Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2021 - 2026
0
P-Index
This Author published in this journals
All Journal Ganendra: Majalah IPTEK Nuklir Jurnal Sains Materi Indonesia ROTOR: JURNAL ILMIAH TEKNIK MESIN Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA)
Tjipto Sujitno
Unknown Affiliation
Astronomy Automotive Engineering Computer Science & IT Earth & Planetary Sciences Electrical & Electronics Engineering Energy Engineering Industrial & Manufacturing Engineering Materials Science & Nanotechnology Mathematics Mechanical Engineering Physics Other

Published : 14 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 14 Documents
Search

 1   2 
LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS Tjipto Sujitno; Trimardji Atmono; Sayono Sayono; Lely Susita
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 9 Nomor 2 Juli 2006
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (447.27 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2006.9.2.172

Abstract

LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS. Telah dibuat sensor gas dari bahan lapisan tipisZnO dengan sistem larik menggunakan teknik D-C sputtering. Tujuan dari pembuatan sistem larik ini adalah untukmenyederhanakan sistem, memperkecil konsumsi daya dan untuk memperkecil tahanan lapisan tipis yang terbentuk.Untuk maksud tersebut sistem pemanas dibuat dari lapisan tipis emas dengan sistem larik dan ditumbuhkan padasalah satu sisi substrat alumina (Al2O3), sedangkan sistem elektroda dari lapisan tipis emas juga dalam bentuk sistemlarik ditumbuhkan pada sisi yang lainnya. Selanjutnya lapisan tipis ZnO ditumbuhkan di atas elektroda menggunakanteknik sputtering. Dari hasil pengujian sistem pemanas dari tegangan baterai 1,5 volt hingga 9 volt diperoleh hasiltemperatur sebesar 295 0C yang merupakan temperatur operasi sensor dicapai pada tegangan 4,5 volt, sedangkanuntuk tegangan pemanas 9 volt, lapisan tipis pemanas mengelupas (rusak). Dari pengujian respon sensor untukberbagai gas uji juga diperoleh hasil bahwa dengan sistem larik ternyata resistansinya juga semakin kecil, sebagaicontoh resistansi untuk sistem satu larik sebesar 150 MΩ sedangkan resistansi untuk sistem 3 larik sebesar 39 MΩ.Berdasar uji sensitivitas sensor juga diperoleh hasil bahwa dengan jumlah larik yang lebih banyak ternyata sensorlebih sensitif. Dari hasil analisis struktur mikro menggunakan SEM teramati bahwa lapisan tipis ZnO yang terbentukterdistribuasi secara merata pada permukaan substrat sedang ketebalan lapisan tipis dalam order 1,4 μm. Darianalisa unsur menggunakan EDX teramati bahwa lapisan yang terbentuk betul-betul senyawa ZnO dengan komposisiZn = 80, 34 % massa dan O = 19,66 % massa. Dari analisa struktur kristal menggunakan XRD teramati bahwa lapisantipis ZnO yang terbentuk merupakan polikristal dengan bidang-bidang kristal (110), (022), (101), (141), (211), (002)dan (301)
UJI FUNGSI SISTEM NITRIDASI ION UNTUK PERLAKUAN PERMUKAAN Suprapto Suprapto; Tjipto Sujitno; Sayono Sayono
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 10 Nomor 2 Juli 2007
Publisher : Website

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (652.823 KB) | DOI: 10.17146/gnd.2007.10.2.163

Abstract

UJI FUNGSI SISTEM NITRIDASI ION UNTUK PERLAKUAN PERMUKAAN. Telah dilakukan uji fungsi sistemnitridasi ion untuk perlakuan permukaan. Uji fungsi bertujuan untuk mengetahui kinerja sistem nitridasi ion yang telahdirancang bangun untuk meningkatkan kekerasan permukaan logam. Dalam uji fungsi dilakukan uji kevakuman,penggunaan sistem nitridasi ion untuk nitridasi cuplikan (baja poros) dan karakterisasi cuplikan hasil nitridasi. Hasil ujikevakuman menunjukkan bahwa kevakuman dengan tabung reaktor plasma dan tanpa tabung reaktor plasma tidakmenunjukkan perbedaan yang signifikan yaitu 3,7 x 10-2 mbar dan 3 x 10-2 mbar sehingga kebocoran yang terjadicukup kecil. Uji penggunaan sistem nitridasi ion menunjukkan bahwa: nitridasi dengan campuran gas N2 dan H2 dapatmengoptimalkan proses nitridasi sehingga diperoleh kekerasan yang lebih tinggi dibanding pada proses nitridasidengan gas N2 yaitu 868,5 KHN dengan kekerasan 4,05 kali kekerasan sebelum dinitridasi, sedangkan dengan gas N2didapatkan kekerasan 523,5 KHN. Pengamatan kedalaman difusi nitrogen dengan pengujian kekerasan penampangmelintang dan struktur mikro mendekati sama terbukti bahwa pengukuran kekerasan melintang pada kedalaman 110mm hampir sama dengan material induk, sedangkan pada pengamatan struktur mikro perubahan butir terjadi sampaipada kedalaman 95 mm. Dengan hasil ini sistem nitridasi ion dapat berfungsi dengan baik untuk proses nitridasisehingga dapat meningkatkan kekerasan permukaan.
THE EFFECT OF DEPOSITION TIME OF He-CH4TOSURFACE ROUGHNESS ON AISI 410 STEEL SURFACE Wahyu Anhar; Viktor Malau; Tjipto Sujitno
ROTOR Vol 9 No 1 (2016)
Publisher : Jurusan Teknik Mesin Fakultas Teknik Universitas Jember

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (136.812 KB)

Abstract

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh waktu pendeposisian He-CH4(helium-metana) pada permukaan baja AISI 410 terhadap angka kekasaran permukaan. Proses pendeposisian He-CH4 dapat dilakukan dengan plasma chemical vapor deposition (plasma CVD). Campuran gas He-CH4 dideposisikan di permukaan baja AISI 410 menggunakan temperatur 300 °C dan tekanan 2 mbar. Variasi waktu pendeposisian yaitu 1, 2, 3, 4, dan 5 jam. Perbandingan campuran gas He-CH4 adalah 76% He dan 24% CH4. Pengujian angka kekasaran permukaan menggunakan instrumen pengukur kekasaran permukaan Surfcom 120A. Berdasarkan hasil pengujian angka kekasaran permukaan didapatkan bahwa terjadi peningkatan angka kekasaran permukaan diawal pendeposisian. Angka kekasaran raw material sebesar 0,04 μm meningkat menjadi 0,1 μm setelah 2 jam pendeposisian. Penambahan waktu pendeposisian setelah melewati 4 jam menurunkan angka kekasaran menjadi 0,05 μm. Penambahan waktu pendeposisian menyebabkan permukaan lapisan menjadi halus dan rata.
STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY OF THE EFFECT OF SUBSTRATE TEMPERATURE ON THE OPTICAL AND ELECTRICAL PROPERTIES OF SnS THIN FILMS SEMICONDUCTORPREPARED USING VACUUM EVAPORATION TECHNIQUE. Rully Fakhry Muhammad; Tjipto Sujitno
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 5, No 5 (2016): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi suhu substrat terhadap sifat optik dan listrik lapisan tipis Tin Sulfide (SnS) hasil preparasi menggunakan teknik vakum evaporasi. Sampel berupa lapisan tipis SnS hasil preparasi menggunakan metode vakum evaporasi pada tekanan 2 x 10−5 mbar, berat bahan 0,250gram, spacer 15 cm. dan pada berbagai variasi suhu substrat yaitu pada tanpa suhu substrat, 250 oC, 350 oC, 500 oC dan 550 oC. Karakterisasi sifat listrik dilakukan menggunakan probe empat titik (FPP, four point probe) sedang sifat optik lapisan tipis dikarakterisasi menggunakan spectroscopy UV-Vis. Hasil karakterisasi FFP menunjukkan bahwa lapisan tipis SnS merupakan semikonduktor tipe P dengan resistivitas sebesar 0,466x103Ω-cm, resistansi sebesar 1,837x105Ω untuk suhu 500 ○C dan resistivitas sebesar 0,360x103Ω-cm, resistansi sebesar 1,421x105Ω untuk suhu 550 ○C. Dari data pengukuran sifat optik menggunakan UV-Vis, untuk substrat tanpa pemanasan substrat, 250°C, 350°C, 500°C dan 550°C diperoleh energi gap 1,65 eV, 1,63 eV, 1,65 eV, 1,65 eV dan 1,66 eVKata kunci: Lapisan tipis semikonduktor Sns, metode evaporasi, energy gapAbstractThe aim of this research is to investigate the influence of substrate temperature on the optical and electrical properties of tin sulfide (SnS) thin film prepared using vacuum evaporation technique.The sample was thin film of SnS which is produced by vacuum evaporation process at 2 x 10−5 mbar of pressure, the material weight was 0,250 gram, the used spacer was 15 cm, and for various of substrate temperature such as unheated substrate, 250 oC, 350 oC, 500 oC and 550 oC. Characterization of electrical properties were measured by four point probe (FPP), while optical properties were measured by using spectroscopy UV-Vis. The result of FPP characterization showed that SnS tin film was included to P-Type of semiconductor with 0,466 x 103Ω-cm of resitivity, 1,837 x 105Ω of resistance for 500 oC and resistivity was 0,360 x 103Ω-cm, resistance was 1,421 x 105Ω. From the data of optical properties measurement using Uv-Vis, substrate unheating, 250°C, 350°C, 500°C and 550°C has 1,65 eV, 1,63 eV, 1,65 eV, 1,65 eV and 1,66 eV of gap energyKeywords: SnS thin film semiconductor, evaporation methods, and gap energy.
Co-Authors Ahmadi, Haerul Bambang Siswanto Bunyamin Arsyad Dwi Priantoro Lely Susita Ravendianto Ravendianto Rizky Abdul Aziz Rully Fakhry Muhammad Sayono Sayono Slamet Santoso Sophie Hapsari Sudjatmoko Sudjatmoko Suharni Suharni Suprapto Suprapto Suprapto Suprapto Taufik Taufik Trimardji Atmono Viktor Malau Wirjoadi Wirjoadi Wiwien Andriyanti