memiliki resistivitas sekitar 10 ohm per kuadrat. Sifat optik film tipis dikarakterisasi menggunakan spektrofotometer UV-Vis pada rentang panjang gelombang 230 hingga 850 nm. Hasil pengukuran menunjukkan nilai celah pita energi sebesar 1,57 eV pada substrat ITO dan 2,51 eV pada substrat Si(100) tipe-P. Analisis celah pita dari film tipis Ba0,375Sr0,625TiO3 pada kedua jenis substrat ini penting dilakukan karena material tersebut berpotensi sebagai kandidat utama untuk aplikasi sensor tekanan di masa mendatang.
ANALISIS ENERGI GAP FILM TIPIS Ba0,625Sr0,375TiO3 DI ATAS SUBSTRAT KACA INDIUM TIN OXIDE (ITO) DAN SUBSTRAT Si (100) TIPE-P Ayu Bonita Pertiwi Harianja; Ira Saira; Novia Fransiska Simbolon; Dea Widiawati; Renny Apriani Dwika Saputri; Habibah Assa’addah; Irzaman
Joint Prosiding IPS dan Seminar Nasional Fisika Vol. 14 No. 1 (2026): Joint Prosiding IPS dan Seminar Nasional Fisika
Publisher : Program Studi Pendidikan Fisika dan Program Studi Fisika Universitas Negeri Jakarta, LPPM Universitas Negeri Jakarta, HFI Jakarta, HFI

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.21009/03.1401.FA12

Abstract

Lapisan tipis Ba0,625Sr0,375TiO3 di atas substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dan Substrat Si (100) Tipe P telah berhasil dibuat dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan kelarutan 0,5 M yang dibantu dengan spin coating 3000 rpm, dan annealing pada temperatur 550℃ dengan kelajuan suhu 100 ℃/jam yang ditahan selama 16 jam dan suhu pendinginan hingga suhu kamar. Substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dengan ketebalan kaca 1,1 mm dan resistivitas ~20 ohm/sq dan resistivitas Si tipe-P ~10 ohm/sq. Lapisan tipis ini diuji sifat optiknya menggunakan Spektrofotometer UV-Vis dengan rentang 230- 850 nm dan menghasilkan celah energi sebesar 2,89 eV di atas substrat ITO dan celah energi sebesar 2,42 eV di atas substrat Si (100) tipe P. Analisis celah energi film tipis Ba0,625Sr0,375TiO3 di atas substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dan di atas substrat Si (100) tipe P sangat penting dilakukan karena film ini merupakan cikal bakal sensor suhu.
ANALISIS CELAH ENERGI LAPISAN TIPIS BA0,75SR0,25TIO3 DI ATAS SUBSTRAT KACA INDIUM TIN OXIDE (ITO) DAN SUBSTRAT SI (100) TIPE-P Kinanthi Freda Bhanuwati; Ajat Sudrajat; Novia Fransiska Simbolon; Dea Widiawati; Renny Apriani Dwika Saputri; Habibah Assa’addah; Irzaman
Joint Prosiding IPS dan Seminar Nasional Fisika Vol. 14 No. 1 (2026): Joint Prosiding IPS dan Seminar Nasional Fisika
Publisher : Program Studi Pendidikan Fisika dan Program Studi Fisika Universitas Negeri Jakarta, LPPM Universitas Negeri Jakarta, HFI Jakarta, HFI

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.21009/03.1401.FA13

Abstract

Lapisan tipis Ba0,75Sr0,25TiO3 pada substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dan Substrat Si (100) Tipe-P telah berhasil dibuat dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan kelarutan 0,5 M yang dibantu dengan spin coating 3000 rpm, dan annealing pada suhu 550 ℃ dengan kelajuan suhu 100 ℃/jam yang ditahan selama 16 jam dan suhu pendinginan hingga suhu kamar. Substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dengan ketebalan kaca 1,1 mm. Lapisan tipis ini diuji sifat optiknya menggunakan Spektrofotometer UV-Vis dengan rentang 230 – 800 nm menghasilkan celah energi sebesar 2,84 eV di atas substrat Indium Tin Oxide (ITO) dan menghasilkan celah energi sebesar 2,24 eV di atas substrat Si (100) Tipe-P. Analisis celah energi pada lapisan tipis Ba0,75Sr0,25TiO3 pada substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dan di atas substrat Si (100) Tipe-P sangat penting karena lapisan ini merupakan cikal bakal sensor tekanan.
ANALISIS ENERGI GAP FILM TIPIS Ba0,875Sr0,125TiO3 DI ATAS SUBSTRAT KACA INDIUM TIN OXIDE (ITO) DAN SUBSTRAT Si (100) TIPE-P Ahmad Fakhrudin; Sarmilah; Novia Fransiska Simbolo; Dea Widiawati; Renny Apriani Dwika Saputri; Habibah Assa’addah; Irzaman
Joint Prosiding IPS dan Seminar Nasional Fisika Vol. 14 No. 1 (2026): Joint Prosiding IPS dan Seminar Nasional Fisika
Publisher : Program Studi Pendidikan Fisika dan Program Studi Fisika Universitas Negeri Jakarta, LPPM Universitas Negeri Jakarta, HFI Jakarta, HFI

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.21009/03.1401.FA15

Abstract

Lapisan tipis Ba0,875Sr 0,125TiO3 di atas substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dan Substrat Si (100) Tipe-P telah berhasil dibuat dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dengan kelarutan 0,5 M yang dibantu dengan spin coating 3000 rpm, dan annealing pada temperatur 550 ℃ dengan kelajuan suhu 100 ℃/jam yang ditahan selama 16 jam dan suhu pendinginan hingga suhu kamar. Substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dengan ketebalan kaca 1,1 mm, resistivitas ~20 ohm/sq dan resistivitas Si Tipe-P ~10 ohm/sq. Lapisan tipis ini diuji sifat optiknya menggunakan Spektrofotometer UV-Vis dengan rentang 230-850 nm dan menghasilkan celah energi sebesar 2,06 eV di atas substrat ITO dan celah energi sebesar 2,4 eV di atas substrat Si (100) Tipe-P. Analisis celah energi film tipis Ba0,875Sr 0,125TiO3 di atas substrat kaca Indium Tin Oxide (ITO) dan di atas substrat Si (100) Tipe-P sangat penting dilakukan karena film ini merupakan cikal bakal sensor cahaya.
Co-Authors Ahmad Fakhrudin Ajat Sudrajat Ayu Bonita Pertiwi Harianja Habibah Assa’addah Ira Saira Irzaman, Irzaman Kinanthi Freda Bhanuwati Muhammad Izatul Al Fajar Naila Nur Alifa Novia Fransiska Simbolo Novia Fransiska Simbolon Renny Apriani Dwika Saputri Rony Febryarto Sarmilah