cover
Contact Name
Supardi
Contact Email
supardi@uny.ac.id
Phone
+62274-550847
Journal Mail Official
fisika@uny.ac.id
Editorial Address
Faculty of Mathematics and Natural Sciences UNY (Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) Jl. Colombo No.1, Karang Malang, Caturtunggal, Depok, Sleman, Daerah Istimewa Yogyakarta 55281
Location
Kab. sleman,
Daerah istimewa yogyakarta
INDONESIA
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA)
ISSN : -     EISSN : 30265983     DOI : -
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya merupakan jurnal yang dikelola oleh Program Studi Fisika, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Yogyakarta. Jurnal ini menerbitkan karya ilmiah atau artikel dari hasil penelitian khususnya tugas akhir mahasiswa fisika, atau karya ilmiah lain yang berkaitan dengan fisika. Prosedur penerbitan dalam jurnal ini melalui peer-review dan menerapkan etika penerbitan ilmiah sebagaimana ditetapkan oleh Committee on Publication Ethics (COPE). Ruang lingkup artikel dalam jurnal ini adalah ilmu fisika dan terapannya.
Articles 196 Documents
Physical Characterization of Nanomaterial Based Graphite of A Thin Layer By 2B Pencil Drawing With Mechanical Exfoliation Method Karakterisasi Fisis Nanomaterial Berbasis Grafit dari Lapisan Tipis Hasil Penggoresan Pensil 2b dengan Metode Mechanical Exfoliation DIEN RASIS; W.S. Brams Dwandaru
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 5, No 4 (2016): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

ABSTRAKPenelitian ini bertujuan untuk mengetahui cara mendapatkan nanomaterial dari grafit pensil 2B. Peneliti juga dapat mengetahui hasil analisa uji XRD, mengetahui pengaruh jumlah ME terhadap lapisan grafit pensil menggunakan mikroskop cahaya, dan mengetahui struktur morfologi permukaan nanomaterial grafit menggunakan uji SEM-EDX. Penelitian ini dimulai dengan membuat sampel dengan cara mengamplas preparat dengan beberapa jenis amplas dengan tingkat kekasaran berbeda. Kemudian setelah diamplas, preparat tersebut digores menggunakan material grafit dari pensil 2B dan dilakukan teknik mechanical exfoliation untuk mengurangi lapisan grafit tersebut. Uji karakterisasi yang pertama yaitu uji transmitansi preparat kemudian dilanjutkan dengan uji hambatan lapisan grafit yang menempel pada preparat. Karakterisasi menggunakan XRD dilakukan untuk mengetahui kekristalan dan ukuran partikel material grafit, uji SEM-EDX dan mikroskop cahaya untuk melihat morfologi permukaan material grafit pada preparat. Berdasarkan hasil penelitian yang diperoleh, nanomaterial dapat dibuat dengan cara penggoresan pensil 2B pada preparat dan teknik ME untuk mengurangi lapisan grafit pensil tersebut. Uji transmitansi preparat yang diamplas dengan amplas tipe P100 menghasilkan nilai transmitansi terkecil, namun grafit pensil yang menempel lebih banyak. Uji XRD menunjukkan bahwa grafit pensil setelah dilakukan ME berfasa semikristal dengan ukuran partikel 7,74 nm dan 27,404 nm. Hasil uji SEM-EDX menunjukkan struktur grafit pensil berbentuk bulk dengan ukuran terkecil 0,171 μm dengan komposisi karbon tertinggi yaitu 34,86% dari massa keseluruhan.Kata kunci: nanomaterial, grafit pensil 2B, mechanical exfoliation, SEM-EDXABSTRACTThis research aims to understand a way of abtaining nanomaterial of 2B pencil graphite. The researcher was able to find out the results of the XRD analysis test, to know the influence of the number of ME method toward the layer of pencil graphite using a light microscope, and to know the surface morphology structure of graphite nanomaterial using SEM-EDX. This study was begun by rubbing the preparat with some type of sandpaper with different roughness. After rubbing, the preparat can be drawn using graphite material from 2B pencil and the mechanical exfoliation technique to reduce the layers of graphite. The first characterization was transmitation test and then followed by resistance test of graphite layers which was attached to2 Jurnal Fisika Edisi Juli 2016the preparat. The characterization using XRD was held to find out the crystal structure and particle size of graphite material, SEM-EDX and microscopes light test aim to see the surface morphology of the graphite material on the preparat. Based on the result of the research, nanomaterial can be made by drawing 2B pencil on a preparat and ME technique was done to reduce pencil graphite layers. Transmitation test by sandpaper with type P100 produced the smallest value of transmitation. XRD test showed that pencil graphite after ME was in semicrystal phase with size of particles 7.74 nm and 27.404 nm. SEM-EDX test showed that the structure of pencil graphite was bulk with the smallest size 0.171 μm with composition carbon had the highest percentage of 34.86 % of total mass.Keywords: nanomaterial, 2B pencil graphite, mechanical exfoliation, SEM-EDX
Digital Image Processing Of Frinji Interference Pattern To Determine The Thickness Of Transparent Mica In Micro Orde Widhi Mahardi Darma , Agus Purwanto
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 7, No 3 (2018): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Abstrak Penelitian ini bertujuan untuk memanfaatkanpengolahan citra digital pergeseran frinji pola interferensi untuk menentukan ketebalan mica transparan. Hasil pengukuran ketebalan bahan tipis akan dibandingkan dengan hasil yang diperoleh dari pengukuran menggunakan mikrometer sekrup. Bahan yang digunakan adalah mica transparan. Mica transparan diletakkan di salah satu lengan interferometer Michelson, kemudian sampel tersebut diputar perlahan dengan variasi sudut 1° sampai 7°. Hasil pergeseran pola frinji direkam, kemudian dengan bantuan pengolahan citra digital citra pola frinji diubah menjadi citra greyscale (keabuan) untuk memudahkan analisis jumlah pergeseran pola frinji untuk setiap variasi sudut. Setelah didapatkan pergeseran pola frinji (N), maka ketebalan mica transparan (t) dapat ditentukan. Hasil perbandingan pengukuran ketebalan mica transparanpada orde mikro menggunakan metode interferensi dengan bantuan pengolahan citra digital dan dengan mikrometer sekrup tidak jauh berbeda. Pengukuran dengan metode interferometer menghasilkan tebal mica transparan (0,067±0,003) mm, sedangkan dengan menggunakan mikrometer sekrup diperoleh (0,07±0,01) mm. Pengolahan citra digital pada frinji pola interferensi terbukti dapat meningkatkan ketelitian pengukuran. Kata kunci: mica transparan, interferometer Michelson, pola frinji, pengolahan citra digital. Abstract The objective of this study was to utilize digital image processing to study the shifting of interference patterns to determine the thickness of transparent mica. In this study the result of measurement of mica thickness would be compared with the result obtained from measurement using screw micrometer. The material used was transparent mica. A sheet of transparent mica was placed in one of Michelson's interferometer arms, then the sample was rotated slowly with angle variations of 1 ° to 7 °. The results of the fringe pattern shift were recorded, then by the help of digital image processing, the image of the fringe pattern was transformed into a greyscale image to facilitate the analysis of the number of fringe patterns shifts for each angle variation. Having obtained the number of fringe shift (N), the transparent mica thickness (t) could be determined.The results of measurement of transparent mica thickness in micro order using inteference method by the help of digital image processing and by screw micrometer were not much different. Measurements using interferometer method resulted in a transparent mica thickness of (0.067 ± 0.003) mm, while by using a screw micrometer obtained transparent mica thickness of (0.07 ± 0.01) mm. Digital image processing on fringe interference patterns proved to improve the precision of measurements. Keywords: transparent mica, Michelson interferometer, fringe pattern, digital image processing.
PENGARUH ALUR SUHU TERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(Se0,8Te0,2) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN UNTUK APLIKASI SEL SURYA STREAM OF TEMPERATURE CRYSTAL Sn(Se0.8 Te0.2) QUALITY EFFECT ON PREPARATION OUTCOME THROUGH BRIDGMAN TECHNIQUE FOR SOLAR CELL Anggraeni Kumala Dewi; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 2 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh alur suhu terhadap kualitas struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi kimia kristal Sn(Se0,8Te0,2) yang terbentuk. Penumbuhan kristal Sn(Se0,8Te0,2) diperoleh dari hasil preparasi dengan Teknik Bridgman. Pada keempat sampel kristal Sn(Se0,8Te0,2) dilakukan variasi alur suhu. Alur suhu sampel I pada suhu 350°C dikonstankan selama 3 jam kemudian suhu 600°C dikonstankan selama 3 jam. Alur suhu sampel II pada suhu 350°C dikonstankan selama 2 jam kemudian suhu 600°C dikonstankan selama 4,5 jam. Alur suhu sampel III pada suhu 350°C dikonstankan selama 6 jam kemudian suhu 600°C dikonstan selama 1 jam. Alur suhu sampel IV pada suhu 350°C dikonstankan selama 5 jam kemudian suhu 600°C dikonstankan selama 6 jam. Selanjutnya dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis of X-ray) untuk mengetahui komposisi kimia. Hasil karakterisasi XRD pada keempat sampel menunjukkan kristal Sn(Se0,8Te0,2) memiliki struktur orthorombik, dengan sampel I dan III memiliki intensitas yang paling tinggi. Hasil karakterisasi SEM pada sampel I dan III menunjukkan bahwa terbentuknya kristal Sn(Se0,8Te0,2) ditandai dengan adanya butiran-butiran atau grain. Berdasarkan hasil EDAX, diketahui bahwa kristal Sn(Se0,8Te0,2) mengandung unsur Sn, Se, dan Te dengan persentase komposisi kimia pada sampel I Sn = 39,85 %, Se = 36,09 %, dan Te = 2,57 %. Perbandingan molaritas pada sampel I Sn : Se : Te adalah 1 : 0,90 : 0,10.Kata kunci: Alur Suhu, Semikonduktor, Kristal Sn(Se0,8Te0,2), Teknik BridgmanAbstractThis study aims determine stream of temperature crystal Sn(Se0.8 Te0.2) quality effect, morphology surface, and chemical composition of crystal Sn(Se0.8 Te0.2). The growth of crystal Sn(Se0.8 Te0.2) is obtained by preparation outcome through Bridgman Technique. In the fourth crystalline samples Sn(Se0.8 Te0.2) are variated by stream of temperature. Stream of temperature on the sample I is heated at 350 ° C which is constanted for 3 hours then 600 ° C is constanted for 3 hours. Stream of temperature on the sample II is heated at 350 ° C which is constanted for 2 hours then 600 ° C is constanted for 4.5 hours. Stream of temperature on the sample III is heated 350 ° C which is constanted for 6 hours then 600 ° C is constanted for 1 hour. Stream of temperature on the sample IV is heated at 350 ° C which is constanted for 5 hours then 600 ° C is constanted for 6 hours. Hence, characterized by using XRD (X-Ray Diffraction) for to determine the crystal structure, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine the surface morphology, and EDAX (Energy Dispersive Analysis of X-ray) to determine the chemical composition. The four samples are characterized results indicate that crystal Sn(Se0.8 Te0.2) has orthorhombic structure with the results of the samples I and III have the highest intensity. SEM characterization result for sampel I and III indicate that the formation of crystalline Sn(Se0.8 Te0.2) is characterized by the presence of grains. Based on the results of EDAX, it is known that the crystal Sn(Se0.8 Te0.2) contains elements of Sn, Se, and Te with a percentage of the chemical composition of the sample I is Sn = 39.85%, Se = 36.09%, and Te = 2,57 %. Comparison the molarity of the sample I is Sn: Se: Te is 1: 0.90: 0.10.Keywords: Stream of Temperature, Semiconductor, Crystal Sn Sn(Se0.8 Te0.2), Bridgman Technique
RANCANG BANGUN TEKNOLOGI AUDIO BIO HARMONIK DENGAN SMARTCHIP WT5001 YANG LEBIH PRAKTIS THE APPROPRIATE DESIGN TECHNOLOGY BIO HARMONIC AUDIO USING SMART CHIP WT5001 THAT IS MORE PRACTICAL restu setiyono; nur kadarisman
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 5 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk merancang bangun teknologi Audio Bio Hamronik dengan smartchip WT5001 yang lebih fleksibel, praktis, dan mudah dioperasikan serta divalidasi peak frekuensi output dan diuji taraf intensitas bunyi keluaran. Penelitian ini diawali dengan membuat file suara sebagai sumber bunyi perangkat ABH. Bunyi asli suara garengpung dimanipulasi sehingga menghasilkan variasi peak frekuensi 3000 Hz, 3500 Hz, 4000 Hz, 4500 Hz, dan 5000 Hz kemudian dimasukkan kedalam smartchip WT5001. Bunyi yang keluar dari rangkaian kemudian dikuatkan dengan rangkaian auido power amplifier dengan output bunyi dari rangkaian digunakan horn speaker. Bunyi keluaran kemudian divalidasi peak frekuensinya dengan bantuan aplikasi SpectraPlus 5.0 serta diuji taraf intensitas bunyi keluarannya menggunakan Sound Level Meter. Hasil rancang bangun meliputi catu daya baterai yang rechargeable dan horn speaker yang sudah menyatu dalam satu perangkat berdimensi panjang 18 cm, lebar 11 cm dan tinggi 6 cm, tombol pemilih frekuensi yang diringkas menjadi satu tombol select. Hasil validasi peak frequency antara peak frequency rangkaian dengan keluaran menunjukkan adanya simpangan sumber bunyi rangkaian dengan yang terukur yaitu , , , , . Hasil uji taraf intensitas bunyi menununjukkan nilai 90 dB pada jarak 1 meter dan semakin menurun menjadi 20 dB pada jarak 30 meter.Kata kunci: Audio Bio Harmonik, smartchip WT5001, peak frequency.AbstractThis study aimed to redesign the Bio Harmonic Audio Technology with WT5001 which is more flexible, practical, and easy to operate. This research began by creating a sound file as the source of ABH device. The original sound of garengpung is manipulated to produce peak frequency variations of 3000 Hz, 3500 Hz, 4000 Hz, 4500 Hz, and 5000 Hz and then was inserted into the WT5001 smartchip. The sound coming out of the circuit is then amplified by the Audio Power Amplifier circuit by using horn speaker as a output sound device of the circuit. The output sound that is peak frequency then tested for validation with the help of the SpectraPlus 5.0 application and the level of output sound intensity tested by Sound Level Meter. The design results include rechargeable battery power supply and horn speaker that are integrated into a single dimension 18 cm long, 11 cm width, and 6 cm high, frequency selector keys are summarized into a single select button. The result of the peak frequency validation test between the peak frequency of circuit and the output indicates the existence of the source circuit beam with the measured being , , , , . The test results of the sound intensity level shows the value of 90 dB at a distance of 1 meter and further decreased to 20 dB at a distance of 30 meters.Keywords: Bio Harmonic Audio, WT5001 smartchip, peak frequency.
STUDI NUMERIK TOTALLY ASSYMETRIC SIMPLE EXCLUSION PROCESS DENGAN ATURAN DINAMIKA PARALLEL UPDATING DAN SYARAT BATAS PERIODIK UNTUK PEMODELAN KERAPATAN DAN RAPAT ARUS PROSES THAWAF DALAM IBADAH HAJI DENGAN VARIASI JUMLAH PARTIKEL DAN KEKISI Numerical Study Totally Assymetric Simple Exclusion Process with Periodic Boundary Conditions and Dynamics with Parallel Updating Rule And Periodic Boundary for Modeling of Density and Current Density of Thawaf Process in Muslim Pilgirmage with Variaton Number Muhammad Ikrom; Wipsar Sunu Brams Dwandaru
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 5, No 6 (2016): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini adalah pemodelan dinamik Totally Asymmetric Simple Exclusion Process (TASEP). Selanjutnya, dibahas pula tentang syarat batas periodik dan aturan dinamika parallel updating. Pada penelitian ini TASEP diaplikasikan pada pergerakan Jama’ah haji yang melakukan thawaf di Ka’bah. Pada sistem tersebut dihitung secara numerik dengan menggunakan bahasa C++. Untuk laju lompatan (k) diambil nilai k = 0,3, nilai k diambil dengan menyesuaikan dengan kondisi jama’ah haji pada saat musim haji. Data yang diperoleh dari pemograman lalu diolah dan dibuat grafik dengan menggunakan Microsoft Excel 2010. Hasil dari penelitian ini menunjukan bahwa kerapatan (ρ) dan rapat arus (J) pada pemodelan yang dilakukan terhadap proses thawaf di Ka’bah dipengaruhi oleh besarnya jumlah partikel (M) dan jumlah kekisi (N). Kerapatan (ρ) dan rapat arus (J) mengalami perubahan yang berbentuk fungsi grafik pangkat minus satu dan ketidaktetaruran pada variasi jumlah kekisi (N), sedangkan pada variasi jumlah partikel (M) mengalami perubahan fungsi grafik yang linear dan polinomial orde dua.Kata Kunci: TASEP, syarat batas, aturan dinamika, kerapatan partikel, rapat arus partikel, laju lompatan, jumlah partikel dan jumlah kekisi.AbstractThis study was one of Totally Asymmetric Simple Exclusion Process (TASEP) dynamic modeling. Then, it also discussed about periodic boundary conditions and dynamics with parallel updating rule. In this study TASEP was aplicated in the movement of Muslims pilgrim perform thawaf in Ka’bah. The magnitude of density (ρ) and current density (J) in that system was calculated by numerical system which used C++ programming language. For the rate of the leap (k) taken k = 0.3, the value of k is taken with adapting the condition of Muslim spilgrim in that pilgrimage. The data that collected from programming proceed and made graph use Microsoft Excel 2010. Density (ρ) and current density (J) changed in the graph of power function minus one and irregularity in variation of number of of lattice (N), while density (ρ) and current density (J) changed of the graph of linear function and polynomial second-order in the variation of number of particle (M).Keyword : TASEP, boundary condition, dynamics rule, density, current of density, rate of the leap, number of particle, and number of lattice.
SINTESIS DAN KARAKTERISASI CARBON NANODOTS BERBAHAN DASAR LIMBAH BIJI KOPI MENGGUNAKAN METODE PEMANASAN OVEN Julius Elfino; Wipsar Sunu Brams Dwandaru
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 9, No 1 (2022): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Penelitian ini bertujuan untuk (1) mensintesis C-dots berbahan dasar limbah biji kopi dan (2) mengetahui karakteristik C-dots berbahan limbah biji kopi berdasarkan pengujian spektrofotometer UV-Vis. Penelitian ini dibagi menjadi dua tahap, yaitu tahap sintesis dan tahap karakterisasi. Penelitian dimulai dengan melakukan sintesis serbuk C-dots. Serbuk C-dots kemudian dilarutkan dalam akuades hingga diperoleh stock solution C-dots. Larutan C-dots selanjutnya dikarakterisasi menggunakan uji spektrofotometer UV-Vis untuk mengetahui tingkat absorbansi pada masing-masing varian. Uji UV-Vis menghasilkan puncak absorbansi C-dots pada setiap variasi massa dan volume dari limbah kopi. Pada limbah kopi padat, puncak absorbansi terjadi pada rentang panjang gelombang 203 – 231 nm. Sedangkan pada limbah kopi cair, puncak absorbansi terjadi pada rentang panjang gelombang 212 – 221,5 nm.Kata kunci: C-dots, limbah biji kopi, UV-Vis.
Pengaruh Penambahan Carbon Nanodots Kayu Putih Terhadap Kestabilan Nanopartikel Perak Berdasarkan Uji UV-Vis Spektrofotometer Siti Choerotun Nisa’; Wipsar Sunu Brams Dwandaru
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 8, No 1 (2021): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh penambahan C-dots kayu putih (KP) terhadap kestabilan AgNp berdasarkan uji UV-Vis dan analisis energi gap. Penelitian ini menghasilkan tiga sampel larutan, yaitu C-dots KP, AgNp, dan AgNp/C-dots KP. Hasil preparasi tiga larutan tersebut memiliki karakteristik yang berbeda. Hasil UV-Vis C-dots KP menunjukkan puncak absorbansi pada panjang gelombang 262 nm – 271 nm, AgNp berada pada panjang gelombang 421 nm, dan AgNp/C-dots KP memiliki dua puncak, yaitu pada 250 nm – 271,5 nm dan 412 nm – 431,5 nm. Puncak pertama menunjukkan C-dots KP dan puncak kedua AgNp. Berdasarkan pada hasil analisis energi gap, AgNp dan AgNp/C-dots KP memiliki nilai energi gap yang berbeda. Nilai energi gap AgNp yaitu 2,27 eV – 2,48 eV, sedangkan nilai energi gap  AgNp/C-dots KP adalah 2,37 eV – 2,41 eV. Hal tersebut menunjukkan bahwa penambahan C-dots KP dalam AgNp menyebabkan AgNp relatif stabil, hal ini terlihat dari nilai absorbansi yang menurun, pergeseran panjang gelombang yang tidak terlalu signifikan, serta pergeseran energi gap yang kecil.Kata kunci: C-dots, AgNp, AgNp/C-dots KP, UV-Vis, energi gap.
PENGARUH VARIASI SPACER TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,6Te0,4) DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM Fani Zakiati , Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 7, No 1 (2018): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Abstrak Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh spacer terhadap kualitas lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) dan karakteristik kristal lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) yang dihasilkan melalui teknik evaporasi vakum. Teknik evaporasi vakum digunakan pada proses penumbuhan lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) dengan tekanan 10-5 mbar. Variasi spacer pada evaporator sebesar 10 cm, 15 cm, dan 25 cm diterapkan pada proses penumbuhan lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4). Lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) yang diperoleh dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal dan parameter kisi, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaaan dan EDAX (Energi Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4). Hasil yang diperoleh memperlihatkan sampel memiliki struktur kristalorthorombik, dengan nilai parameter kisi sebagai berikut: variasi spacer 10 cm a=11,89Å, b= 4,52Å, c= 4,4Å; variasi spacer 15 cm, a= 11,89Å, b=4,29Å, c= 4,51Å; dan variasi spacer 25 cm, a=11,62Å, b= 4,57Å, c= 4,64Å. Diameter rata-rata partikel pada koordinat kanan kiri dan atas bawah untuk spacer 10 cm adalah 0,1306 m m. Pada koordinat kanan kiri dan atas bawah untuk spacer 15 cm adalah 0,1336 dan m. Perbandingan presentase atom dan perbandingan molaritas untuk spacer 10 cm adalah Sn = 53,68 %, Se = 33,65%, Te = 12,67% dan 1: 0,62: 0,23. Perbandingan presentase atom dan perbandingan molaritas untuk spacer 15 cm adalah Sn = 52.02 %, Se = 33,91 %, Te = 14.07% dan 1: 0,65: 0,27. Hasil tersebut dapat disimpulkan bahwa variasi spacer mempengaruhi kualitas kristal yang terbentuk. Semakin dekat spacer maka kualitas kristalnya semakin baik, karena kemungkinan bahan terdeposisi pada substrat semakin tinggi. . Kata kunci : Lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4), stuktur kristal, teknik evaporasi vakum. Abstract The research aimed to determine the effect of spacer variation of the Sn(Se0,6Te0,4) thin films quality and its characteristic. The Sn(Se0,6Te0,4) thin film growing process was used a vacuum evaporation technique at 10-5 mbarr. Three spacer variations 10 cm, 15 cm, and 25 cm were used on the Sn(Se0,6Te0,4) thin films growing process. These fabricated Sn(Se0,6Te0,4) thin films were characterized by XRD (X-Ray Diffraction) to determine the fabricated crystal structure and its lattice paremeter, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine the surface morphology and EDAX (Energi Dispersive Analysis X-Ray) to determine the fabricated thin films chemical composition. The results showed that the Sn(Se0,6Te0,4) thin films were orthotombic and their lattice parameter were as follows: 10 cm spacer variation yielded a=11,89Å, b= 4,52Å, c= 4,4Å; 15 cm spacer variations yielded a= 11,89Å, b=4,29Å, c= 4,51; and 25 cm spacer variations yielded a=11,62Å, b= 4,57Å, c= 4,64Å. The average diameter of the particles of 10 cm spacer variations for the right-left and topbottom coordinates were as follows 0,1306 m and m The average diameter of 15 cm spacer variations for the right-left and top-bottom coordinates were as follows 0,1336 m. The atoms percentage ratio and the molarity ratio of 10 cm spacer variations were as follows Sn = 53,68 %, Se = 33,65%, Te = 12,67% and 1: 0,62: 0,23. The ratio percentage atoms and the ratio molaritys of 15 cm spacer variations were as follows Sn = 52.02 %, Se = 33,91 %, Te = 14.07%, and 1: 0,65: 0,27.It can be concluded that the spacer variation will afects the formed crystal quality. Small spacer variations will formed better crystal quality, because of its higher depositions probability. Keywords: Sn(Se0,6Te0,4) thin films, crystal structure, vacuum evaporation technique
ANALISIS MIKROTREMOR UNTUK MIKROZONASI INDEKS KERENTANAN SEISMIK DI KAWASAN JALUR SESAR SUNGAI OYO YOGYAKARTA MICROTREMOR ANALYSIS FOR SEISMIC VULNERABILITY INDEX MICROZONATION AROUND OYO RIVER FAULT YOGYAKARTA Ika Kurnaiwati; Nugroho Budi Wibowo; Denny Darmawan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 2 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk mengetahui nilai dan mikrozonasi indeks kerentanan seismik (Kg) di kawasan jalur Sesar Sungai Oyo. Data penelitian diperoleh melalui pengukuran sinyal mikrotremor di 25 titik lokasi dengan spasi 2 km. Data mikrotremor dianalisis menggunakan metode Horizontal to Vertical Spectral Ratio (HVSR) untuk mendapatkan frekuensi predominan dan faktor amplifikasi di setiap titik penelitian. Hasil dari analisis mikrotremor digunakan untuk menentukan nilai indeks kerentanan seismik (Kg), sehingga diketahui bahwa nilai indeks kerentanan seismik (Kg) berkisar 0,1x10-6sampai 18,1x10-6 s2/cm. Mikrozonasi indeks kerentanan seismik dengan nilai tinggi berada pada formasi Wonosari yang menyebar di Kecamatan Panggang bagian Barat Laut, Kecamatan Playen bagian Barat Daya, dan Kecamatan Dlingo bagian Selatan. Sedangkan mikrozonasi indeks kerentanan seismik dengan nilai rendah berada pada formasi Nglanggran dan formasi Sambipitu yang menyebar di Kecamatan Playen bagian Barat, Kecamatan Imogiri bagian Timur dan Kecamatan Dlingo bagian Barat. Kata kunci:     Indeks kerentanan seismik, mikrotremor, Horizontal to Vertical Spectral Ratio AbstractThe aims of this research was to determine the value and microzonation of seismic vulnerability index (Kg) around Oyo River fault. Data were obtained by microtremor measurement at 25 location with 2 km spacing. The microtremor data were analyzed using Horizontal to Vertical Spectral Ratio (HVSR) method to obtain the predominant frequency and amplification factor at each measurement point to determine the value of seismic vulnerability index (Kg). The results showed that the seismic vulnerability index (Kg) was around 0,1x10-6 to 18,1x10-6 s2/cm. Based on microzonation results, the highest seismic vulnerability index was on Wonosari formation that spread across the Northwestern part of Panggang sub district, the Southwestern part of Playen sub district, and the Southern part of Dlingo sub district. Meanwhile, the low seismic vulnerability index was on Nglanggran formation and Sambipitu formation that spread across the Western part of Playen sub district, the Eastern part of Imogiri sub district, and some locations in the Western part of Dlingo sub district. Keywords:     seismic vulnerability index, microtremor, Horizontal to Vertical Spectral Ratio
PENGARUH TEMPERATUR TERHADAP RESISTANSI BAHAN KONDUKTOR Al, Cu dan SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Pb(Se,Te), CdTe HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL THE EFFECT OF THE TEMPERATURE HEATING TO THE RESISTANCE VALUE ON THE Al, Cu and SEMICONDUCTOR MATERIAL Pb (Se,Te), CdTe THIN LAYER PREPARED BY THERMAL EVAPORATION TECHNIQUE Nur Hidayat; ariswan ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 9, No 2 (2022): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur terhadap nilairesistansi dari alumunium, tembaga dan bahan semikonduktor Pb(Se,Te), CdTe. Penelitian inimenggunakan metode eksperimen. Data yang diperoleh merupakan hubungan antara suhudan nilai resistansi sampel. Data yang diperoleh dianalisis dengan menggunakan softwareorigin 6.1 untuk mendapatkan bentuk grafik hubungan temperatur terhadap nilai resistansiuntuk tiap-tiap sampel uji.Hasil penelitian menunjukkan adanya penurunan nilai resistansi pada bahansemikonduktor yang diformulasikan menurut persamaan berikut ini. Untuk bahan PbSe????(????) = (176,34 + 8418,54 e−t / 7,34 ) Ω, bahan PbTe ????(????) = (9,61 + 75,34 e−t /13,92 ) Ω, danbahan CdTe ????(????) = (0,61 + 6,84 e−t / 34,68 ) Ω. Untuk bahan konduktor terdapat kenaikan nilairesistansi yang diformulasikan menurut persamaan berikut ini. Untuk alumunium ????(????) = (-2,21 + 0,09t) Ω, untuk tembaga ????(????) = (-0,74 + 0,03t) Ω, dengan batas suhu terendahsebesar 30oCKata Kunci : Resistansi, Semikonduktor, Konduktor.AbstractThis research aims to observe the temperature effect of the resistance value of the thinlayer Pb(Se,Te), CdTe semiconductors, and Al, Cu metal. This research using experimentmethod, where the result of data are relation between the temperature and the trial sampleresistance. Then we analysis the data result using origin 6.1 for finding the shape of therelations chart for each trial sample.The result of this research shows that there was a decrease of the resistance valuethat affected by increasing of the temperature on the surface of thin layer semiconductorwhich formulated into following equations. For PbSe ????(????) = (176.34 + 8418.54 e−t / 7.34 ) Ω,PbTe ????(????) = (9.61 + 75.34 e−t /13.92 ) Ω, and CdTe ????(????) = (0.61 + 6.84 e−t / 34.68 ) Ω. And forAl, Cu there was increase of the resistance value which formulated into following equations.???????????? ???????????????????????????????????? ????(????) = (-2.21 + 0.09t) Ω. for copper ????(????) = (-0.74 + 0.03t) Ω, with thelowest temperature is 30oC.Keywords : Resistance, Semiconductor, Conductor.

Page 10 of 20 | Total Record : 196