<![CDATA[STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS AlxGa1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD. Film tipis AlxGa1-xN telah ditumbuhkan di atas substrat Si tipe-p dengan menggunakan teknik PA-MOCVD. Film tipis AlxGa1-xN ditumbuhkan dengan parameter-parameter: suhu substrat, laju alir N2, TMGa dan TMAl berturut-turut sebesar 700 oC; 90 sccm; 0,1 sccm dan 0,01sccm hingga 0,04 sccm. Film polikristal AlxGa1-xN yang ditumbuhkan mempunyai struktur heksagonal dengan bidang difraksi dominan (1010) dan (1011) hingga konsentrasi Al sebesar 6,78%. Diperoleh nilai kekasaran permukaan film dari pengukuran SPM pada range 11,44 nm sampai dengan 27,20 nm. Morfologi permukaan film semakin halus dengan peningkatan konsentrasi Al pada film. Penurunan nilai konstanta kisi hasil pengujian XRD terjadi karena kekosongan nitrogen pada film. Peningkatan konsentrasi Al pada film menyebabkan penurunan laju penumbuhan film tipis AlxGa1-xN yang terbentuk.]]>
Copyrights © 2006
