Garuda - Garba Rujukan Digital

Article Per Year (5 Year)

All

Jurnal Sains Materi Indonesia

jsmi
Website

Published by Badan Tenaga Nuklir Nasional

ISSN : - EISSN : - DOI : -

Core Subject : Science,

Materials Science & Nanotechnology

Jurnal Sains Materi Indonesia (Indonesian Journal of Materials Science), diterbitkan oleh Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir - BATAN. Terbit pertama kali: Oktober 1999, frekuensi terbit: empat bulanan.

Arjuna Subject : -

Articles 56 Documents

1 2 3 4 5

Search results for , issue "EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006" : 56 Documents clear

PENELITIAN BAHAN NANO (NANOMATERIAL) DI BADAN TENAGA NUKLIR NASIONAL Pramudita Anggraita
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

PENELITIAN BAHAN NANO (NANOMATERIAL) DI BADAN TENAGA NUKLIR NASIONAL

SINTESIS LiPO3 SEBAGAI BASIS GELAS UNTUK PEMBUATAN KONDUKTOR SUPERIONIK Mohammad Ihsan; Evvy Kartini; Supandi Suminta; Mardiyanto Mardiyanto
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

SINTESIS LiPO3 SEBAGAI BASIS GELAS UNTUK PEMBUATAN KONDUKTOR SUPERIONIK. Telah disintesis bahan LiPO3 sebagai bahan gelas baru untuk konduktor superionik. Karakterisasi yang dilakukan pada bahan gelas ini adalah pengukuran struktur kristal menggunakan X-Ray Diffractometer, sifat termal dengan Differential Thermal Analysis - Thermal Gravimetric Analysis (DTA-TGA), dan pengukuran konduktivitas ionik menggunakan Impedance Spectroscopy (LCRmeter). Pola difraksi sinar-x LiPO3 pada suhu ruang menunjukkan satu puncak lebar yang menandakan gelas LiPO3 bersifat amorf. Analisis dengan DTA menunjukkan suhu gelas transisi, Tg, terjadi pada sekitar suhu 327,4 oC. Sementara suhu kristalisasi (Tx) terjadi pada suhu 496,5 oC dan suhu melting (Tm) pada 645,6 oC. Termogram TGA menunjukkan kestabilan termal hingga pemanasan 700 oC dan tidak terjadi dekomposisi. Data konduktivitas DC LiPO3 adalah 2 x 10-8 S/cm, mirip dengan data konduktivitas DC AgPO3. Hasil ini menunjukkan LiPO3 adalah gelas yang bersifat isolator. Disimpulkan bahwa LiPO3 dapat digunakan sebagai basis gelas untuk pembuatan konduktor superionik.

EFEK IRADIASI γ TERHADAP BAHAN KONDUKTOR (CuI)0,5(β-Al2O3)0,5 P. Purwanto; Safei Purnama; E. Sukirman; Wisnu Ari Adi
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

EFEK IRADIASI γ TERHADAP BAHAN KONDUKTOR (CuI)0,5(β-Al2O3)0,5. Bahan konduktor (CuI)0,5(β-Al2O3)0,5 dapat dibuat dengan reaksi padatan yaitu pencampuran antara CuI dengan B-Al2O3. Bahan konduktor di pelet dengan tekanan 8,43x107 N/m2 dengan diameter 1,5 cm. Kemudian bahan konduktor padat dilakukan iradiasi-γ dengan laju dosis 10 kGy, 30 kGy dan 50 kGy. Pengukuran konduktivitas dilakukan dengan alat LCR meter pada frekuensi 0,1 Hz-1000 Hz. Nilai konduktivitas konduktor padat (CuI)0,5(β-Al2O3)0,5 sebelum iradiasi-γ 5,36x10-4 S/cm sampai 4,88x10-3 S/cm, sedangkan sesudah iradiasi-γ adalah 5,77 x 10-4 S/cm sampai 15,82x10-3 S/cm. Penentuan struktur kristal dilakukan dengan teknik difraksi sinar-X. Pola difraksi sinar-X pada bahan konduktor padat (CuI)0,5(β-Al2O3)0,5 menunjukkan bahwa struktumya adalah CuI.

KARAKTERISASI SIFAT INTRINSIK RING YBa2Cu3O7-x TANPA DAN DENGAN BAHAN ADITIF PVA Yustinus Purwamargapratala; Wisnu Ari Adi; Engkir Sukirman; Didin S. Winatapura
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

KARAKTERISASI SIFAT INTRINSIK RING YBa2Cu3O7-x TANPA DAN DENGAN BAHAN ADITIF PVA. Telah dilakukan karakterisasi sifat intrinsik ring YBa2Cu3O7-x tanpa dan dengan bahan aditif PVA. Ring tanpa aditif PVA mengalami kerusakan (patah) setelah beberapa bulan disimpan. Stuktur mikro, struktur kristal dan sifat listrik ring YBa2Cu3O7-x yang rusak dianalisis berturut-turut dengan SEM (EDAX), XRD dan probe empat titik. Hasil analisis menunjukkan bahwa pada ring yang patah terdapat unsur Y, Ba dan Cu dengan perbandingan mol berturut-turut 1 : 2 : 3. Puncak-puncak difraksi dari ring yang patah bersesuaian dengan puncak-puncak difraksi fasa-123. Suhu transisi kritis Tc ring sebelum dan sesudah patah relatif tidak berubah yaitu sekitar 91 K. Analisis dengan SEM menunjukkan adanya retakan-retakan mikro (micro cracks) di dalam ring yang patah. Disimpulkan bahwa sifat intrinsik superkonduktor pada ring yang patah tidak berubah. Kemungkinan penyebab terjadinya patahan adalah akibat proses kompaksi yang tidak sempurna. Penambahan PVA sampai 30 % berat sebagai bahan aditif dalam proses kompaksi menyebabkan ring tidak patah dan bebas dari retakan-retakan mikro, dan sifat intrinsik superkonduktor tidak berubah.

LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS Tjipto Sujitno; Trimardji Atmono; Sayono Sayono; Lely Susita R. M.
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS. Telah dibuat sensor gas dari bahan lapisan tipis ZnO dengan sistim larik menggunakan teknik D-C sputtering. Tujuan dari pembuatan sistem larik ini adalah untuk menyederhanakan sistem, memperkecil konsumsi daya dan untuk memperkecil tahanan lapisan tipis yang terbentuk. Untuk maksud tersebut sistem pemanas dibuat dari lapisan tipis emas dengan sistem larik dan ditumbuhkan pada salah satu sisi substrat Alumina (Al2O3), sedangkan sistim elektroda dari lapisan tipis emas juga dalam bentuk sistim larik ditumbuhkan pada sisi yang lainnya. Selanjutnya lapisan tipis ZnO ditumbuhkan diatas elektroda menggunakan teknik sputtering. Dari hasil pengujian sistem pemanas dari tegangan batery 1,5 Volt hingga 9 Volt diperoleh hasil suhu sebesar 295 oC yang merupakan suhu operasi sensor dicapai pada tegangan 4,5 Volt, sedangkan untuk tegangan pemanas 9 Volt, lapisan tipis pemanas mengelupas (rusak). Dari pengujian respon sensor untuk berbagai gas uji juga diperoleh hasil bahwa dengan sistem larik ternyata resistansinya juga semakin kecil, sebagai contoh resistansi untuk sistem satu larik sebesar 150MΩ sedangkan resistansi untuk sistim 3 larik sebesar 39MΩ. Berdasar uji sensitivitas sensor juga diperoleh hasil bahwa dengan jumlah larik yang lebih banyak ternyata sensor lebih sensitif. Dari hasil analisis strukturmikro menggunakan SEM teramati bahwa lapisan tipis ZnO yang terbentuk terdistribuasi secara merata pada permukaan substrat sedang ketebalan lapisan tipis dalam order 1,4 µm. Dari analisis unsur menggunakan EDX teramati bahwa lapisan yang terbentuk betul-betul senyawa ZnO dengan komposisi Zn = 80, 34 % massa dan O = 19,66 % massa. Dari analisa struktur kristal menggunakan XRD teramati bahwa lapisan tipis ZnO yang terbentuk merupakan polikristal dengan bidang-bidang kristal (110), (022), (101), (141), (211), (002) dan (301)

PENGARUH MILLING TERHADAP STRUKTURMIKRO, FASA DAN SIFAT MAGNETIK SISTEM KOMPOSIT Co-Al Sri Mulyaningsih; Setyo Purwanto; Wisnu Ari Adi; Mujamilah Mujamilah
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

PENGARUH MILLING TERHADAP STRUKTURMIKRO, FASA DAN SIFAT MAGNETIK SISTEM KOMPOSIT Co-Al. Telah dilakukan penelitian tentang pengaruh waktu milling terhadap sifat magnetik bahan komposit Co-Al. Penelitian dilakukan dengan mencampur serbuk Co dan Al di dalam vial stainless steel menggunakan High Energy Milling (HEM). Komposisi yang digunakan adalah Co73Al27 wt% dengan rasio perbandingan berat campuran serbuk Co-Al terhadap bola-bola baja 1:2,7. Waktu milling divariasikan pada 4,5 jam, 12 jam dan 20 jam. Hasil pengamatan dari pola difraksi sinar-x menunjukkan terjadi penurunan ukuran kristalit dari 103,04 Å menjadi 71,536 Å dan 18,576 Å. Pengamatan sifat magnetik bahan dilakukan menggunakan VSM model OXFORD versi 2.1, hasil pengukuran menunjukkan harga Ms mengalami penurunan dari 156 emu/g, 113 emu/g dan 107 emu/g. Hal ini menunjukkan bahwa proses miling berpengaruh terhadap sifat magnetik bahan.

IMMOBILISASI EUGENOL PADA MATRIKS TMPT DENGAN INDUKSI RADIASI Erizal Erizal
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

IMMOBILISASI EUGENOL PADA MATRIKS TMPT DENGAN INDUKSI RADIASI. Dalam kerangka pengembangan aplikasi iradiasi khususnya dalam teknik imobilisasi zat bioaktif pada matriks polimer, telah dilakukan imobilisasi eugenol pada matriks hidrofobik Trimetilol Propan Trimetakrilat (TMPT) dengan metode iradiasi. Campuran eugenol /TMPT (Trimetilol Propan Trimetakrilat ) dengan komposisi 100/0; 75/ 25 ; 50 / 50 ; 25/5 ; 0/100 (v/v) diiradiasi dengan sinar gamma pada dosis 0 kGy, 10 kGy, 20 kGy dan 30 kGy dengan laju dosis 7,5 kGy/j. Hasil penelitian menunjukkan bahwa iradiasi hingga 30 kGy dapat menaikkan fraksi gel TMPT hingga 100 % . Komposisi optimum yang baik untuk imobilisasi eugenol pada matriks TMPT adalah pada komposisi 50/50 v/v %. Kumulatif eugenol yang lepas hingga pengujian 10 jam adalah 95%. Eugenol dapat diimobilisasi pada matriks TMPT dengan metode iradiasi, karena struktur molekulnya tidak mengalami degradasi yang ditunjukkan dengan tidak berubahnya viskositasnya pada iradiasi hingga 30 kGy.

PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mursal Mursal; I. Usman; T. Winata; Sukirno Sukirno; M. Barmawi
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS a-SiGe-H DENGAN METODE PECVD DAN HWC-PECVD: PENGARUH LAJU ALIRAN GAS GeH4 TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK. Lapisan tipis a-SiGe-H telah berhasil ditumbuhkan dengan metode PECVD dan HWC-PECVD pada laju aliran gas GeH4 yang berbeda. Lapisan ditumbuhkan di atas substrat gelas corning 7059 dengan menggunakan campuran gas SiH4 dan GeH4, masing-masing dengan konsentrasi 10% dalam gas H2. Laju aliran gas GeH4 divariasikan dari 1 sccm hingga 3,5 sccm, sedangkan laju aliran gas SiH4 70 sccm. Hasil penelitian menunjukkan bahwa lapisan tipis a-SiGe-H yang ditumbuhkan dengan metode HWC-PECVD memiliki koefisien absorpsi yang lebih tinggi dibandingkan dengan lapisan yang ditumbuhkan dengan metode PECVD. Celah pita optik lapisan tipis a-SiGe-H, baik yang ditumbuhkan dengan PECVD maupun HWC-PECVD menyempit akibat meningkatnya kandungan Ge dalam lapisan seiring dengan meningkatnya laju aliran gas GeH4 dari 1 sccm hingga 3,5 sccm. Sensitivitas penyinaran lapisan tipis a-SiGe:H yang ditumbuhkan dengan metode PECVD menurun, sebaliknya sensitivitas penyinaran lapisan yang ditumbuhkan dengan metode HWC-PECVD pada suhu filamen 800 0C mengalami peningkatan yang cukup berarti dengan meningkatnya laju aliran gas GeH4 dari 1 sccm hingga 2,5 sccm.

PENGARUH KANDUNGAN OKSIGEN FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD TERHADAP RESPON FEROMAGNETIKNYA Horasdia Saragih; Edy Supriyanto; Mujamilah Mujamilah; Pepen Arifin; Mohamad Barmawi
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

PENGARUH KANDUNGAN OKSIGEN FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD TERHADAP RESPON FEROMAGNETIKNYA. Penumbuhan film tipis TiO2-Co telah dilakukan di atas substrat Si dengan teknik MOCVD. Sifat feromagnetiknya diinvestigasi pada suhu ruang. Konsentrasi kandungan oksigen pada matriks kisi kristal film direkayasa melalui proses penganilan. Film tipis TiO2-Co sebelum dianil menunjukkan sifat feromagnetik pada suhu ruang. Karakteristik magnetik, Ms dan Hc bervariasi untuk setiap film. Nilai Ms bertambah dengan bertambahnya konsentrasi Co. Namun nilai momen magnetik rata-rata per atom Co menurun pada saat konsentrasi Co pada film bertambah. Film tipis TiO2.Co dianil pada tekanan 10-3 Torr dan suhu 450 oC selama 120 menit, dan menunjukkan suatu pengurangan konsentrasi O. Pengurangan konsentrasi O meningkatkan nilai Ms film. Sesuai dengan model teori yang diusulkan oleh peneliti lain, fenomena ini diduga disebabkan oleh hadirnya kekosongan O di sekitar ion Co pada matriks kisi TiO2-Co. Seluruh film tipis hasil penumbuhan memiliki karakter magnetik lembut sebagaimana diharapkan untuk aplikasi spintronika.

PENGARUH WAKTU SPUTTERING TERHADAP PENINGKATAN KETAHANAN KOROSI SUHU TINGGI BAHAN CORTEN Wagiyo H.; Syahril Syahril; Suparyadi Suparyadi
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

PENGARUH WAKTU SPUTTERING TERHADAP PENINGKATAN KETAHANAN KOROSI SUHU TINGGI BAHAN CORTEN. Telah dilakukan deposisi lapisan tipis Al pada bahan Corten. Sampel yang telah dideposisi Al kemudian di uji korosi suhu tinggi (oksidasi). Deposisi lapisan tipis Al menggunakan teknik sputtering selama 30 menit, 60 menit, 90 menit, 120 menit, 150 menit dan 180 menit. Kemudian masing-masing sampel yang telah dideposisi Al, dioksidasi menggunakan alat Thermal Gravimetry Analysis/ Magnetic Suspension Balance (TGA/MSB) selama 50 jam pada suhu 400 ºC. Sampel yang telah dioksidasi dikarakterisasi struktur kristalnya menggunakan alat X-Ray Diffractometer (XRD) dan strukturmikro menggunakan alat Scanning Electron Microscope (SEM). Hasil uji korosi suhu tinggi menunjukkan bahwa sampel yang laju oksidasinya paling kecil atau ketahanan korosinya tinggi adalah sampel yang dideposisi Al selama 3 jam dengan lapisan lindung berupa Al2O3.

Page 3 of 6 | Total Record : 56

1 2 3 4 5

Filter by Year

2006 2006

Filter By Issues

All Issue Vol 24, No 1: OCTOBER 2022 Vol 23, No 2: APRIL 2022 Vol 23, No 1: OCTOBER 2021 Vol 22, No 2: APRIL 2021 Vol 22, No 1: OCTOBER 2020 Vol 21, No 4: JULY 2020 Vol 21, No 3: APRIL 2020 Vol 21, No 2: JANUARY 2020 Vol 21, No 1: OCTOBER 2019 Vol 20, No 4: JULY 2019 Vol 20, No 3: APRIL 2019 Vol 20, No 2: JANUARY 2019 Vol 20, No 1: OCTOBER 2018 Vol 19, No 4: JULI 2018 Vol 19, No 3: APRIL 2018 Vol 19, No 2: JANUARI 2018 Vol 19, No 1: OKTOBER 2017 Vol 18, No 4: JULI 2017 Vol 18, No 3: APRIL 2017 Vol 18, No 2: JANUARI 2017 Vol 18, No 1: OKTOBER 2016 Vol 17, No 4: JULI 2016 Vol 17, No 3: APRIL 2016 Vol 17, No 2: JANUARI 2016 Vol 17, No 1: OKTOBER 2015 Vol 16, No 4: JULI 2015 Vol 16, No 3: APRIL 2015 Vol 16, No 2: JANUARI 2015 Vol 16, No 1: OKTOBER 2014 Vol 15, No 4: JULI 2014 Vol 15, No 3: APRIL 2014 Vol 15, No 2: JANUARI 2014 Vol 15, No 1: OKTOBER 2013 Vol 14, No 4: JULI 2013 Vol 14, No 3: APRIL 2013 Vol 14, No 2: JANUARI 2013 Vol 14, No 1: OKTOBER 2012 Vol 13, No 3: JUNI 2012 Vol 13, No 2: FEBRUARI 2012 VOL 13, NO 1: OKTOBER 2011 Vol 12, No 3: JUNI 2011 Vol 12, No 2: FEBRUARI 2011 Vol 12, No 1: OKTOBER 2010 Vol 11, No 2: FEBRUARI 2010 Vol 11, No 1: OKTOBER 2009 Vol 10, No 1: OKTOBER 2008 Vol 9, No 3: JUNI 2008 Vol 9, No 2: FEBRUARI 2008 Vol 9, No 1: OKTOBER 2007 Vol 8, No 3: JUNI 2007 Vol 8, No 2: FEBRUARI 2007 EDISI KHUSUS: OKTOBER 2007 Vol 8, No 1: OKTOBER 2006 Vol 7, No 3: JUNI 2006 Vol 7, No 2: FEBRUARI 2006 EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006 Vol 7, No 1: OKTOBER 2005 Vol 6, No 3: JUNI 2005 Vol 6, No 2: FEBRUARI 2005 Vol 6, No 1: OKTOBER 2004 Vol 5, No 3: JUNI 2004 Vol 5, No 2: FEBRUARI 2004 Vol 5, No 1: OKTOBER 2003 Vol 4, No 3: JUNI 2003 Vol 4, No 2: FEBRUARI 2003 Vol 4, No 1: OKTOBER 2002 Vol 3, No 3: JUNI 2002 Vol 3, No 2: FEBRUARI 2002 Vol 3, No 1: OKTOBER 2001 Vol 2, No 3: JUNI 2001 Vol 2, No 2: FEBRUARI 2001 Vol 2, No 1: OKTOBER 2000 Vol 1, No 3: JUNI 2000 Vol 1, No 2: FEBRUARI 2000 Vol 13, No 4: Edisi Khusus Material untuk Kesehatan More Issue

Home Page

OAI Link

Editorial Team

Contact

Reviewer

Google Scholar

Contact Name
-

Contact Email
-

Phone
-

Journal Mail Official
-

Editorial Address
-

Location
Kota adm. jakarta selatan,

Dki jakarta

INDONESIA

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Home Page

OAI Link

Editorial Team

Contact

Reviewer

Google Scholar

Contact Name -

Contact Email -

Phone -

Journal Mail Official -

Editorial Address -

Location Kota adm. jakarta selatan, Dki jakarta INDONESIA

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Contact Name
-

Contact Email
-

Phone
-

Journal Mail Official
-

Editorial Address
-

Location
Kota adm. jakarta selatan,

Dki jakarta

INDONESIA