Komang Ngurah Suarbawa
Program Studi Fisika, FMIPA, Universitas Udayana, Kampus Bukit Jimbaran, Badung, Bali, Indonesia, 80361

Published : 28 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 1 Documents
Search
Journal : Jurnal Sains Materi Indonesia

PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODE PULSED LASER DEPOSITION I Gusti Agung Putra Adnyana; Komang Ngurah Suarbawa; I Ketut Sukarasa
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol 11, No 1: OKTOBER 2009
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (285.47 KB) | DOI: 10.17146/jsmi.2009.11.1.4560

Abstract

PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA GaN TERHADAP STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DENGAN METODE PULSED LASER DEPOSITION. Telah dilakukan studi pengaruh ketebalan lapisan penyangga Galium Nitrida, GaN terhadap struktur kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metode Pulsed Laser Deposition (PLD). Lapisan penyangga ditumbuhkan pada suhu 450ºC dan laju aliran nitrogen 100 sccm dengan waktu deposisi divariasikan antara 15 menit sampai 45 menit. Film yang diperoleh dikarakterisasi dengan Profilometer DEKTAK IIA, Difraktometer sinar-X dan Spektroskopi UV-Vis. Ketebalan lapisan penyangga berpengaruhterhadap kualitas kristal dan sifat optik film tipis GaN yang ditumbuhkan di atasnya. Dari hasil analisis pola difraksi sinar-X dan spektrum UV-Vis, diketahui bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas lapisan penyangga dengan ketebalan 184,6Å cenderungmemiliki orientasi tunggal (0002) yang lebih baik dengan Full Width at Half-Maximum (FWHM) 0,9º dan energi celah pita (Eg) = 3,4 eV dibanding film tipis GaN dengan ketebalan lapisan penyangga 370,2 Å dan 560 Å.