Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Sains Materi Indonesia
Sukirno Sukirno
Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132
Materials Science & Nanotechnology

Published : 2 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 2 Documents
Search

 1 
STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS AlxGa1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD Heri Sutanto; Agus Subagio; Edy Supriyanto; Pepen Arifin; Sukirno Sukirno; Maman Budiman; Moehamad Barmawi
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (292.957 KB) | DOI: 10.17146/jusami.2006.0.0.5183

Abstract

STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS AlxGa1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD. Film tipis AlxGa1-xN telah ditumbuhkan di atas substrat Si tipe-p dengan menggunakan teknik PA-MOCVD. Film tipis AlxGa1-xN ditumbuhkan dengan parameter-parameter: suhu substrat, laju alir N2, TMGa dan TMAl berturut-turut sebesar 700 oC; 90 sccm; 0,1 sccm dan 0,01sccm hingga 0,04 sccm. Film polikristal AlxGa1-xN yang ditumbuhkan mempunyai struktur heksagonal dengan bidang difraksi dominan (1010) dan (1011) hingga konsentrasi Al sebesar 6,78%. Diperoleh nilai kekasaran permukaan film dari pengukuran SPM pada range 11,44 nm sampai dengan 27,20 nm. Morfologi permukaan film semakin halus dengan peningkatan konsentrasi Al pada film. Penurunan nilai konstanta kisi hasil pengujian XRD terjadi karena kekosongan nitrogen pada film. Peningkatan konsentrasi Al pada film menyebabkan penurunan laju penumbuhan film tipis AlxGa1-xN yang terbentuk.
PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mursal Mursal; I. Usman; T. Winata; Sukirno Sukirno; M. Barmawi
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (838.742 KB) | DOI: 10.17146/jusami.2006.0.0.4936

Abstract

PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK. Lapisan tipis a-SiGe-H telah berhasil ditumbuhkan dengan metode PECVD dan HWC-PECVD pada laju aliran gas GeH4 yang berbeda. Lapisan ditumbuhkan di atas substrat gelas corning 7059 dengan menggunakan campuran gas SiH4 dan GeH4, masing-masing dengan konsentrasi 10% dalam gas H2. Laju aliran gas GeH4 divariasikan dari 1 sccm hingga 3,5 sccm, sedangkan laju aliran gas SiH4 70 sccm. Hasil penelitian menunjukkan bahwa lapisan tipis a-SiGe-H yang ditumbuhkan dengan metode HWC-PECVD memiliki koefisien absorpsi yang lebih tinggi dibandingkan dengan lapisan yang ditumbuhkan dengan metode PECVD. Celah pita optik lapisan tipis a-SiGe-H, baik yang ditumbuhkan dengan PECVD maupun HWC-PECVD menyempit akibat meningkatnya kandungan Ge dalam lapisan seiring dengan meningkatnya laju aliran gas GeH4 dari 1 sccm hingga 3,5 sccm. Sensitivitas penyinaran lapisan tipis a-SiGe:H yang ditumbuhkan dengan metode PECVD menurun, sebaliknya sensitivitas penyinaran lapisan yang ditumbuhkan dengan metode HWC-PECVD pada suhu filamen 800 0C mengalami peningkatan yang cukup berarti dengan meningkatnya laju aliran gas GeH4 dari 1 sccm hingga 2,5 sccm.
Co-Authors Agus Subagio Edy Supriyanto Heri Sutanto I. Usman M. Barmawi Maman Budiman Moehamad Barmawi Mursal Mursal Pepen Arifin T. Winata