Garuda - Garba Rujukan Digital

Article Per Year (5 Year)

All

Ganendra: Majalah IPTEK Nuklir

ganendra
Website

Published by Badan Tenaga Nuklir Nasional

ISSN : 14106957 EISSN : 25035029 DOI : https://doi.org/10.17146/gnd

Core Subject : Science, Education,

Computer Science & IT Other

Jurnal Iptek Nuklir Ganendra merupakan jurnal ilmiah hasil litbang dalam bidang iptek nuklir, diterbitkan oleh Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan (PTAPB) - BATAN Yogyakarta. Frekuensi terbit dua kali setahun setiap bulan Januari dan Juli.

Arjuna Subject : -

Articles 236 Documents

5 6 7 8 9

PEMBUATAN DAN ANALISIS EXCITER GENERATOR RF UNTUK SIKLOTRON PROTON DECY-13 Prajitno Prajitno
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 14 Nomor 2 Juli 2011
Publisher : Website

PEMBUATAN DAN ANALISIS EXCITER GENERATOR RF UNTUK SIKLOTRON PROTON DECY-13.Telah dilakukan analisis dan pembuatan exciter generator RF untuk siklotron proton 13MeV. Generator RFakan digunakan sebagai sumber tegangan pemercepat bolak-balik siklotron DECY-13 rancangan PTAPBBATAN.Berdasarkan dokumen rancangan dasar yang telah dibuat siklotron Decy-13 akan menggunakanmedan magnet 1,275 Tesla, sehingga frekuensi generator RF bila menggunakan harmonik keempat adalah77,667 MHz. Salah satu teknik pembangkitan sinyal radio frekuensi untuk siklotron yang saat inidikembangkan di dunia adalah dengan teknik Direct Digital Synthesizer (DDS).Teknologi DDS adalah sirkuit arsitektur inovatif yang memungkinkan manipulasi frekuensi dengan cepatdan tepat pada keluarannya dan sepenuhnya di bawah kontrol digital. Prototip exciter generator RF yangtelah dibuat menggunakan DDS tipe AD9851 buatan Analog Device dengan frekuensi dasar 30 MHz. dandikendalikan oleh mikrokontroler ATmega16. Untuk menghindari timbulnya frekuensi yang tidak diharapkanpada keluarannya, keluaran DDS dilewatkan rangkaian band pass filter pasif. Hasil pengujian menunjukkanbahwa rentang frekuensi keluaran exciter adalah 2 MHz dengan frekuensi tengah 77,667 MHz. dan stopband -3dB. Sedangkan keluaran daya RF 10 Watt memerlukan catu daya + 12 V dengan arus 2,9 A.Meskipun prototip sudah berhasil dibuat dan hasilnya sesuai yang diharapkan, tetapi masih perludisempurnakan.Kata kunci: Exciter, generator RF, band pass filter, siklotron

SUMBER ELEKTRON TIGA ELEKTRODA MENGGUNAKAN TABUNG PEMERCEPAT NEC UNTUK MBE-LATEKS 300kV/20 mA Darsono Darsono; Suprapto Suprapto; Taufik Taufik
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 20 Nomor 2 Juli 2017
Publisher : Website

SUMBER ELEKTRON TIGA ELEKTRODA MENGGUNAKAN TABUNG AKSELERATOR NEC UNTUK MBE-LATEKS 300kV/20 mA. Pada makalah ini dilaporkan hasil disain, konstruksi, dan karakterisasi sumber elektron (SE) tiga elektroda untuk mesin berkas elektron (MBE) lateks dengan memanfaatkan tabung pemercepat buatan NEC (National Electric Coorporation) sebagai ruang dan elektroda sumber elektron. Metode yang digunakan dengan mendisain flange untuk menempatkan filamen, katoda Pierce, dan anoda pemfokus yang terisolasi dengan katoda, kemudian flange ini dimuatkan pada tabung pemercepat yang telah dilepas 2 elektrodanya sehingga terbentuk struktur sumber elektron 3 elektroda jenis Pierce. Bentuk lintasan berkas elektron pada tabung pemercepat disimulasi menggunakan program OPERA-3D untuk variasi parameter posisi filamen relatif terhadap ujung lubang katoda Pierce 3; 1,5; -1,5; dan -2,5 mm menggunakan 1 tabung pemercepat. Dilanjutkan simulasi untuk beda tegangan katoda dan anoda pemfokus 5, 10, dan 15 kV menggunakan 2 tabung pemercepat. Selanjutnya dilakukan konstruksi dan karakterisasi profil dan arus berkas elektron keluarannya. Hasil penelitian menunjukkan bahwa pada posisi filamen -2,5 mm menghasilkan lintasan berkas elektron paling sedikit divergen dan merambat sejajar pada sumbu aksial 2 tabung pemercepat pada beda tegangan katoda dan anoda pemfokus 15 kV. Profil berkas elektron sangat ditentukan oleh tegangan anoda pemfokus. Besarnya keluaran arus berkas elektron sangat ditentukan oleh tegangan anoda ekstraksi dengan hasil terbesar 50 mA. SE yang dibuat ini memenuhi spesifikasi yang dibutuhkan untuk MBE lateks.

IMPLANTASI ION YTTRIUM UNTUK MENGHAMBAT LAJU OKSIDASI PADUAN TiAl PADA SUHU 800 °C Lely Susita; Sayono Sayono; Tjipto Sujitno; Slamet Santoso
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 12 Nomor 2 Juli 2009
Publisher : Website

IMPLANTASI ION YTTRIUM UNTUK MENGHAMBAT LAJU OKSIDASI PADUAN TiAl PADA SUHU 800°C.Paduan TiAl merupakan material yang mempunyai potensi sangat besar sebagai material struktur pada temperaturmenengah (600 – 850 °C) untuk industri otomotif dan ruang angkasa, karena mempunyai densitas rendah (3,8 gr/cm3)dan kekuatan mekanik yang tinggi. Pada kisaran suhu ini terbentuk lapisan nonproteksi yang menyebabkan lajupertumbuhan oksida yang cepat. Peningkatan sifat ketahanan oksidasi suatu material memerlukan rekayasapermukaan karena oksidasi biasanya dimulai dari permukaan. Dalam penelitian ini telah dilakukan implantasi ionyttrium (Y) pada permukaan paduan TiAl untuk meningkatkan sifat ketahanan oksidasi paduan tersebut. Dari hasilpengamatan difraksi sinar X pada paduan TiAl menunjukkan bahwa implantasi ion Y menyebabkan terbentuk lapisanTi4Al43Y6 dan Y3Al2 serta lapisan oksida Y2O3, YTiO3 dan Y2TiO5 yang dapat menghambat difusi oksigen masuk kepermukaan paduan TiAl untuk membentuk lapisan oksida, sehingga mengurangi laju oksidasi paduan TiAl.

PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B) Bambang Siswanto; Wirjoadi Wirjoadi; Sudjatmoko Sudjatmoko
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 8 Nomor 2 Juli 2005
Publisher : Website

PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-Si:H:B). Telah dilakukan deposisibahan Si:B pada permukaan substrat kaca dengan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukan untuk beberapaparameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapat diperolehlapisan tipis (a-Si:H:B) yang mempunyai konduktivitas yang memadai sebagai bahan sel surya. Target adalahbahan silikon yang telah dicampur boron dengan konsentrasi (0,1; 0,3; 0,5; 0,7) % berat. Variasi waktu deposisiadalah (0,5 - 2) jam, tekanan gas (1,1 ´ 10-1 - 1,4 ´ 10-1) Torr dan suhu substrat (150–300) oC, sedangkan gasreaktif hidrogen selama proses deposisi dibuat tetap sebesar 4 sccm. Pengukuran sifat listrik dilakukan denganprobe empat titik, konduktivitas dihitung dengan pendekatan rumus matematik. Hasil penelitian menunjukkan bahwaresistansi terkecil sebesar R = 2,73 ´ 108 W, ini diperoleh pada kondisi percobaan, waktu deposisi 1,5 jam, tekanangas 1,4 ´ 10-1 Torr dan suhu substrat 200 oC. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa parameter proses di atasmerupakan parameter deposisi yang optimum untuk pembuatan lapisan tipis (a-Si:H:B).

OPTIMASI KONDISI PEMBUATAN ZIRCONIUM BASIC SULPHATE (ZBS) DARI ZIRCONIUM OXYCHLORIDE (ZOC). Endang Susiantini
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 16 Nomor 1 Januari 2013
Publisher : Website

Zirkonium merupakan bahan yang baik untuk dimanfaatkan dalam industri nuklir maupun industri non nuklir.Dalam industri nuklir, zirkonium adalah bahan yang strategis karena mempunyai tampang lintang absorpsi netron rendah. Tujuan penelitian ini adalah untuk mencari kondisi optimum proses pengendapan ZBS agar mendapatkan endapan ZBS yang terbanyak. Metode pembuatan ZBS yaitu dengan menambahkan larutan sulfat dari H2SO4 ke dalam larutan ZOC, dipanaskan dan diaduk dalam kurun waktu tertentu sampai terbentuk endapan ZBS. Endapan disaring dan dicuci untuk menghilangkan pengotor-pengotor seperti Fe, Ti, U dan Th. Umpan ZOC yang digunakan adalah hasil proses dari peleburan pasir zirkon yang berkadar 72 g Zr/L ditambah H2SO4 di dalam refluk yang dilengkapi dengan pengatur suhu sampai reaksi sempurna.. Diperoleh endapan putih ZBS berbentuk slurry, endapan dipisahkan dari filtrat dan disaring, filtrat dianalisis kandungan zirkoniumnya dengan XRF untuk setiap variabel proses. Kondisi optimum proses adalah pH = 1,3 konsentrasi umpan = 0,2 M ,suhu reaksi = 90 oC dan waktu pemanasan = 60 menit dan konversi endapan ZBS = 94,35% -96,78 %.

KINETIKA PELARUTAN ITRIUM HIDROKSIDA DALAM HCl Maria Veronica Purwani; Suyanti Suyanti
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 14 Nomor 1 Januari 2011
Publisher : Website

KINETIKA PELARUTAN ITRIUM HIDROKSIDA DALAM HCl. Telah dilakukan penelitian pelarutan konsentratlogam tanah jarang hidroksida dari pasir senotim dalam HCl. Kandungan Itrium hidroksida yang paling banyak dalamkonsentrat logam tanah jarang hidroksida hasil olah pasir senotim. Tujuan penelitian ini untuk mengetahui konstantekecepatan reaksi pelarutan itrium hidroksida dalam HCl. Parameter yang diteliti adalah suhu reaksi dan konsentrasiY (Y0) dalam konsentrat logam tanah jarang hidroksida sebagai umpan. Dari data hubungan waktu dengankonsentrasi Y dalam HCl (Y) pada berbagai variasi suhu dan konsentrasi dapat disimpulkan bahwa konstantakecepatan reaksi sangat dipengaruhi suhu dan konsentrasi pereaksi. Reaksi pelarutan keseluruhan Itrium hidroksidadalam konsentrat logam tanah jarang hidroksida hasil olah pasir senotim memakai HCl merupakan reaksi orde dua.Hubungan konstanta kecepatan orde dua (k) dengan suhu (1/T) merupakan fungsi eksponensial sehinggapersamaan Arhenius menjadi k = 0,8954e-87,7658/RT dan dapat dinyatakan juga dalam bentuk garis lurus - ln k =(1055,6/T) + 2,6088 dengan koefisien korelasi 0,8954 Dari hasi perhitungan diperoleh harga energi aktivasi sebesar87,762584 kkal/mol.0K. Hubungan konstanta kecepatan orde dua dengan konsentrasi merupakan fungsipolinomial k = -4,10-5(Y0)2 + 0,0032 (Y0) – 0,0194 dengan koefisien korelasi = A = 0,9807.

KARAKTERISTIK BERKAS PADA BEAM PORT TEMBUS DAN SINGGUNG REAKTOR KARTINI Tegas Sutondo, Syarip
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 17 Nomor 2 Juli 2014
Publisher : Website

ABSTRAK KARAKTERISTIK BERKAS PADA BEAM PORT TEMBUS DAN SINGGUNG REAKTOR KARTINI. Telah dilakukan serangkaian perhitungan untuk mempelajari karakterisitk berkas neutron dan foton gamma pada beam port tembus dan singgung menggunakan program MCNPX. Kegiatan ini terkait dengan rencana perancangan dan penyediaan fasilitas eksperimen PGNAA (Prompt Gamma Neutron Activation Analysis) menggunakan sumber neutron dari salah satu beam port pada reaktor Kartini yang masih belum dimanfaatkan. Hasil dari simulasi ini akan digunakan sebagai dasar dalam pemilihan beam port yang dipandang paling sesuai untuk digunakan, berdasarkan beberapa persyaratan yang ditetapkan, seperti karakteristik spektrum neutron pada bagian keluaran beam port, dsb. Hasil evaluasi menunjukkan beam port singgung memberikan karakteristik spektrum neutron yang lebih baik dibanding beam port tembus sesuai dengan kriteria yang dipersyaratkan. Dalam hal ini nilai rasio fluks neutron termal dan epitermal terhadap fluks neutron cepat pada bagian keluaran beam port masing-masing ϕth/ϕf = 3,086 dan ϕepi/ϕf = 2,733 yang lebih tinggi dibanding untuk beam port tembus yang nilainya ϕth/ϕf = 0,803 dan ϕepi/ϕf = 0,625.

SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi Wirjoadi; Bambang Siswanto
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 11 Nomor 2 Juli 2008
Publisher : Website

SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACASEBAGAI BAHAN TCO. Telah dilakukan karakterisasi sifat optik, struktur kristal dan struktur mikro lapisan tipisZnO:Al hasil deposisi pada substrat kaca sebagai bahan Transparent Conducting Oxide (TCO) untuk sel suryadengan metode DC sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk memperoleh hasil lapisan tipis ZnO:Al yang dapatdigunakan sebagai bahan TCO untuk sel surya. Parameter sputtering optimum diperoleh pada kondisi suhu substrat450 oC, tekanan gas 6 x 10-2 torr dan waktu deposisi 1,5 jam. Sifat optik (transmitansi) lapisan tipis ZnO dan ZnO:Almasing-masing (62 - 80) % dan (20 - 68) % pada posisi panjang gelombang (400 - 800) nm. Struktur kristal lapisantipis ZnO dan ZnO:Al terorientasi pada bidang (002) masing-masing dengan sudut hamburan 2q = 34,810o dan34,715o atau terorientasi pada arah sumbu-c yang tegak lurus pada permukaan substrat. Hasil pengamatan strukturmikro dengan SEM, menunjukkan bahwa morfologi permukaan berbentuk butiran-butiran kecil yang terdistribusi cukuphomogen dan mempunyai ketebalan sekitar 1,5 mm untuk lapisan tipis ZnO, sedangkan untuk lapisan tipis ZnO:Alketebalannya sekitar 1,0 mm.

PENGARUH IRADIASI GAMMA TERHADAP BEBERAPA SIFAT FISIKO-KIMIA BAHAN PANGAN OLAHAN JAMUR idrus kadir
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 22 Nomor 2 Juli 2019
Publisher : Website

PENGARUH IRADIASI GAMMA TERHADAP BEBERAPA SIFAT FISIKO-KIMIA BAHAN PANGAN OLAHAN JAMUR. Telah dilakukan penelitian pengaruh iradiasi gamma tehadap sifat fisiko-kimia dan mikrobiologi pepes jamur tiram. Pepes jamur tiram (Pleurotus ostreatus) merupakan salah satu jenis bahan pangan olahan siap saji dari jamur pangan (edible mushroom). Tujuan penelitian ini adalah untuk mengetahui pengaruh iradiasi gamma dosis sedang terhadap kualitas pepes jamur tiram selama penyimpanan. Bahan pepes jamur yang telah disiapkan dalam kemasan daun pisang, dimasak lalu didinginkan dan selanjutnya dikemas vakum (tanpa oksigen) dengan plastik polietilen HDPE laminasi. Pepes jamur tiram yang telah dikemas dalam plastik tersebut dimasukkan ke dalam kotak Styrofoam yang berisi CO2 padat (-79oC) selanjutnya diiradiasi pada dosis 5 dan 7,5 kGy, dan tanpa iradiasi sebagai kontrol. Setelah diiradiasi sampel disimpan pada penyimpanan dingin (kulkas). Pengujian sampel dilakukan segera setelah iradiasi atau 0 minggu, 2, 4, 6, dan 8 minggu, dengan parameter pengujian meliputi pengujian sifat fisiko-kimia, mikrobiologi dan pengujian subyektif sifat organoleptik. Pengujian sifat fisiko-kimia meliputi kadar air, pH, aktivitas air (Aw), kadar lemak, kadar protein, bilangan asam, Thiobarbituric (TBA), dan aktivitas antioksidan, sedangkan pengujian mikrobologi meliputi total bakteri aerob dan total kapang & khamir. Hasil penelitian menunjukkan bahwa iradiasi dosis sedang tidak mempengaruhi kadar air, pH, aktrivtas air (Aw), kadar lemak dan kadar protein pepes jamur, sedangkan bilangan asam, TBA, dan aktivitas antioksidan mengalami perubahan terutama karena penyimpanan. Secara umum kualitas organoleptik pepes jamur kontrol (tanpa iradiasi) hanya bertahan sampai 2 minggu, sedangkan pepes jamur yang diiradiasi 5-7,5 kGy dapat bertahan sampai 8 minggu penyimpanan.

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto; Wirjoadi Wirjoadi; Trimardji Atmono; Yunanto Yunanto
GANENDRA Majalah IPTEK Nuklir Volume 9 Nomor 2 Juli 2006
Publisher : Website

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-Si:H:B UNTUK BAHAN SEL SURYA. Telah dideposisikanlapisan tipis a-Si:H:B pada substrat kaca dengan menggunakan teknik plasma sputtering DC. Deposisi dilakukanuntuk beberapa parameter proses yang meliputi: waktu deposisi, tekanan gas dan suhu substrat dengan tujuan dapatdiperoleh beberapa lapisan tipis a-Si:H:B yang mempunyai sifat optik yang sesuai untuk bahan sel surya. Variasiwaktu deposisi (0,5 s/d 2 jam), tekanan gas (1,1 s.d 1,4×10-1 torr) dan suhu substrat (150 s.d 300 oC), sedangkanaliran gas reaktif hidrogen ditetapkan sebesar 4 sccm. Target dari bahan silikon yang telah dicampur boron dengankonsentrasi (0,1, 0,3, 0,50, 0,7) % berat. Dari analisa sifat optik menggunakan spektrofotometer UV-Vis diperolehtransmitansi optik maksimum 47 % yang diperoleh pada panjang gelombang 700 nm. Koefisien serapan dan lebarenergi gap untuk lapisan tipis a-Si:H:B masing-masing sebesar 3,49×104 m-1 dan 1,77 eV.

Page 7 of 24 | Total Record : 236

5 6 7 8 9

Filter by Year

2002 2023

Filter By Issues

All Issue Volume 26 Nomor 2, 2023 Volume 26 Nomor 1, 2023 Volume 24 Nomor 2 Juli 2021 Volume 24 Nomor 1 Januari 2021 Volume 23 Nomor 2 Juli 2020 Volume 23 Nomor 1 Januari 2020 Volume 22 Nomor 2 Juli 2019 Volume 22 Nomor 1 Januari 2019 Volume 21 Nomor 2 Juli 2018 Volume 21 Nomor 1 Januari 2018 Volume 20 Nomor 2 Juli 2017 Volume 20 Nomor 1 Januari 2017 Volume 19 Nomor 2 Juli 2016 Volume 19 Nomor 1 Januari 2016 Vol 18, No.2 (2015) Volume 18 Nomor 1 Januari 2015 Volume 17 Nomor 2 Juli 2014 Volume 17 Nomor 1 Januari 2014 Volume 16 Nomor 2 Juli 2013 Volume 16 Nomor 1 Januari 2013 Volume 15 Nomor 2 Juli 2012 Volume 15 Nomor 1 Januari 2012 Volume 14 Nomor 2 Juli 2011 Volume 14 Nomor 1 Januari 2011 Volume 13 Nomor 2 Juli 2010 Volume 13 Nomor 1 Januari 2010 Volume 12 Nomor 2 Juli 2009 Volume 12 Nomor 1 Januari 2009 Volume 11 Nomor 2 Juli 2008 Volume 11 Nomor 1 Januari 2008 Volume 10 Nomor 2 Juli 2007 Vomor 10 Nomor 1 Januari 2007 Volume 9 Nomor 2 Juli 2006 Volume 9 Nomor 1 Januari 2006 Volume 8 Nomor 2 Juli 2005 Volume 8 Nomor 1 Januari 2005 Volume 7 Nomor 2 Juli 2004 Volume 7 Nomor 1 Januari 2004 Volume 6 Nomor 2 Juli 2003 Volume 6 Nomor 1 Januari 2003 Volume 5 Nomor 2 Juli 2002 Volume 5 Nomor 1 Januari 2002 More Issue

Home Page

OAI Link

Editorial Team

Contact

Reviewer

Google Scholar

Contact Name
-

Contact Email
-

Phone
-

Journal Mail Official
ganendra@batan.go.id

Editorial Address
Jl. Babarsari Kotak Pos 6101 ykbb, Yogyakarta 55281

Location
Kota adm. jakarta selatan,

Dki jakarta

INDONESIA

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Home Page

OAI Link

Editorial Team

Contact

Reviewer

Google Scholar

Contact Name -

Contact Email -

Phone -

Journal Mail Official ganendra@batan.go.id

Editorial Address Jl. Babarsari Kotak Pos 6101 ykbb, Yogyakarta 55281

Location Kota adm. jakarta selatan, Dki jakarta INDONESIA

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Contact Name
-

Contact Email
-

Phone
-

Journal Mail Official
ganendra@batan.go.id

Editorial Address
Jl. Babarsari Kotak Pos 6101 ykbb, Yogyakarta 55281

Location
Kota adm. jakarta selatan,

Dki jakarta

INDONESIA