Garuda - Garba Rujukan Digital

p-Index From 2021 - 2026

P-Index

This Author published in this journals

All Journal Jurnal Sains Materi Indonesia Jurnal Matematika & Sains Journal of Mathematical and Fundamental Sciences Jurnal Spektra Indonesian Journal of Physics (IJP)

Pepen Arifin

Kelompok Keilmuan Fisika Material Elektronik, Fakultas Matematika Dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Bandung

Author-ID : 341609

Astronomy Chemistry Computer Science & IT Earth & Planetary Sciences Electrical & Electronics Engineering Energy Engineering Materials Science & Nanotechnology Mathematics Physics

Published : 22 Documents Claim Missing Document

Claim Missing Document

Articles

1 2 3

Studi Pengaruh Rasio Masukan Sumber V/III Terhadap Distribusi Sb dan Karakteristik Kelistrikan Lapisan Tipis GaAs1-x Sbx yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD [On the Study of the Effect of Source Input V/III to the Distribution of Sb and Electricity.....] Andi Suhandi; Pepen Arifin; Maman Budiman; Muhamad Barmawi
Jurnal Matematika & Sains Vol 12, No 3 (2007)
Publisher : Institut Teknologi Bandung

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

The study of the dependence of the Sb distribution in GaAs1-xSbx films and the electric properties of the GaAs1-xSbx filmsgrown by MOCVD technique using TMGa, TDMAAs, and TDMASb to the V/III source input ratio has been done. The Sbsolid composition in GaAs1-xSbx film was determined by using Vegards law from the shift of the peak intensity of X-raydiffraction pattern. Electric properties of the GaAs1-xSbx films were investigated through room temperature Hall effectmeasurement. The results suggest that the concentration of Sb incorporation into the GaAs1-xSbx films is stronglyaffected by V/III source input ratio. For V/III source input ratio of unity, the Sb distribution coefficient, which is theratio of the Sb composition in GaAs1-xSbx solid to the Sb vapor input mole fraction, is nearly unity. The Sb distributioncoefficient decreases with increasing of V/III source input ratio, for V/III input ratio langer than 1. The range of carriermobility are between 200 â 430 cm2/V.s, depending on the V/III input ratio, and the Sb composition. The highest carriermobility occurred at V/III input ratio of approximately one.

Electrical Characteristics and Annealing Effect on Al/n-GaSb Schottky Diode Doped Using DMTe Ari Handono Ramelan; Harjana Harjana; Pepen Arifin; Ewa Goldys
Jurnal Matematika & Sains Vol 15, No 3 (2010)
Publisher : Institut Teknologi Bandung

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

The electrical properties of Al/n-GaSb Schottky diodes, doped with 1.4 Ã 1018 cmâ3 (tellurium) were examined.Â C-V (capacitance-voltage) measurements at 300 K show barrier heights of 0.63 eV, compared to 0.59 eV determined from room temperature I-V (current-voltage)Â measurements. The voltage and frequency dependence on the capacitance is due to the ideality factor of the Schottky barrier and due to a high series resistance.Â At low frequency the measured capacitance is dominated by the depletion capacitance of the Al/n-GaSb Schottky diode which is bias-dependent and frequency-dependent. The diode shows a strong temperature dependence of ideality factor from approximately 3.6 at room temperature to as high as 6.7 at 140 K.Â There may be a small portion of the device nonideality attributable to generation-recombination currents due to deep levels in GaSb. The barrier height decreased from 0.57 eV to 0.35 eV for the sample annealed at 300oC for 1 minute.

SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD VERTIKALMENGGUNAKAN TMGa AND TDMAAs Suhandi1, Andi; Tayubi, Yuyu R.; Arifin, Pepen
Jurnal Spektra Vol 15, No 1 (2014): Spektra: Jurnal Fisika dan Aplikasinya
Publisher : Jurnal Spektra

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Telah dilakukan studi eksperimen untuk meneliti pengaruh penggunaan sumber metalorganik baru yakni trimethylgalliumÂ (TMGa) dan trisdimethylaminoarsenic (TDMAAs) yang dikombinasi dengan variasi temperatur penumbuhan terhadap sifatÂ optik film tipis GaAs yang ditumbuhkan dengan teknik vertical-metalorganic chemical vapor depositions (MOCVD-Vertikal)Â di atas substrat SI-GaAs. Pengukuran photoluminescence pada suhu ruang (RT-PL) telah dilakukan untuk menginvestigasiÂ sifat optik film tipis GaAs hasil penumbuhan. Puncak spektrum PL pada suhu ruang untuk film tipis GaAs di atas substrat SIGaAsÂ terjadi pada panjang gelombang eksitasi sekitar 8725 Ã. Panjang gelombang eksitasi ini bersesuaian dengan nilai celahÂ pita energi optik (optical bandgap, Eg) GaAs hasil penumbuhan sekitar 1,43 eV. Puncak intensitas spektrum PL nilainyaÂ bervariasi terhadap temperatur penumbuhan. Dalam rentang temperatur penumbuhan yang digunakan dalam studi ini, puncakintensitas spektrum PL tertinggi terjadi pada film tipis GaAs yang ditumbuhkan dengan temperatur 580oC. TemperaturÂ penumbuhan optimum ini lebih kecil dibanding temperatur penumbuhan optimum untuk film tipis GaAs yang ditumbuhkanÂ dengan menggunakan sumber-sumber metalorganik konvensional. Hasil ini menunjukkan keefektifan penggunaan TDMAAsÂ dalam mereduksi temperatur untuk penumbuhan film tipis GaAs dengan teknik MOCVD-Vertikal.Kata Kunci: Sifat Optik, Film Tipis GaAs, MOCVD Vertikal, Temperatur Penumbuhan

PENGARUH KANDUNGAN OKSIGEN FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD TERHADAP RESPON FEROMAGNETIKNYA Horasdia Saragih; Edy Supriyanto; Mujamilah Mujamilah; Pepen Arifin; Mohamad Barmawi
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

PENGARUH KANDUNGAN OKSIGEN FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD TERHADAP RESPON FEROMAGNETIKNYA. Penumbuhan film tipis TiO2-Co telah dilakukan di atas substrat Si dengan teknik MOCVD. Sifat feromagnetiknya diinvestigasi pada suhu ruang. Konsentrasi kandungan oksigen pada matriks kisi kristal film direkayasa melalui proses penganilan. Film tipis TiO2-Co sebelum dianil menunjukkan sifat feromagnetik pada suhu ruang. Karakteristik magnetik, Ms dan Hc bervariasi untuk setiap film. Nilai Ms bertambah dengan bertambahnya konsentrasi Co. Namun nilai momen magnetik rata-rata per atom Co menurun pada saat konsentrasi Co pada film bertambah. Film tipis TiO2.Co dianil pada tekanan 10-3 Torr dan suhu 450 oC selama 120 menit, dan menunjukkan suatu pengurangan konsentrasi O. Pengurangan konsentrasi O meningkatkan nilai Ms film. Sesuai dengan model teori yang diusulkan oleh peneliti lain, fenomena ini diduga disebabkan oleh hadirnya kekosongan O di sekitar ion Co pada matriks kisi TiO2-Co. Seluruh film tipis hasil penumbuhan memiliki karakter magnetik lembut sebagaimana diharapkan untuk aplikasi spintronika.

FILM TIPIS RUTILE CO-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD:PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL Horasdia Saragih; Ridwan Ridwan; Mujamilah Mujamilah; Pepen Arifin; Mohamad Barmawi
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol 7, No 1: OKTOBER 2005
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

FILM TIPIS RUTILE CO-TiO2 YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD:PENGARUH SUHU ANIL TERHADAP STRUKTUR KRISTAL. Film tipis Co-TiO2 telah ditumbuhkan dengan teknik Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) di atas substrat Si(100) dengan menggunakan prekursor metalorganik titanium tetra-isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] dan tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) cobalt (III), Co(TMHD)3. Filmtipis dengan orientasi bidang tunggal rutile (002) dihasilkan dengan menggunakan parameter penumbuhan sebagai berikut: suhu bubbler (Tb(Ti)) = 50oC, suhu substrat (Ts) = 450oC, tekanan bubbler (Pb(Ti)) = 260 Torr, laju aliran gas Ar(Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O2 = 60 sccm, tekanan total penumbuhan (PTot) = 2 Torr dan laju aliran Ar(Co) ≤ 60 sccm. Film tipis dengan orientasi bidang tunggal ini dianil pada suhu 450oC, 500oC dan 550oC selama masing-masing 3 jam. Hasil penganilan dapat memperbaiki bidang kristal rutile (002). Perbaikan ini ditunjukkan oleh nilai FWHM puncak rutile (002) yang semakin kecil dengan bertambahnya nilai suhu penganilan. Penambahan bidang-bidang kristal tidak terjadi oleh penganilan sampai pada suhu 550oC. Hal ini menunjukkan bahwa film tipis Co-TiO2 memiliki kestabilan yang baik terhadap perubahan termal lingkungannya.

STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS AlxGa1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD Heri Sutanto; Agus Subagio; Edy Supriyanto; Pepen Arifin; Sukirno Sukirno; Maman Budiman; Moehamad Barmawi
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

STUDI PENGARUH KONSENTRASI AL PADA STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI FILM TIPIS AlxGa1-xN/Si(111) YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK PA-MOCVD. Film tipis AlxGa1-xN telah ditumbuhkan di atas substrat Si tipe-p dengan menggunakan teknik PA-MOCVD. Film tipis AlxGa1-xN ditumbuhkan dengan parameter-parameter: suhu substrat, laju alir N2, TMGa dan TMAl berturut-turut sebesar 700 oC; 90 sccm; 0,1 sccm dan 0,01sccm hingga 0,04 sccm. Film polikristal AlxGa1-xN yang ditumbuhkan mempunyai struktur heksagonal dengan bidang difraksi dominan (1010) dan (1011) hingga konsentrasi Al sebesar 6,78%. Diperoleh nilai kekasaran permukaan film dari pengukuran SPM pada range 11,44 nm sampai dengan 27,20 nm. Morfologi permukaan film semakin halus dengan peningkatan konsentrasi Al pada film. Penurunan nilai konstanta kisi hasil pengujian XRD terjadi karena kekosongan nitrogen pada film. Peningkatan konsentrasi Al pada film menyebabkan penurunan laju penumbuhan film tipis AlxGa1-xN yang terbentuk.

SIFAT FISIS FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD Horasdia Saragih; Ridwan Ridwan; Mujamilah Mujamilah; Pepen Arifin; Mohamad Barmawi
Jurnal Sains Materi Indonesia Vol 7, No 2: FEBRUARI 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

SIFAT FISIS FILM TIPIS TiO2-Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN TEKNIK MOCVD. Film tipis TiO2-Co telah berhasil ditumbuhkan dengan teknik MOCVD dengan menggunakan prekursor titanium (IV) isopropoxide [Ti(OCH(CH3)2)4] 99,99%dan serbuk tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato) cobalt (III) [Co(TMHD)3] 99%. Parameter penumbuhan, seperti: suhu bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 50oC, suhu substrat 450oC, tekanan bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 260 Torr, laju aliran gas argon ke bubbler Ti(OCH(CH3)2)4 100 sccm, laju aliran gas O2 60 sccm dan tekanan total penumbuhan 2 Torr, ditemukan menjadi parameter penumbuhan yang paling optimal. Struktur kristal film sangat dipengaruhi oleh kehadiran dan konsentrasi atom Co. Ukuran butiran dan kekasaran permukaan film bertambah dengan bertambahnya kandungan Co. Kemampuan larut (solubility) atom Co ke dalam matrik kisi TiO2 teramati mulai bersaturasi pada kandungan Co sekitar 12%. Film tipis TiO2-Co menunjukkan sifat feromagnetisme pada suhu ruang. Kehadiran elemen magnetik Co tidak menghilangkan karakteristik semikonduktif TiO2. Namun, resistansi film bertambah dengan bertambahnya kandungan Co.

FABRIKASI FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR FEROMAGNETIK TiO2-Co DENGAN TEKNIK MOCVD DAN PENGAMATAN MAGNETORESISTANSI Edy Supriyanto; Horasdia Saragih; Agus Subagio; Maman Budiman; Pepen Arifin; Moehammad Barmawi; Sukirno Sukirno
Jurnal Sains Materi Indonesia EDISI KHUSUS: OKTOBER 2006
Publisher : Center for Science & Technology of Advanced Materials - National Nuclear Energy Agency

FABRIKASI FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR FEROMAGNETIK TiO2-Co DENGAN TEKNIK MOCVD DAN PENGAMATAN MAGNETORESISTANSI. Film tipis TiO2-Co telah berhasil ditumbuhkan di atas subtrat Si dengan teknik MOCVD. Film tipis TiO2-Co bersifat feromagnetik pada suhu ruang, dan memiliki respon magnetik lunak (soft magnetic). Penggunaannya sebagai material injektor pada divais spintronika berstruktur TiO2-Co/Si/TiO2-Co, diinvestigasi. Karakteristik arus-tegangannya, tanpa dan dengan medan magnetik luar, dianalisa. Teramati adanya pengaruh magnetik terhadap resistansi divais yang disebut sebagai magnetoresistansi. Magetoresistansi diperoleh bergantung pada besarnya tegangan bias yang diberikan pada divais. Penambahan tegangan ke suatu nilai tertentu dapat menghilangkan efek magnetoresistansi.

Studi Pengaruh Konsentrasi Co pada Struktur Kristal dan Respon Photoluminescence Film Tipis Ti1-xCoxO2 yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD Horasdia Saragih; Pepen Arifin; Mohamad Barmawi
Journal of Mathematical and Fundamental Sciences Vol. 37 No. 2 (2005)
Publisher : Institute for Research and Community Services (LPPM) ITB

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.5614/itbj.sci.2005.37.2.2

Ti1-xCoxO2 thin films have been deposited on Si substrate by MOCVD technique. Thin films were synthesized by a single plane orientation structure of anatase-213 at various to Co concentartions up to 5,77%. Photoluminescence emission spectra of thin films showed a maximum peak at the energy of 2.8 eV. These energies did not change when increasing Co concentration in the Ti1-xCoxO2 thin films up to 5.77%. The patterns of spectrum emission only differ on the intensity and broadness of spectra. Broading occurs towards the higher energy of 2.8 eV, while the intensities were increased with increasing of Co concentration.

Studi Penumbuhan Film Tipis Ti1-xCoxO2 dengan Teknik MOCVD Menggunakan Prekursor Titanium (IV) Isopropoxide dan Tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato) Cobalt (III) Horasdia Saragih; Edy Supriyanto; Pepen Arifin; Mohammad Barmawi
Journal of Mathematical and Fundamental Sciences Vol. 38 No. 2 (2006)
Publisher : Institute for Research and Community Services (LPPM) ITB

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.5614/itbj.sci.2006.38.2.3

The Ti1-xCoxO2 thin films have been grown by MOCVD technique using titanium (IV) isopropoxide (TTIP) and tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5-heptanedionato) Cobalt (III) [Co(TMHD)3] powder precursors. The tetrahydrofuran (THF) were used as a solvent to get a Co(TMHD)3 solution. Characteristics of precursor and growth parameters were investigated. The Co concentration in thin films were varied. The room temperature ferromagnetic properties of Ti1-xCoxO2 thin films were obtained. Solubility of Co atom in TiO2 lattice were found at about 11%. The surface morphology of films are homogen and relatively smooth.

Co-Authors A. Suhandi Agus Subagio Agus Subagio Akhiruddin Maddu Andi Suhandi Andi Suhandi Ari Handono Ramelan Budi Mulyanti Edi Supriyanto Edy Supriyanto Edy Supriyanto Ewa Goldys Fitri Suryani Arsyad Goib Wiranto Harjana Harjana Heri Sutanto Hery Sutanto Horasdia Saragih Ida Hamidah Maman Budiman Maman Budiman Maman Budiman Mersi Kurniati Mikrajuddin Abdullah Moehamad Barmawi Moehamad Barmawi Moehammad Barmawi Mohamad Barmawi Mohamad Barmawi Mohamad Barmawi Mohamad Barmawi Mohamad Barmawi Mohammad Barmawi Muhamad Barmawi Mujamilah Mujamilah Mujamilah Mujamilah Mujamilah Mujamilah Ridwan Ridwan Ridwan Ridwan Sukirno Sukirno Sukirno Sukirno Sukirno Sukirno Yuyu R. Tayubi Yuyu R. Tayubi

Title

Found 22 Documents
Search

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Title Search

Found 22 Documents Search

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Abstract

Title

Found 22 Documents
Search