Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2021 - 2026
3.215
P-Index
This Author published in this journals
All Journal JPMS (Jurnal Pendidikan Matematika dan Sains) Reaktor Jurnal Sains Dasar Komunikasi Fisika Indonesia Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Jurnal Matematika & Sains Journal of Mathematical and Fundamental Sciences SEMIRATA 2015 JURNAL ILMIAH PENDIDIKAN FISIKA AL BIRUNI Jurnal Inovasi Pendidikan IPA Jurnal Penelitian Pembelajaran Fisika JPPPF (Jurnal Penelitian dan Pengembangan Pendidikan Fisika) JIPF (Jurnal Ilmu Pendidikan Fisika) Jurnal Penelitian Pendidikan IPA (JPPIPA) ALCHEMY Jurnal Penelitian Kimia Momentum: Physics Education Journal Al-MARSHAD: Jurnal Astronomi Islam dan Ilmu-Ilmu Berkaitan Spektra: Jurnal Fisika dan Aplikasinya Indonesian Journal of Chemistry Jurnal Pengabdian Masyarakat MIPA dan Pendidikan MIPA JURNAL INOVASI PENDIDIKAN DAN PEMBELAJARAN SEKOLAH DASAR Global Conference Index Jurnal Pendidikan Fisika dan Teknologi Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA)
Ariswan Ariswan
Department Of Physics Education, Faculty Of Mathematics And Natural Sciences, Universitas Negeri Yogyakarta
Aerospace Engineering Agriculture, Biological Sciences & Forestry Astronomy Biochemistry, Genetics & Molecular Biology Chemical Engineering, Chemistry & Bioengineering Chemistry Control & Systems Engineering Earth & Planetary Sciences Economics, Econometrics & Finance Education Electrical & Electronics Engineering Energy Engineering Environmental Science Law, Crime, Criminology & Criminal Justice Materials Science & Nanotechnology Mathematics Medicine & Pharmacology Physics

Published : 57 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 57 Documents
Search

 2   3   4   5   6 
PREPARASI DAN KARAKTERISASI LAPISAN TIPIS Sn(S0,5Te0,5) DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF THIN FILM Sn(S0,5 Te0,5) WITH VACUM EVAPORATION TECNIQUES Wahyu Lestari; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 2 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh suhu substrat terhadap kualitas lapisan tipis Sn(S0,5Te,5), mengetahui struktur kristal, parameter kisi, morfologi permukaan dan komposisi kimia lapisan tipis Sn(S0,5Te,5) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum.Proses penumbuhan kristal lapisan tipis Sn(S0,5Te,5) menggunakan teknik evaporasi vakum dilakukan dengan memanaskan bahan Sn, S, dan Te pada suhu tertentu dengan perbandingan molaritas 1:0,5:0,5. Dalam penelitian ini, penumbuhan kristal lapisan tipis Sn(S0,5Te,5) dengan memvariasikan suhu substrat, yaitu 350oC, 450oC, 500oC, dan 600oC. Lapisan tipis Sn(S0,5Te,5) hasil preparasi dengan teknik evaporasi vakum kemudian dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk menentukan struktur kristal dan parameter kisi kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan kristal, dan EDS (Energy Dispersive Spectrometry) untuk mengetahui komposisi kimia pada kristal.Hasil karakterisasi XRD berupa difaktogram menunjukkan hasil bahwa kristal pada lapisan tipis Sn(S0,5Te,5) yang terbentuk berstruktur kubik, dengan nilai parameter kisi pada sampel 1 a = 6,071 Å, sampel 2 a = 6,108 Å, sampel 3 a= 6,497 Å, dan untuk sampel 4 amofr. Hasil karakterisasi SEM memperlihatkan bahwa kristal pada lapisan tipis Sn(S0,5Te,5) yang terbentuk memiliki keseragaman bentuk dan warna butiran kecil-kecil serta sudah terbentuk grain dan hasil karakterisasi EDS diperoleh perbandingan unsur Sn:S:Te yaitu 1 : 0,25 : 0,51.Kata kunci: struktur kristal, lapisan tipis, teknik evaporasi vakum, preparasiAbstractThis reserch aims to determine the effect of heating subtrate temperature on the quality of Sn(S0.5Te0.5), the crystal structure, lattice parameter,surface morphology and chemical composition of the Sn(S0.5Te0.5) thin film by vacuum evaporation technique.The crystal growwing process of Sn(S0,5Te0,5) thin film by vacuum evaporation technique was done by heating the material at a certain temperature and molarity 1: 0.5: 0.5 comparison. In this research, the process of growing crystals of the Sn(S0.5Te0.5) thin film with the variation of subtrate temperature are 350oC, 450oC, 500oC, and 600oC. The result of thin film preparation by vacuum evaporation technique is characterized by XRD (X-Ray Diffaction) to determine crystal structure, SEM (Scanning Electron Microscopy) to dertermine the crystal surface morphology, and EDS (Energy Dispersive Spectrometry) to the determine chemical composition of crystals.The result of XRD characterization shows that diffractogram from crystalline of the Sn(S0.5Te0.5) thin film have cubic crystal structure with the values of lattice parameter, on sample 1 a = 6.071 Å, sample 2 6.108 Å, sample 3 a = 6.497 Å, and for the sample 4 amofr. The result of SEM characterization shows that the crystalline of Sn(S0.5Te0.5) thin film that formed has the pieces of grains and homogeneous and the results of EDS characterization obtained Sn:S:Te molarity ratio is 1:0.25:0.51.Key words : crystal structure, thin film, vacuum evaporation technique, preparation
PENGARUH FRAKSI-X Selenium PADA STRUKTUR DAN PARAMETER KISI Pb(S,Se) MASIF PREPARASI TEKNIK BRIDGMAN Sardila Ayu Ihwani; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 9, No 2 (2022): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh fraksi X atom selenium (Se) pada struktur kristal dan parameter kisi bahan semikonduktor Pb(S,Se) dalam bentuk masif, yang dipreparasi menggunakan teknik Bridgman. Kristal ditumbuhkan dengan memanaskan bahan Pb(S,Se) dengan alur suhu tertentu yaitu dipanaskan sampai pada suhu 300C selama 2 jam dan selanjutnya pada suhu  600C, pemanasan dilakukan juga selama 4 jam. Hasil XRD menunjukkan bahwa variasi fraksi x atom selen  tidak berpengaruh pada struktur kristal yaitu kubik. Namun x fraksi atom selenium tersebut berpengaruh pada  parameter kisi kristal       Pb(. Hasil perhitungan analitik parameter kisi yang dihasilkan yaitu, PbSe sebesar  6,1399,  sebesar  6,0748,  sebesar  6,0741 ,  sebesar 6,0224 , sebesar 5,9926 , sebesar 5,9909 , dan sebesar 5,9685 . 
STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S0,8 Te0,2) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOTITION OF SEMICONDUCTOR MATEERIAL Sn(S0,8 Te0,2) THIN FILM PREPARATION RESULT BY VACUM EVAPORATION TECNIQUES Siti Khoirunisa'; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 3 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis Sn(S0,8Te0,2) dengan teknik evaporasi vakum untuk mempelajari variasi jarak spacer,karakter lapisan tipis Sn(S0,8Te0,2) sebagai semikonduktor dengan karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi kimia.Variasi jarak spacer ada tiga, yaitu 10 cm, 15 cm dan 25cm.  Sampel dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-RD) untuk mengetahui komposisi kimia. Hasil menunjukkan bahwa variasi jarak   menyebabkan perbedaan kualitas kristal lapisan tipis tiap sampel, yang ditandai dengan adanya perbedaan intensitas spectrum,ketiga sampel memiliki struktur kristal orthorhombik  dengan parameter kisi menggunakan metode analitik, sampel 1 (jarak spacer 10cm): a = 8,932 (; b =3,926 (;  c = 13,870 (, sampel 2 (jarak spacer 15cm): a = 8,551 (; b =3,766 (;  c = 14,659 (, sampel 3 (jarak spacer 25cm): a = 8,882 (; b =3,887 (;  c = 14,077 (.. Permukaan lapisan tipis homogen terdiri atas butiran berukuran µm dan µm serta hasil karakterisasi EDAX diperoleh perbandingan unsur Sn:S:Te yaitu 1: 0,80 : 0,14.Kata kunci:      struktur kristal, morfologi permukaan, , spacer, komposisi kimia kristal Sn(S0,8Te,2)AbstractThis research aims to grow Sn(S0,8Te0,2) thin films by vacuum evaporation method to study characterization of Sn(S0,2Te0,8) thin films as smiconducter materials which includes characterization of the crystal structure, surface morphology, and chemical composition. The spacer were varied for 3 times, namely 10 cm, 15 cm and 25cm. Samples were characterized by XRD (X-Ray Diffraction) to determine the crystal structure, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine the surface morphology, and EDAX (Energy Dispersive Analysis X-RD) to determine the chemical composition. The result showed that spacer variations caused the difference in thin films quality, marked by the difference of spectrum intensity,the 3 samples had orthorhombic crystal structure with the lattice parameters using analitical method were sample 1 (the spacer 10 cm): a = 8,932 (; b =3,926 (;  c = 13,870 (, sample 2 (the spacer 15 cm): a = 8,588 (; b =3,751 (;  c = 13,907 (,and sample 3 (the spacer 25 cm):a = 8,882 (; b =3,887 (;  c = 14,077 (. The surface of sample was homogenous and consisted of grains with µm andµm size. Thin film contains elements of Sn, S, and Te with the chemical composition percentages were the molarity comparisons of Sn : S : Te was 1: 0,80 : 0,14.Keywords:       crystal structure, surface morphology , spacer, chemical composition Sn(S0,8Te,2)
PENGARUH TEMPERATUR TERHADAP RESISTANSI BAHAN KONDUKTOR Al, Cu dan SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Pb(Se,Te), CdTe HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL THE EFFECT OF THE TEMPERATURE HEATING TO THE RESISTANCE VALUE ON THE Al, Cu and SEMICONDUCTOR MATERIAL Pb (Se,Te), CdTe THIN LAYER PREPARED BY THERMAL EVAPORATION TECHNIQUE Nur Hidayat; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 5, No 6 (2016): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur terhadap nilai resistansi dari alumunium, tembaga dan bahan semikonduktor Pb(Se,Te), CdTe. Penelitian ini menggunakan metode eksperimen. Data yang diperoleh merupakan hubungan antara suhu dan nilai resistansi sampel. Data yang diperoleh dianalisis dengan menggunakan software origin 6.1 untuk mendapatkan bentuk grafik hubungan temperatur terhadap nilai resistansi untuk tiap-tiap sampel uji. Hasil penelitian menunjukkan adanya penurunan nilai resistansi pada bahan semikonduktor yang diformulasikan menurut persamaan berikut ini. Untuk bahan PbSe ????(????) = (176,34 + 8418,54 e t / 7,34 ) Ω, bahan PbTe ????(????) = (9,61 + 75,34 e t / 13,92 ) Ω, dan bahan CdTe ????(????) = (0,61 + 6,84 e t / 34,68 ) Ω. Untuk bahan konduktor terdapat kenaikan nilai resistansi yang diformulasikan menurut persamaan berikut ini. Untuk alumunium ????(????) = (-2,21 + 0,09t) Ω, untuk tembaga ????(????) = (-0,74 + 0,03t) Ω, dengan batas suhu terendah sebesar 30oCKata Kunci : Resistansi, Semikonduktor, Konduktor.AbstractThis research aims to observe the temperature effect of the resistance value of the thin layer Pb(Se,Te), CdTe semiconductors, and Al, Cu metal. This research using experiment method, where the result of data are relation between the temperature and the trial sample resistance. Then we analysis the data result using origin 6.1 for finding the shape of the relations chart for each trial sample. The result of this research shows that there was a decrease of the resistance value that affected by increasing of the temperature on the surface of thin layer semiconductor which formulated into following equations. For PbSe ????(????) = (176.34 + 8418.54 et / 7.34 ) Ω, PbTe ????(????) = (9.61 + 75.34 et / 13.92 ) Ω, and CdTe ????(????) = (0.61 + 6.84 et / 34.68 ) Ω. And for Al, Cu there was increase of the resistance value which formulated into following equations. For Alumunium R(t) = (-2.21+0.09t) Ω. for copper R(t) = (-2.21+0.09t) Ω, with the lowest temperature is 30oC.Keywords : Resistance, Semiconductor, Conductor.
ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF Sn(S0,5Te0,5), Sn(S0,4Te0,6), AND Sn(S0,2Te0,8) SEMICONDUCTORS THIN FILM PREPARED BY USING THERMAL EVAPORATION TECHNIQUE FOR SOLAR CELL APPLICATION Kurnia Fatmasari, Tjipto Sujitno, Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 7, No 2 (2018): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Abstrak Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui sifat listrik dan optik Sn(S0,5Te0,5), Sn(S0,4Te0,6), dan Sn(S0,2Te0,8) dengan teknik evaporasi termal untuk aplikasi sel surya. Untuk tujuan ini, telah dilakukan preparasi lapisan tipis Sn(S0,5Te 0,5), Sn(S0,4Te0,6), dan Sn(S0,2Te 0,8) menggunakan teknik evaporasi vakum dengan substrat kaca pada tekanan 2×10-5 mbar, dan jarak crucible ke substrat adalah 10 cm. Sifat listrik telah dianalisis dengan menggunakan metode probe empat titik (FPP) 5000 dan sifat optik menggunakan UV-Vis Spectrophotometer. Hasil penelitian menunjukkan resistivitas slice rerata dari lapisan tipis Sn(S0,5 Te0,5) adalah 4,92 (Ω-cm) dan jenis konduktansinya adalah tipe P, untuk lapisan tipis Sn(S 0,4Te0,6), resistivitas slice reratanya adalah 0,586 (Ω- cm) dan jenis konduktansinya adalah tipe P. Kata kunci: Sifat listrik, sifat optik, lapisan tipis, semikonduktor Abstract The aims of the research is to characterize the electrical and optical properties of Sn(S0,5Te0,5), Sn(S0,4Te0,6), and Sn(S0,2Te0,8) a promising solar cell aplication were grown on glass substrate by using thermal evaporation technique. For this purpose, the preparation has been done by grooming of thin film of Sn(S0,5Te0,5), Sn(S0,4Te0,6), and Sn(S0,2Te0,8) using vacum evaporation technique on glass substrate at the pressure 2×10-5 mbar, and distance of crucible to substrate is in order of 10 cm.The electrical and optical properties have been analyzed using four point probe (FPP) method and UV-Vis Spectrophotometer respectively. The result of this research shows that the average slice resistivity of Sn(S0,5Te0,5) thin film is in order of 4,91 (Ω-cm) and the type of conductance is P type, for Sn(S0,4 Te0,6) thin film, the average slice resistivity is in order of 0,586 (Ω-cm) and the type of conductance is P type. For Sn(S0,2Te 0,8) thin film, the average slice resistivity is in order of 1,035x10-2 (Ω-cm) and the type of conductance is P type Keywords: electrical properties, optical properties, thin films, semiconductor
PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE TEMPERATURE ON Sn(Se0,4Te0,6) THIN FILMS CRYSTAL QUALITY PREPARED BY VACUUM EVAPORATION TECHNIQUES Vina Hentri Tunita Ningrum; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 4 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Abstrak            Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi suhu substrat terhadap kualitas, struktur, parameter kisi kristal, morfologi permukaan dan komposisi kimia lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6).Proses preparasi lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6) menggunakan teknik evaporasi vakum dengan massa bahan 0,2 gram, tekanan vakum 410-5 mbar, dan spacer 15 cm. Variasi suhu substrat yang digunakan dalam pembuatan lapisan tipis, yaitu 250ºC, 300ºC, dan 350ºC. Hasil preparasi dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan kristal, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa kristal yang terbentuk memiliki struktur kristal kubik. Nilai parameter kisi (suhu substrat 250ºC) : a= 6,157 Å, (suhu substrat 300ºC): a= 6,157 Å, dan (suhu substrat 350ºC): a= 6,167 Å. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan morfologi permukaan dari lapisan tipis yang terbentuk tersusun atas butiran (grain) yang berbentuk bulat. Sifat homogen kristal dapat dilihat dari bentuk, struktur, dan warna yang seragam dengan diameter rata-rata grain 0,1005 m. Hasil karakterisasi EDAX diperoleh perbandingan molaritas unsur Sn:Se:Te yaitu 1:0,44:0,51. Kata kunci: semikonduktor, lapisan tipis Sn(Se0,4Te0,6), teknik evaporasi vakum Abstract      This research aimed to determine the effect of substrate temperature variation on the quality, structure, crystal lattice parameter, surface morphology and chemical composition of the Sn(Se0,4Te0,6) thin film.Preparation process of Sn(Se0,4Te0,6) thin film using vacuum evaporation technique with 0,2 gram mass of material, vacuum pressure of 410-5mbar, and 15 cm spacer. A substrate temperature variations which were 250ºC, 300ºC,  and 350ºC. The result of preparation, then were characterized by XRD (X-Ray Diffraction) to determine the crystal structure, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine the crystal surface morphology, and EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray) to determine chemical composition.The result of XRD characterization showed that crystal form have cubic crystal structure. The values of lattice parameter on (subtrate temperature of 250ºC) were a= 6,157 Å, sample 2 (subtrate temperature of 300ºC) were a= 6,157 Å, and sample 3 (subtrate temperature of 350ºC) were a= 6,167 Å. The result of SEM characterization showed that the surface morphology of thin film consisted of round grains. Homogeneous structure marked by the uniformity of shape, structure, and colour, with about 0,1005 m particle size. The result of EDAX characterization obtained comparison molarity elements of Sn:Se:Te was 1:0,44:0,51. Key words :semiconductor, Sn(Se0,4Te0,6) thin film, vacuum evaporation techniques
PENGARUH WAKTU ALUR PEMANASANTERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(S0,4Te0,6)HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF FLOW HEATING TIME FOR CRYSTAL QUALITY Sn(S0.4Te0.6)PREPARATION PRODUCTS WITHBRIDGMAN TECHNIQUE Erda Harum Saputri; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 5, No 5 (2016): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Abstrak Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi waktupemanasan terhadap struktur kristal bahan semikonduktor Sn(S0,4Te0,6) dan untuk mengetahui morfologi permukaan serta komposisi kimia pada bahan semikonduktor Sn(S0,4Te0,6).Proses penumbuhan kristal pada penelitian ini menggunakan metode Bridgman yang dilakukan dengan memanaskan bahan Sn, S dan Te dengan perbandingan molaritasnya adalah 1 : 0,4 : 0,6 dan bekerja pada tekanan 5x10-5mbar. Pemanasan bahan semikonduktor Sn(S0,4Te0,6) dilakukan dengan menggunakan waktu awal sama untuk semua Sampel yakni selama 2 jam pada suhu 300°C dan pada suhu 600°C dilakukan variasi waktu, yakni Sampel 1 dipanaskan selama 4 jam, Sampel 2 selama 5 jam dan Sampel 3 selama 6 jam. Kristal hasil preparasi kemudian dikarakterisasi menggunakan X-Ray Diffraction(XRD), Scanning Electron Microscopy(SEM)dan Energy Dispersive Analysis of X-Ray(EDAX).Hasil karakterisasi XRD yang berupa difraktogrammenunjukkan bahwa kristal bahan semikonduktor Sn(S0,4Te0,6) yang terbentuk memiliki struktur kubik, dengan parameter kisi untuk alur pemanasan Sampel 1 adalah a = 6,269 Å, alur pemanasan Sampel 2 diperoleh parameter kisi a = 6,289 Å serta untuk alur pemanasan Sampel 3, nilai parameter kisi a = 6,269 Å. Berdasarkan hasil XRD, Sampel 3 menunjukkan intensitas yang paling tinggi. Hasil karakterisasi SEM, memperlihatkan bahwa kristal yang terbentuk merupakan polikristal dan hasil EDAX diperoleh perbandingan mol Sn, S dan Te adalah 1 : 0,2 : 0,7. Kata kunci: Kristal Sn(S0,4Te0,6), Hasil Preparasi, Struktur Kristal, Karakterisasi XRD, SEM dan EDAX. Abstract The purpose of this research is to understand the effect of heating time variation oncrystal structure of semiconductor material Sn(S0.4Te0.6) and to understand surface morphology and chemical composition of semiconductor material Sn(S0.4Te0.6). The crystal growing process in this research was done using Bridgman method withSn, S and Te materials with molarity ratio of1 : 0.4 : 0.6and active on 5x10-5mbarpressure. At the beginning all Samples were heated at 300°C for 2 hours. It was then incresed to 600°C for 4 hours (Samples 1), 5 hours (Samples 2) and 6 hours (Samples 3). Crystal preparation products were then characterized using X-Ray Diffraction (XRD), Scanning Electron Microscopy (SEM) and Energy Dispersive Analysis of X-Ray (EDAX).Characterization results of XRD showed that Sn(S0.4Te0.6) semiconductor crystal structure was cubic. The lattice parameters of the flow heating sample 1 was obtained at a = 6.269 Å, flow heating at sample 2a = 6.289 Åand for the flow heating at sample 3 a = 6.269 Å. Based on XRD results, Sample 3 showed the highest intensity. The SEM results showed that the formed crystal was polycrystalin. The mole ratio of Sn, S and Te observed by EDAX was 1 : 0.2 : 0.7. Keywords: Crystal Sn(S0.4Te0.6), Preparation Products, Crystal Structure, Characterization of XRD, SEM and EDAX.
STUDI TENTANG STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(S0.6Te0.4) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM UNTUK APLIKASI SEL SURYA STUDY ON THE STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0.6Te0.4) THIN FILMS PREPARATION RESULTS BY VACUUM EVAPORATION TECHNIQUE FOR SOLAR CELL APPLICATION Mahmudah Setianingrum; ariswan ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 2 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Abstrak                     Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur substrat terhadap kualitas lapisan tipis, mengetahui struktur dan parameter kisi, dan mengetahui morfologi permukaan, serta komposisi kimia lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) yang dipreparasi menggunakan teknik evaporasi vakum. Preparasi dilakukan pada tekanan 7 ×10­5 mbar dengan 3 variasi temperatur substrat, yaitu 250ºC, 300ºC dan 350ºC. Karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) memiliki struktur kristal orthorombik. Nilai parameter kisi sampel 1 (temperatur substrat 250ºC) adalah a = 4,30 Å, b = 10,4 Å dan c = 4,01 Å, sampel 2 (temperatur substrat 300ºC) adalah a = 4,29 Å, b = 11,9 Å dan c = 4,19 Å dan sampel 3 (temperatur substrat 350ºC) adalah a = 4,23 Å, b = 11,19 Å dan c = 4,03 Å. Hasil difaktogram menunjukkan bahwa variasi temperatur substrat menyebabkan adanya perbedaan intensitas puncak yang menyatakan keteraturan susunan atom-atom penyusun lapisan tipis. Karakterisasi SEM menunjukkan permukaan dari lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) memiliki butiran (grain) yang berbentuk lonjong dan permukaan yang homogen terlihat dari bentuk dan warna kristal yang seragam serta memiliki ukuran rata-rata partikel, yaitu 0,074 μm. Karakterisasi EDS, pada lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) memiliki perbandingan persentase komposisi kimia bahan dasarnya, yaitu unsur Sn = 51,87%, S = 28,41%, Te = 19,72%. Perbandingan molaritas semikonduktor Sn : S : Te yaitu 1 : 0,55 : 0,38. Kata kunci: lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4), semikonduktor, evaporasi vakum AbstractThe research aimed to grow Sn(S0,6Te0,4) thin films by vacuum evaporation technique at substrate temperature variations, to know characterization of Sn(S0,6Te0,4) thin films as semiconductor materials that included characterization of the crystal structure, surface morphology, and chemical composition. The preparation were performed on 7 ×10-5 mbar pressure with substrate temperature variations (250ºC, 300ºC and 350ºC). The result of XRD characterization showed that Sn(S0,6Te0,4) thin films which is shaped orthorhombic crystal structure. Lattice parameter of sample 1 (250ºC substrate temperature) is a = 4,30 Å, b = 10,4 Å and c = 4,01 Å, sample 2 (300ºC substrate temperature) a = 4,29 Å, b = 11,9 Å and c = 4,19 Å and sample 3 (350ºC substrate temperature) were a = 4,23 Å, b = 11,19 Å and c = 4,03 Å. The result of diffractograms showed that the substrate temperature variations caused the diversification of peak spectrum intensities which showed the regularity of atoms. The results of SEM characterization showed that the surface morphology of Sn(S0,6Te0,4) thin films consisted of oval grains with homogeneous structure marked by the uniformity of shape and colour with about 0,074 μm particle size. The result of EDS characterization, contained elements of Sn, S, and Te with the chemical composition percentages were Sn = 51,87%, S = 28,41% and Te = 19,72%. So, the molarity comparisons of Sn : S : Te was 1 : 0,55 : 0,38. Keywords: Sn(S0,6Te0,4) thin films, semiconductor, vacuum evaporation
PENGARUH TEMPERATUR SUBSTRAT PADA KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(〖Se〗_(0,8) 〖Te〗_(0,2)) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE TEMPERATURE ON QUALITY OF CRYSTAL Sn(〖Se〗_(0,8) 〖Te〗_(0,2)) THIN FILMS PREPARATION RESULT BY VACUUM EVAPORATION TECHNIQUE Zainal Arifin; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 3 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis Sn( ) dengan teknik evaporasi vakum pada berbagai variasi temperatur substrat untuk mempelajari karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi kimia. Proses preparasi lapisan tipis Sn( ) dilakukan menggunakan teknik evaporasi vakum yang bekerja pada tekanan ~ mbar dengan melakukan variasi temperatur substrat sebanyak 3 kali, yaitu 150 ˚C, 250 ˚C, dan 350 ˚C. Setelah sampel lapisan tipis Sn( ) dihasilkan, kemudian sampel dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal dan parameter kisi kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan kristal, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia. Hasil karakterisasi XRD berupa difaktogram menunjukkan bahwa kristal pada lapisan tipis Sn( ) yang terbentuk berstruktur ortorombik, dengan nilai parameter kisi pada sampel 1 a = 11, 39;b = 4,39;c = 4,37, sampel 2 a = 11, 72;b = 4,28;c = 4,65; dan sampel 3 a = 11, 42;b = 4,19;c = 4,46. Hasil karakterisasi SEM memperlihatkan bahwa, kristal lapisan tipis Sn( ) sampel 3 memiliki keseragaman struktur, bentuk, dan warna butir kecil-kecil yang lebih teratur dibandingkan sampel 1 dengan diameter lapisan tipis sampel 1 0,299 µm dan sampel 3 0,295 µm. Berdasarkan hasil EDAX , lapisan tipis Sn( ) mengandung unsur Sn,Se,Te dengan persentase komposisi kimia pada sampel 1 Sn = 49,57%, Se = 44,46%, Te = 5,97% dan pada sampel 3 Sn = 49,66%, Se = 41,28%, Te = 9,06%. Perbandingan molaritas Sn : Se : Te pada sampel 1 1 : 0,89 : 0,12 dan sampel 3 1 : 0 : 83 : 0,18.Kata kunci: lapisan tipis, teknik evaporasi vakum, struktur kristal AbstrackThis research aims to grow Sn( ) thin films by vacuum evaporation technique at substrate temperature variations to study characterization of Sn( ) thin films as semiconductor materials that includes characterization of the crystal structure, surface morphology, and chemical composition. The preparation process of Sn( ) thin films were performed using vacuum evaporation technique that worked on pressure ~  mbar with three substrate  temperature variations, i.e 150 ˚C, 250 ˚C, 350 ˚C. After thin films preparation had finished, samples were characterized by XRD (X-Ray Diffraction) to determinate the crystal structure and the lattice parameters, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine the surface morphology, and EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray) to determine the chemical composition. The result of XRD characterization shows that diffractogram from crystalline of the Sn( ) thin film had orthorhombic crystal structure with the values of lattice parameters, on sample 1 a = 11, 39; b = 4,39; c = 4,37; sample 2 a = 11, 72; b = 4,28; c = 4,65; and sample 3 a = 11, 42; b = 4,19; c = 4,46. SEM characterization shows that sample 3 had uniformity of the shape, structure, and color of grains more organized than sample 1 with 0,299 µm thickness on sample 1and 0,295 µm on sample 3. Based the result of EDAX, Sn( ) thin films contained elements of Sn, Se, Te with the chemical composition percentages were Sn = 49,57%, Se = 44,46%, Te = 5,97% on sample 1 and Sn = 49,66%, Se = 41,28%, Te = 9,06% on sample 3. So, the molarity compositions of Sn : Se : Te on sample 1 were 1 : 0,89 : 0,12 and 1 : 0 : 83 : 0,18 on sample 3.Keywords: thin films, vacuum evaporation technique, crystal structure
STUDI TENTANG STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(S0.6Te0.4) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM UNTUK APLIKASI SEL SURYA STUDY ON THE STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0.6Te0.4) THIN FILMS PREPARATION RESULTS BY VACUUM EVAPORATION TECHNIQUE FOR SOLAR CELL APPLICATION Mahmudah Setianingrum; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 2 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur substrat terhadap kualitas lapisan tipis, mengetahui struktur dan parameter kisi, dan mengetahui morfologi permukaan, serta komposisi kimia lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) yang dipreparasi menggunakan teknik evaporasi vakum. Preparasi dilakukan pada tekanan 7 ×105 mbar dengan 3 variasi temperatur substrat, yaitu 250ºC, 300ºC dan 350ºC. Karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) memiliki struktur kristal orthorombik. Nilai parameter kisi sampel 1 (temperatur substrat 250ºC) adalah a = 4,30 Å, b = 10,4 Å dan c = 4,01 Å, sampel 2 (temperatur substrat 300ºC) adalah a = 4,29 Å, b = 11,9 Å dan c = 4,19 Å dan sampel 3 (temperatur substrat 350ºC) adalah a = 4,23 Å, b = 11,19 Å dan c = 4,03 Å. Hasil difaktogram menunjukkan bahwa variasi temperatur substrat menyebabkan adanya perbedaan intensitas puncak yang menyatakan keteraturan susunan atom-atom penyusun lapisan tipis. Karakterisasi SEM menunjukkan permukaan dari lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) memiliki butiran (grain) yang berbentuk lonjong dan permukaan yang homogen terlihat dari bentuk dan warna kristal yang seragam serta memiliki ukuran rata-rata partikel, yaitu 0,074 μm. Karakterisasi EDS, pada lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4) memiliki perbandingan persentase komposisi kimia bahan dasarnya, yaitu unsur Sn = 51,87%, S = 28,41%, Te = 19,72%. Perbandingan molaritas semikonduktor Sn : S : Te yaitu 1 : 0,55 : 0,38.Kata kunci: lapisan tipis Sn(S0,6Te0,4), semikonduktor, evaporasi vakumAbstractThe research aimed to grow Sn(S0,6Te0,4) thin films by vacuum evaporation technique at substrate temperature variations, to know characterization of Sn(S0,6Te0,4) thin films as semiconductor materials that included characterization of the crystal structure, surface morphology, and chemical composition. The preparation were performed on 7 ×10-5 mbar pressure with substrate temperature variations (250ºC, 300ºC and 350ºC). The result of XRD characterization showed that Sn(S0,6Te0,4) thin films which is shaped orthorhombic crystal structure. Lattice parameter of sample 1 (250ºC substrate temperature) is a = 4,30 Å, b = 10,4 Å and c = 4,01 Å, sample 2 (300ºC substrate temperature) a = 4,29 Å, b = 11,9 Å and c = 4,19 Å and sample 3 (350ºC substrate temperature) were a = 4,23 Å, b = 11,19 Å and c = 4,03 Å. The result of diffractograms showed that the substrate temperature variations caused the diversification of peak spectrum intensities which showed the regularity of atoms. The results of SEM characterization showed that the surface morphology of Sn(S0,6Te0,4) thin films consisted of oval grains with homogeneous structure marked by the uniformity of shape and colour with about 0,074 μm particle size. The result of EDS characterization, contained elements of Sn, S, and Te with the chemical composition percentages were Sn = 51,87%, S = 28,41% and Te = 19,72%. So, the molarity comparisons of Sn : S : Te was 1 : 0,55 : 0,38.Keywords: Sn(S0,6Te0,4) thin films, semiconductor, vacuum evaporation
Co-Authors abdul mafahir iim Abna Hidayati Abu Yazid Raisal Ade Yeti Nuryantini Anggraeni Kumala Dewi Anisha Nurcahyati Anissa Dyah Auliasari Aprilia Mayang Sari Arifin, I Aris, Muhammad Aris Asri Widowati A’yun, Dian Rifatul Baehaqi Bernathasari, Tesalonika Bian Itsna Ashfa Al Ashfiya Dede Widiawati Denny Darmawan Depi Oktasari Edi Istiyono Erda Harum Saputri Farida Hardheyanti Fika Fauzi Fiqry, Rizalul Gusril Gusril Hari Sutrisno Hatta Yarid Heru Kuswanto Hilma Eka Masitoh Hutauruk, Novri Elisabeth Iin Astarinugrahini Ilma, Arina Zaida Insih Wilujeng Jimmy Copriady Joko Utomo Utomo Jumadi Jumadi Jumadi Jumadi Jumadi, J Kuswanto, H Laila Katriani Mahmudah Setianingrum Marataon Ritonga Mega Sukma Miyaqi, Iqlides Ahmad Muniroh, Jaridatul Muri Yusuf Nggadas, Drikben Eka Putra Nur Arviyanto Himawan Nur Hidayat Nuril Hidayati Pinaka Elda Swastika Pratiwi, Ficha Aulia Indah Pratiwi, Septania Purwaningsih , Dyah Putri, R Z R Sari R. Yossi Aprian Sari Rahmi Putri Z rahmi putri z Ratnasari Ratnasari Retno Arianingrum Rida Siti NM Rita Prasetyowat Rita Prasetyowati Rizky Purnama Rusdinal Rusdinal Sardila Ayu Ihwani Sari, Aprilia Mayang Septia Mahen, Ea Cahya Siti Khoirunisa' St. Afifah Suparno Suparno sutjitno tjipto Sya'amzuri Hidayat Syifa Nurfalah Tiana Azmi Alawiyah Vina Hentri Tunita Ningrum Wahyu Lestari Warsono Warsono Warsono Warsono Warsono Warsono Wida Afosma Widiya Amanda Wipsar Sunu Brams Dwandaru Yanuar Hamzah Yosi Aprian Sari Yuliana Subekti Zainal Arifin Zakwandi, Rizki