Claim Missing Document
Check
Articles

Found 32 Documents
Search

PENGARUH RASIO MOLAR ASAM SITRAT DAN THIOUREA PADA SPEKTRA ABSORBANSI DAN FLUORESENSI LARUTAN CARBON QUANTUM DOTS BAHTIAR, AYI
Jurnal Material dan Energi Indonesia Vol 11, No 2 (2021)
Publisher : Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | Full PDF (457.168 KB) | DOI: 10.24198/jme.v11i2.37296

Abstract

Carbon Quantum Dots (CQD) merupakan material fluoresensi 0-dimensi (0D) yang memiliki sifat-sifat fotokimia yang stabil, memiliki biokompatibilitas yang baik, dapat didispersi dalam air, tidak beracun dan mudah disintesis dengan cara yang sederhana dan ramah lingkungan serta mudah difungsionalisasi sesuai dengan kebutuhan aplikasi. Saat ini banyak dikembangkan CQD fluoresensi sebagai material sensor untuk mendeteksi kandungan logam berat, khususnya ion logam merkuri (Hg2+) dalam air tercemar, karena sifat unggul tersebut. Umumnya doping dengan atom selain karbon, seperti Nitrogen (N), Sulfur (S) atau kombinasi N dan S (doping ganda) digunakan untuk meningkatkan intensitas fluoresensi atau Fluorescence Quantum Yield dan selektifitas terhadap deteksi ion logam merkuri. Namun, masalah dalam pembuatan CQD yang terdoping adalah bagaimana mengontrol proses doping atom N dan/atau S ke permukaan CQD (CQD doping ganda N,S) agar dihasilkan sensor yang sensitif dan akurat dalam mendeteksi ion logam merkuri dalam air tercemar dalam konsentrasi yang kecil (nano-Molar, nM). Dalam penelitian ini, sintesis CQDs dilakukan dengan metode hidrotermal menggunakan asam sitrat (C6H8O7) atau CA sebagai sumber karbon (C) dan thiourea (CH4N2S) atau THU sebagai sumber doping atom N dan S. Asam sitrat dan thiourea dilarutkan dalam deionized water dengan variasi rasio molar CA:THU (1:1), (1:3) dan (1:5). Proses hidrotermal dilakukan dalam teflon autoclave pada suhu 160 °C selama 4 jam. Hasil sintesis menunjukkan bahwa larutan CQD berubah warna menjadi biru tosca ketika disinari dengan laser 365 nm, yang menunjukkan bahwa CQD dengan ukuran kurang dari 10 nm sudah terbentuk. Hasil pengukuran FTIR baik pada larutan maupun pada film CQD, menunjukkan bahwa doping atom N dan S pada CQD sudah terbentuk, yang diindikasikan adanya ikatan antara C-N pada bilangan gelombang 1450 cm-1 dan ikatan C-S pada 1112 cm-1. Hasil pengukuran EDS dari film CQDs, diperoleh bahwa rasio persen atomik N/C dan S/C pada rasio CA:THU (1:3) yang paling mendekati hasil perhitungan secara stoikiometri. Variasi molar CA dan THU mempengaruhi spektrum absorbansi dan fluoresensi larutan CQD. Spektrum absorbansi larutan CQD dengan rasio CA:THU (1:1) memiliki dua-puncak absorbansi pada panjang gelombang 326 nm dan 407 nm, sedangkan spektra absorbansi untuk rasio molar 1:3 dan 1:5 memiliki tiga-puncak yaitu di 336 nm, 407 nm dan 595 nm. Puncak absorbansi pada panjang gelombang 595 nm meningkat seiring dengan meningkatnya molar thiourea, akibat meningkatnya atom sulfur. Sedangkan dari spektrum fluoresensi, puncak spektrum emisi bergeser dari 447 nm ke 458 nm dan 475 nm, ketika rasio molar CA:THU berubah dari 1:1 menjadi 1:3 dan 1:5. Pergeseran panjang gelombang puncak emisi ini diakibatkan dengan meningkatnya jumlah atom dopan N dan S dari thiourea (THU) yang menempel di permukaan CQD.
High Preferred Orientation on c-axis of ZnO:GO Crystal Film Synthesized Under Electric Field Annisa Nur Rahmawati; Nabilah Putri Utami; Lusi Safriani; Ayi Bahtiar; Wa Ode Sukmawati Arsyad; Euis Siti Nurazizah; Annisa Aprilia
Jurnal Penelitian Fisika dan Aplikasinya (JPFA) Vol. 13 No. 2 (2023)
Publisher : Universitas Negeri Surabaya

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.26740/jpfa.v13n2.p146-159

Abstract

ZnO nanostructures show a wide range of applications as active materials in optoelectronic devices. The unique structures in 1-dimensional (1D) in combination with other potential materials (such as graphene-based) can increase several device performances. This research aims to observe the influence of an additional electric field (induced by different voltages of ±1 kV) during the growing process of the zinc oxide (ZnO): graphene oxide (GO) crystal. The ZnO:GO layers were prepared via the self-assembly method in 2 steps; the first was seed layer preparation by dip coating technique using Zn (CH3COO)2.2H2O and 0.5 (wt%) of AlCl3 as precursor and dopant, respectively. Secondly, growing ZnO rods using Zn (NO3)2·6H2O as precursor, 0.5 (wt%) GO (dispersed in water) as dopant materials, and hexamethylenetetramine (HMTA) as complexing agent. Applying an external field during self-assembly accelerated the ZnO hexagonal wurtzite crystal formation in a vertical growth direction, increasing the aspect ratio (L/d) of ZnO:GO rods. The direction of the applied external field affected the structure and morphology of the ZnO rods, which relates to ions and seed layer surface polarity during the synthesis process. The addition of an external field during the growing process induced the orderly alignment of ZnO rods, controlling growth perpendicular to the basal plane. This research has a significant scientific impact, elucidating the methods to control the 1D morphology of the ZnO growing process, which is closely related to the surface polarity properties of a material.  
Co-Authors A. Abrar - Adiperdana, Budi Aisy, Shofwah Rihadatul Aisyah Amirah Fathinah AMANDA, NUR APRILIA Anisa Oktaviani Annisa Aprilia Annisa Aprilia Annisa Nur Rahmawati ARIF BAGUS PRAKOSO Aulia Ramadhani, Putri Zahra Aulia, Azfa Azhari, Najwa Osya CHOIRY GHINA AFRILIA Choiry Ghina Afrilia Davi Putri Hanavi Diyan Unmu Dzujah Eda, Sukma Jan Edward Simanjuntak Euis Siti Nurazizah Euis Siti Nurazizah Euis Siti Nurazizah, Euis Faizal, Ferry Fitrilawati Fitrilawati Hafsah Mutmainnah Hanipah, Iip HERI FERNANDO I Made Joni Ihsanul Mubarok Inovasari Islami Irwan Ary Dharmawan Istiqamah Nurul Hikmah Jedija Monandang Aurellia Khairul Habibie KHAIRUL HABIBIE Lathif, Abdul Lusi Safriani Lusi Safriani LUTFI NAUFAL RAMADHIKA Lutfi Naufal Ramadhika M Ozaki Marcelina, Vika Maria Oktaviani MARIA OKTAVIANI MARIA OKTAVIANI, MARIA Mariah Kartawidjaja Nabila Asy Syifa Nabila Asy Syifa, Nabila Nabilah Putri Utami Norman Syakir Norman Syakir Norman Syakir, Norman Noto Susanto Gultom Nowo Riveli NUR APRILIA AMANDA PUTRIYANI, MITA Rahmat Hidayat RAHMAT HIDAYAT RAMADHIKA, LUTFI NAUFAL RESTI RAHAYU DWI AGUSTINI Richie Estrada Risdiana Risdiana RISDIANA RISDIANA RISDIANA RISDIANA, RISDIANA RIZKIA MUTIARA Rossyaila Matsna Muslimawati Rustam E. Siregar - Rustam Eefendi Siregar Rustam Efendi Siregar Sahara, Cici Citria Sahrul Hidayat Salsabil, Siti Aldora Satria Auffa SATRIA AUFFA D U SATRIA AUFFA D U, SATRIA AUFFA Siregar, R.E Sri Suryaningsih Sugandi, Adinda Sugandi Apriliani Nur Titis Amelia Togar Saragi, Togar Tuti Susilawati Tuti Susilawati TUTI SUSILAWATI Unmu Dzujah, Diyan Vika Marcelina Waode Sukmawati Arsyad Wina Mardhatillah WULANDARI, IRA Yayah Yuliah Yayah Yuliah - Yeni Kurniawati YONATAN R PURBA Yonatan R Purba YONATAN R PURBA, YONATAN R Yuli Sartika YULIASARI, FITRI