Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2020 - 2025
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Jurnal Sains Materi Indonesia
Moehamad Barmawi
Laboratorium Fisika Material Elektronik - ITB Jl. Ganesha 10, Bandung 40132
Materials Science & Nanotechnology

Published : 1 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search

 1 
STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS AlxGa1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD Heri Sutanto; Agus Subagio; Edy Supriyanto; Pepen Arifin; Sukirno Sukirno; Maman Budiman; Moehamad Barmawi
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (292.957 KB) | DOI: 10.17146/jusami.2006.0.0.5183

Abstract

STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS AlxGa1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD. Film tipis AlxGa1-xN telah ditumbuhkan di atas substrat Si tipe-p dengan menggunakan teknik PA-MOCVD. Film tipis AlxGa1-xN ditumbuhkan dengan parameter-parameter: suhu substrat, laju alir N2, TMGa dan TMAl berturut-turut sebesar 700 oC; 90 sccm; 0,1 sccm dan 0,01sccm hingga 0,04 sccm. Film polikristal AlxGa1-xN yang ditumbuhkan mempunyai struktur heksagonal dengan bidang difraksi dominan (1010) dan (1011) hingga konsentrasi Al sebesar 6,78%. Diperoleh nilai kekasaran permukaan film dari pengukuran SPM pada range 11,44 nm sampai dengan 27,20 nm. Morfologi permukaan film semakin halus dengan peningkatan konsentrasi Al pada film. Penurunan nilai konstanta kisi hasil pengujian XRD terjadi karena kekosongan nitrogen pada film. Peningkatan konsentrasi Al pada film menyebabkan penurunan laju penumbuhan film tipis AlxGa1-xN yang terbentuk.
Co-Authors Agus Subagio Edy Supriyanto Heri Sutanto Maman Budiman Pepen Arifin Sukirno Sukirno