Article Per Year (5 Year)
p-Index From 2021 - 2026
3.215
P-Index
This Author published in this journals
All Journal JPMS (Jurnal Pendidikan Matematika dan Sains) Reaktor Jurnal Sains Dasar Komunikasi Fisika Indonesia Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Jurnal Matematika & Sains Journal of Mathematical and Fundamental Sciences SEMIRATA 2015 JURNAL ILMIAH PENDIDIKAN FISIKA AL BIRUNI Jurnal Inovasi Pendidikan IPA Jurnal Penelitian Pembelajaran Fisika JPPPF (Jurnal Penelitian dan Pengembangan Pendidikan Fisika) JIPF (Jurnal Ilmu Pendidikan Fisika) Jurnal Penelitian Pendidikan IPA (JPPIPA) ALCHEMY Jurnal Penelitian Kimia Momentum: Physics Education Journal Al-MARSHAD: Jurnal Astronomi Islam dan Ilmu-Ilmu Berkaitan Spektra: Jurnal Fisika dan Aplikasinya Indonesian Journal of Chemistry Jurnal Pengabdian Masyarakat MIPA dan Pendidikan MIPA JURNAL INOVASI PENDIDIKAN DAN PEMBELAJARAN SEKOLAH DASAR Global Conference Index Jurnal Pendidikan Fisika dan Teknologi Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA)
Ariswan Ariswan
Department Of Physics Education, Faculty Of Mathematics And Natural Sciences, Universitas Negeri Yogyakarta
Aerospace Engineering Agriculture, Biological Sciences & Forestry Astronomy Biochemistry, Genetics & Molecular Biology Chemical Engineering, Chemistry & Bioengineering Chemistry Control & Systems Engineering Earth & Planetary Sciences Economics, Econometrics & Finance Education Electrical & Electronics Engineering Energy Engineering Environmental Science Law, Crime, Criminology & Criminal Justice Materials Science & Nanotechnology Mathematics Medicine & Pharmacology Physics

Published : 57 Documents Claim Missing Document
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 57 Documents
Search

 2   3   4   5   6 
STUDI PENGARUH MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(S0.6Te0.4) HASIL PREPARASI MENGGUNAKAN METODE BRIDGMAN THE STUDY OF MASS EFFECT ON THE QUALITY CRYSTAL OF SEMICONDUCTOR MATERIAL Sn (S0.6Te0.4) PREPARATION BY USING BRIDGMAN’S METHOD Nuril Hidayati; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 5, No 6 (2016): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakTujuan penelitian ini adalah untuk mengetahui struktur kristal, morfologi permukaan kristal, dan komposisi kimia bahan kristal semikonduktor Sn(S0.6Te0.4) yang dipreparasikan dan ditumbuhkan menggunakan metode Bridgmann. Pada penelitian ini dibuat tiga sampel dengan variasi massa bahan. Massa bahan yang digunakan pada sample pertama sejumlah 1,996 gram, sampel kedua 2,003 gram dan sampel ketiga 2,010 gram. Dalam penelitian ini suhu yang digunakan untuk pemanasan ketiga sampel adalah sama yaitu mulai dari 280C, 3000C selama 2 jam, dan 6000C selama 6 jam. Sifat-sifat kristal Sn(S0.6Te0.4) hasil preparasi dikarakterisasi menggunakan XRD untuk mengetahui struktur kristal, SEM untuk mengetahui morfologi permukaan kristal dan EDAX untuk mengetahui komposisi kimia kristal. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa kristal Sn(S0.6Te0.4) yang terbentuk merupakan polikristal dengan stuktur Orthorombik. Parameter-parameter kisi sampel pertama adalah a = 4,426 Å, b = 11,151 Å dan c = 3,959 Å, untuk sampel kedua adalah a = 4,273 Å, b = 11,134 Å dan c = 3,934 Å, sedangkan untuk sampel 3 adalah a = 4,286 Å, b = 11,134 Å dan c = 4,059 Å. Hasil analisis SEM menunjukkan bahwa kristal Sn(S0.6Te0.4) adalah homogen. Sedangkan hasil analisis EDAX memperlihatkan kristal Sn(S0.6Te0.4) mempunyai komposisi kimia Sn, S dan Te dengan perbandingan molaritas 1 : 0,57 : 0,42Kata kunci : teknik bridgmann, struktur kristal, morfologi permukaan, komposisi kimia, kristal Sn(S0.6Te0.4)AbstractThe purpose of this study was to determine the crystal structure, crystal surface morphology, and chemical composition crystal of the semiconductor cryetal material Sn(S0.6Te0.4) which was preparation and grown by using Bridgman method. There were three samples were made with material mass variation. Material mass that was used in the first sample was 1,996 grams, the second sample was 2,003 grams and the third sample was 2,010 grams. The temperature used in this research to the sample were heated from 280C, 3000C during 2 hours, and 6000C during 6 hours. The properties of crystaline Sn(S0.6Te0.4) were characterized by using XRD to determine the crystal structure, SEM to determine the crystal surface morphology and EDAX to determine the chemical composition. The result XRD characterization showed that crystal Sn(S0.6Te0.4) was a polycristalline whit structured orthorhombic structure. The lattice parameters of the first sample were a = 4,426 Å, b = 11,151 Å and c = 3,959 Å, the second sample were a = 4,273 Å, b = 11,134 Å and c = 3,934 Å, and the hird sample were a = 4,286 Å, b = 11,134 Å and c = 4,059 Å. The result SEM analysis showed that crystal Sn(S0.6Te0.4) was homogeneous. The EDAX analysis shows crystal Sn(S0.6Te0.4) has chemical compositions of Sn, S and with molar ratio 1: 0,57: 0,42Keywords: Bridgmann method, crystal structure, surface morphology, chemical composition, crystal Sn(S0.6Te0.4)
PREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se0,6Te0,4) DENGAN METODE BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF SEMICONDUCTOR ALLOYS Sn (Se0.6Te0.4) USING BRIDGMAN METHOD THROUGH VARIATION OF HEATING TIME Iin Astarinugrahini; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 4 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi waktu pemanasan terhadap struktur kristal, morfologi permukaan dan komposisi kimia bahan semikonduktor Sn(Se0,6Te0,4) yang terbentuk. Teknik yang digunakan dalam proses penumbuhan kristal pada penelitian ini adalah teknik Bridgman. Adapun dalam penumbuhan kristal digunakan bahan Sn, Se, dan Te dengan perbandingan molaritas 1 : 0,6 : 0,4. Penumbuhan kristal Sn(Se0,6Te0,4) dilakukan dengan variasi waktu pemanasan. Untuk sampel I, pada temperatur 3500C adalah 480 menit (8 jam) menit dan pada temperatur 6000C adalah 360 menit (6 jam). Untuk sampel II, pada temperatur 3500C adalah 1380 menit (23 jam) dan pada temperatur 6000C adalah 360 menit (6 jam), sedangkan untuk sampel III, pada temperatur 3500C adalah 1500 menit (25 jam) dan pada temperatur 6000C adalah 720 menit (12 jam). Kristal yang terbentuk kemudian dikarakterisasi menggunakan XRD untuk menentukan struktur kristal dan parameter kisi, SEM untuk mengetahui morfologi permukaan kristal, dan EDS  untuk mengetahui komposisi kimia pada kristal. Hasil karakterisasi XRD berupa difraktogram menunjukkan bahwa bahan Sn(Se0,6Te0,4) yang terbentuk merupakan polikristal dengan struktur orthorombic, dengan parameter kisi untuk sampel I adalah a = 11,17 Å, b = 4,306 Å, dan c = 4,444 Å, untuk sampel II adalah a = 11,648 Å, b = 4,285 Å, dan c = 4,423 Å, dan untuk sampel III adalah a = 11,49 Å, b = 4,010 Å, dan c = 4,50 Å. Hasil karakterisasi SEM memperlihatkan bahwa kristal pada bahan Sn(Se0,6Te0,4) yang terbentuk memiliki keseragaman bentuk serta sudah terbentuk butiran (grain) dan hasil EDS pada sampel I diperoleh perbandingan unsur Sn:Se:Te yaitu 1:0,82:0,17, sedangkan pada sampel III diperoleh perbandingan unsur Sn:Se:Te yaitu 1:0,14:0,6.Kata kunci: struktur kristal, Semikonduktor, teknik Bridgman, waktu pemanasan.AbstractThis study aimed to determine the effect of heating time variation on crystal structure, surface morphology and chemical composition of Sn(Se0.6Te0.4) formed. The technique used in the crystal growing process was the Bridgman technique. As for crystal growth, Sn, Se, and Te are used with molarity ratio of 1: 0.6: 0.4. The growth of crystalline Sn(Se0.6Te0.4) was done by varying the heating time. For sample I, at a temperature of 350oC was 480 minutes (8 hours) and at a temperature of 600oC was 360 minutes (6 hours). For sample II, at temperature 350oC was 1380 minutes (23 hours) and at temperature 600oC was 360 minutes (6 hours), while for sample III, at temperature 350oC was 1500 minutes (25 hours) and at temperature 600oC was 720 minutes (12 hour). The formed crystals were then characterised using XRD to determine the crystal structure and lattice parameters, SEM to determine the morphology of the crystal surface, and EDS to determine the chemical composition of the crystals. The result of XRD characterization in the form of a diffractogram showed that the Sn(Se0.6Te0.4)material formed was a polycrystalline with orthorombic structure, with lattice parameters for sample I were a = 11.17 Å, b = 4.306 Å, and c = 4.444 Å, for sample II were a = 11.648 Å, b = 4,285 Å, and c = 4,423 Å, and for sample III were a = 11.49 Å, b = 4.010 Å, and c = 4.50 Å. From the result of SEM characterization it can be seen that the surface morphology from sample I and sample III indicates that crystal has been formed. While EDAX characterization results showed that both samples contained Sn, Se, and Te with molar ratio Sn: Se: Te for the first sample was 1: 0.82: 0.17 and for the third sample was 1: 0.14: 0.6                                              Keywords: crystal structure, Semiconductor, Bridgman technique, heating time.
PENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se0,2Te0,8) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF MATERIAL MASS ON THE QUALITY OF SEMICONDUCTOR CRYSTALS Sn(Se0,2Te0,8) PREPARATION RESULTS USING BRIDGMAN METHOD Anissa Dyah Auliasari; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 3 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Abstrak Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh massa bahan terhadap kualitas kristal semikonduktor dan mengetahui struktur, parameter kisi, morfologi permukaan serta komposisi kimia dalam kristal Sn(Se0,2Te0,8). Penumbuhan kristal dilakukan menggunakan teknik Bridgman dengan melakukan variasi massa bahan. Massa bahan Sn divariasi sebanyak empat kali, yaitu 0,9 gram, 1 gram, 1,1 gram, dan 1,2 gram. Keempat sampel dipanaskan dengan alur pemanasan yang sama selama 18 jam untuk suhu 350° C, dan 600° C selama 12 jam. Kristal hasil preparasi dikarakterisasi menggunakan XRD, SEM  dan EDAX. Hasil XRD menujukkan bahwa variasi massa dapat mempengaruhi kualitas kristal dilihat dari tingkat keteraturan atom dan struktur kristal yang terbentuk adalah kubik. Hasil perhitungan analitik parameter kisi kristal, sampel I sebesar a = b = c = Å, sampel II sebesar a = b = c = Å, sampel III sebesar a = b = c = Å, dan sampel IV sebesar a = b = c = Å. Hasil SEM dan EDAX menunjukkan morfologi permukaan dari sampel I dan sampel II sudah terbentuk kristal, dengan perbandingan molar Sn : Se : Te untuk sampel I adalah 1 : 0,1 : 0,8 dan sampel II dengan perbandingan 1 : 0,01 : 0,6. Kata kunci: Semikonduktor, Teknik Bridgman, Struktur KristalABSTRACT This research aims to know the effect of material mass on the quality of semiconductor crystals Sn(Se0,2Te0,8), the structure, parameters of crystal lattice, the surface morphology and chemical composition in crystals Sn(Se0,2Te0,8). The crystal growing technique used in this study is the Bridgman technique by varying the mass of the material. For the first sample, the Sn mass used is 0.9 grams, for the second sample was 1 gram, third sample was 1.1 grams, and the fourth sample was 1.2 grams. The four samples were heated with the same heating flow and the heating process for each sample was carried out for 18 hours for 350° C, then 600° C for 12 hours. The result of the crystals were then characterized using XRD, SEM and EDAX. The result of characterization shows that the mass variation can affect the quality of the crystal seen from the atomic order level and the crystal structure of the four samples are cubic. The lattice parameters of the first sample were a = b = c = 6,310 Å, the second sample were a = b = c = 6,310 Å, the third sample were a = b = c = 6,310 Å, and the fourth sample were a = b = c = 6,310 Å. From the result of SEM and EDAX characterization it can be seen that the surface morphology indicates that crystal has been formed and showed that both samples contained Sn, Se and Te with molar ratio Sn: Se: Te for the first sample was 1: 0.1: 0,8 and the second sample was 1: 0,01: 0,6. Keywords: Semiconductor, Bridgman Method, Crystal’s structure
PENGARUH ALUR SUHU TERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(Se0,8Te0,2) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN UNTUK APLIKASI SEL SURYA STREAM OF TEMPERATURE CRYSTAL Sn(Se0.8 Te0.2) QUALITY EFFECT ON PREPARATION OUTCOME THROUGH BRIDGMAN TECHNIQUE FOR SOLAR CELL Anggraeni Kumala Dewi; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 2 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh alur suhu terhadap kualitas struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi kimia kristal Sn(Se0,8Te0,2) yang terbentuk. Penumbuhan kristal Sn(Se0,8Te0,2) diperoleh dari hasil preparasi dengan Teknik Bridgman. Pada keempat sampel kristal Sn(Se0,8Te0,2) dilakukan variasi alur suhu. Alur suhu sampel I pada suhu 350°C dikonstankan selama 3 jam kemudian suhu 600°C dikonstankan selama 3 jam. Alur suhu sampel II pada suhu 350°C dikonstankan selama 2 jam kemudian suhu 600°C dikonstankan selama 4,5 jam. Alur suhu sampel III pada suhu 350°C dikonstankan selama 6 jam kemudian suhu 600°C dikonstan selama 1 jam. Alur suhu sampel IV pada suhu 350°C dikonstankan selama 5 jam kemudian suhu 600°C dikonstankan selama 6 jam. Selanjutnya dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis of X-ray) untuk mengetahui komposisi kimia. Hasil karakterisasi XRD pada keempat sampel menunjukkan kristal Sn(Se0,8Te0,2) memiliki struktur orthorombik, dengan sampel I dan III memiliki intensitas yang paling tinggi. Hasil karakterisasi SEM pada sampel I dan III menunjukkan bahwa terbentuknya kristal Sn(Se0,8Te0,2) ditandai dengan adanya butiran-butiran atau grain. Berdasarkan hasil EDAX, diketahui bahwa kristal Sn(Se0,8Te0,2) mengandung unsur Sn, Se, dan Te dengan persentase komposisi kimia pada sampel I Sn = 39,85 %, Se = 36,09 %, dan Te = 2,57 %. Perbandingan molaritas pada sampel I Sn : Se : Te adalah 1 : 0,90 : 0,10.Kata kunci: Alur Suhu, Semikonduktor, Kristal Sn(Se0,8Te0,2), Teknik BridgmanAbstractThis study aims determine stream of temperature crystal Sn(Se0.8 Te0.2) quality effect, morphology surface, and chemical composition of crystal Sn(Se0.8 Te0.2). The growth of crystal Sn(Se0.8 Te0.2) is obtained by preparation outcome through Bridgman Technique. In the fourth crystalline samples Sn(Se0.8 Te0.2) are variated by stream of temperature. Stream of temperature on the sample I is heated at 350 ° C which is constanted for 3 hours then 600 ° C is constanted for 3 hours. Stream of temperature on the sample II is heated at 350 ° C which is constanted for 2 hours then 600 ° C is constanted for 4.5 hours. Stream of temperature on the sample III is heated 350 ° C which is constanted for 6 hours then 600 ° C is constanted for 1 hour. Stream of temperature on the sample IV is heated at 350 ° C which is constanted for 5 hours then 600 ° C is constanted for 6 hours. Hence, characterized by using XRD (X-Ray Diffraction) for to determine the crystal structure, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine the surface morphology, and EDAX (Energy Dispersive Analysis of X-ray) to determine the chemical composition. The four samples are characterized results indicate that crystal Sn(Se0.8 Te0.2) has orthorhombic structure with the results of the samples I and III have the highest intensity. SEM characterization result for sampel I and III indicate that the formation of crystalline Sn(Se0.8 Te0.2) is characterized by the presence of grains. Based on the results of EDAX, it is known that the crystal Sn(Se0.8 Te0.2) contains elements of Sn, Se, and Te with a percentage of the chemical composition of the sample I is Sn = 39.85%, Se = 36.09%, and Te = 2,57 %. Comparison the molarity of the sample I is Sn: Se: Te is 1: 0.90: 0.10.Keywords: Stream of Temperature, Semiconductor, Crystal Sn Sn(Se0.8 Te0.2), Bridgman Technique
PENGARUH TEMPERATUR TERHADAP RESISTANSI BAHAN KONDUKTOR Al, Cu dan SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Pb(Se,Te), CdTe HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL THE EFFECT OF THE TEMPERATURE HEATING TO THE RESISTANCE VALUE ON THE Al, Cu and SEMICONDUCTOR MATERIAL Pb (Se,Te), CdTe THIN LAYER PREPARED BY THERMAL EVAPORATION TECHNIQUE Nur Hidayat; ariswan ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 9, No 2 (2022): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh temperatur terhadap nilairesistansi dari alumunium, tembaga dan bahan semikonduktor Pb(Se,Te), CdTe. Penelitian inimenggunakan metode eksperimen. Data yang diperoleh merupakan hubungan antara suhudan nilai resistansi sampel. Data yang diperoleh dianalisis dengan menggunakan softwareorigin 6.1 untuk mendapatkan bentuk grafik hubungan temperatur terhadap nilai resistansiuntuk tiap-tiap sampel uji.Hasil penelitian menunjukkan adanya penurunan nilai resistansi pada bahansemikonduktor yang diformulasikan menurut persamaan berikut ini. Untuk bahan PbSe????(????) = (176,34 + 8418,54 e−t / 7,34 ) Ω, bahan PbTe ????(????) = (9,61 + 75,34 e−t /13,92 ) Ω, danbahan CdTe ????(????) = (0,61 + 6,84 e−t / 34,68 ) Ω. Untuk bahan konduktor terdapat kenaikan nilairesistansi yang diformulasikan menurut persamaan berikut ini. Untuk alumunium ????(????) = (-2,21 + 0,09t) Ω, untuk tembaga ????(????) = (-0,74 + 0,03t) Ω, dengan batas suhu terendahsebesar 30oCKata Kunci : Resistansi, Semikonduktor, Konduktor.AbstractThis research aims to observe the temperature effect of the resistance value of the thinlayer Pb(Se,Te), CdTe semiconductors, and Al, Cu metal. This research using experimentmethod, where the result of data are relation between the temperature and the trial sampleresistance. Then we analysis the data result using origin 6.1 for finding the shape of therelations chart for each trial sample.The result of this research shows that there was a decrease of the resistance valuethat affected by increasing of the temperature on the surface of thin layer semiconductorwhich formulated into following equations. For PbSe ????(????) = (176.34 + 8418.54 e−t / 7.34 ) Ω,PbTe ????(????) = (9.61 + 75.34 e−t /13.92 ) Ω, and CdTe ????(????) = (0.61 + 6.84 e−t / 34.68 ) Ω. And forAl, Cu there was increase of the resistance value which formulated into following equations.???????????? ???????????????????????????????????? ????(????) = (-2.21 + 0.09t) Ω. for copper ????(????) = (-0.74 + 0.03t) Ω, with thelowest temperature is 30oC.Keywords : Resistance, Semiconductor, Conductor.
PENGARUH TEMPERATUR SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(S0,2Te0,8) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE TEMPERATURE VARIATIONS ON THE CRYSTAL QUALITY AND CHEMICAL COMPOSITION OF THE Sn(S0,2Te0,8) THIN FILMS PREPARATION BY VACUUM EVAPORATION METHOD Hilma Eka Masitoh; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 1 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis Sn(S0,2Te0,8) dengan teknik evaporasi vakum untuk mempelajari karakter lapisan tipis Sn(S0,2Te0,8) sebagai semikonduktor dengan karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi kimia. Preparasi dilakukan pada tekanan (5 x 10-5) mbar dengan melakukan variasi temperatur substrat. Temperatur substrat divariasi sebanyak 4 kali, yaitu 250ºC, 300ºC, 350ºC, dan 400ºC. Sampel dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan, dan EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) untuk mengetahui komposisi kimia. Hasil menunjukkan bahwa keempat sampel memiliki struktur kristal kubik dengan parameter kisi menggunakan metode analitik, sampel 1 (temperatur substrat 250ºC): a = b = c = 6,049 Å, sampel 2 (temperatur substrat 300°C): a = b = c = 6,109 Å, sampel 3 (temperatur substrat 350ºC): a = b = c = 6,259 Å, sampel 4 (temperatur substrat 400ºC): a = b = c = 6,442 Å, sedangkan parameter kisi dengan metode Le Bail, sampel 1 (temperatur substrat 250ºC): a = b = c = 6,281 Å, sampel 2 (temperatur substrat 300ºC): a = b = c = 6,317 Å, sampel 3 (temperatur substrat 350ºC):   a = b = c = 6,327 Å, sampel 4 (temperatur substrat 400ºC): a = b = c = 6,327 Å. Variasi temperatur substrat menyebabkan perbedaan kualitas kristal lapisan tipis tiap sampel, yang ditandai dengan adanya perbedaan intensitas spektrum. Permukaan lapisan tipis homogen terdiri atas butiran berukuran (~0,2) µm dan ketebalan lapisan tipis (~0,6) µm. Lapisan tipis mengandung unsur Sn, S, dan Te dengan persentase komposisi kimia Sn = 52,31%, S = 0,88%, dan Te = 46,81%. Perbandingan molaritas Sn : S : Te adalah 1,04 : 0,02 : 0,94. Kata kunci: semikonduktor, lapisan tipis Sn(S0,2Te0,8), teknik evaporasi AbstractThis research aims to grow Sn(S0,2Te0,8) thin films by vacuum evaporation method to study characterization of Sn(S0,2Te0,8) thin films as smiconducter materials which includes characterization of the crystal structure, surface morphology, and chemical composition. The preparation prosess were performed on (5 x 10-5) mbar pressure with substrate temperature variations. The substrate temperatures were varied for four times, namely 250ºC, 300ºC, 350ºC and 400ºC. Samples were characterized by XRD (X-Ray Diffraction) to determine the crystal structure, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine the surface morphology, and EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) to determine the chemical composition. The result showed that the four samples had cubic crystal structure with the lattice parameters using analitical method were sample 1 (the substrate temperature was 250ºC): a = b = c = 6.049 Å, sample 2 (the substrate temperature was 300ºC): a = b = c = 6.109 Å, sample 3 (the substrate temperature was 350ºC):  a = b = c = 6.259 Å, and sample 4 (the substrate temperature was 400ºC): a = b = c = 6.442 Å, while the lattice parameters using Le Bail method were sample 1: a = b = c = 6.281 Å, sample 2: a = b = c = 6.317 Å, sample 3: a = b = c = 6.327 Å, sample 4: a = b = c = 6.327 Å. The substrate temperature variations caused the difference in thin films quality, marked by the difference of spectrum intensity. The surface of sample was homogenous and consisted of grains with (~0,2) µm size and (~0,6) µm thickness. Thin film contains elements of Sn, S, and Te with the chemical composition percentages were Sn = 52.31%, S = 0.88%, and    Te = 46.81%. So, the molarity comparisons of Sn : S : Te was 1,04 : 0.02 : 0.94. Keywords: semiconductor, Sn(S0,2Te0,8) thin films, vacuum evaporation method
STUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn〖(Se〗_(0,2) 〖Te〗_(0,8)) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM STUDY ABOUT THE EFFECT OF SPACER TO CRYSTAL QUALITY Sn〖(Se〗_(0,2) 〖Te〗_(0,8)) THIN FILMS PREPARATION RESULTS BY VACUUM EVAPORATION TECHNIQUE Wida Afosma; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 6, No 5 (2017): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

Abstrak               Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh variasi jarak antara material sumber dengan substrat (spacer) terhadap kualitas kristal lapisan tipis, struktur kristal dan parameter kisi lapisan tipis, mengetahui morfologi permukaan dan kompoisi kimia lapisan tipis Sn) yang terbentuk.  Teknik yang digunakan dalam proses penumbuhan kristal pada pada penelitian ini adalah teknik Evaporasi Vakum. Penumbuhan lapisan tipis Sn) dilakukan dengan variasi spacer. Untuk sampel 1 dengan spacer 10 cm, sampel 2 dengan spacer 15 cm dan sampel 3 dengan spacer 25 cm. Ketiga sampel lapisan tipis Sn) ini dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal dan parameter kisi, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaaan dan EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis Sn).Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahawa lapisan tipis Sn memiliki struktur kristal kubik. Nilai parameter kisi sampel 1 adalah a = 6,34 Å, sampel 2 adalah a  = 6,38 Å dan sampel 3 adalah a = 6,40 Å. Hasil XRD menunjukkan bahwa variasi spacer dapat mempengaruhi kualitas kristal lapisan tipis. Intensitas paling tinggi ditunjukkan pada sampel 1 dengan spacer 10 cm, intensitas sedang ditunjukkan pada sampel 2 dengan spacer 15 cm dan intensitas paling rendah ditunjukkan pada sampel 3 dengan spacer 25 cm. Intensitas yang tinggi menunjukkan keteraturan letak atom-atom dalam kristal semakin baik. Hasil karakterisasi SEM menununjukkan bahwa kristal lapisan tipis Sn) terdiri atas grain berbentuk kubik dan memiliki permukaan yang homogen terlihat dari bentuk dan warna kristal yang seragam. Pada sampel 1, butiran (grain) sebagian besar berukuran 0,3m dan pada sampel 2, butiran (grain) sebagian besar berukuran 0,2 m. Hasil karakteriasai EDS pada sampel 1 diperoleh perbandingan molaritas Sn : Se : Te adalah 1 : 0,29 : 0,58. Untuk sampel 2 diperoleh perbandingan molaritas Sn : Se : Te adalah 1 : 0,33 : 0,62.  Kata kunci: lapisan tipis Sn), evaporasi vakum, preparasi, spacer. AbstractThis study aimed to determine the effectf variation the distance between the source and the substance (spacer) to crystal quality thin films, crystal structre and lattice parameter of thin films, to determine surface morphology and chemical composition of the Sn thin flms formed. The technique used in the crystal growing process was the Vacuum Evaporation technique. The growth of Sn thin flms was done by varying the spacer. For sample 1 at spacer 10 cm, sample 2 at spacer 15cm and sample 3 at spacer 25 cm. These Sn thin films were characterized by XRD (X-Ray Diffraction) to determine the crystal structure and lattice paremeter, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine surface morphology and EDS (Energy Dispersive Spectrometry) to determine chemical composition of Sn thin films.The reults of XRD characterization showed that Sn thin films were kubic crystal structure. Lattice parameter of sample 1 is a  = 6,34 Å, sample 2 is a  = 6,38 Å and sample 3 is a  = 6,40 Å. The results of difractograms showed that spacer variation can be eeffect of crystal quality Sn). The highest intensity showed in sample 1 with spacer 10 cm, the medium intensity showed in sample 2 with spacer 15 cm and the most low intensity showed in sample 3 with spacer 25 cm. the highest intensity which showed the regularity of atoms. The results of SEM characterization showed that the surface morphology of Sn thin films consisted of kubic grains and had homogeneous structure marked by the uniformity of shape and colour.  In sample 1, the grains most of the measuring 0,3 m and sample 2, the grains most of the measuring 0,2 m . The results of EDS at sample 1 the molarity comparisons was Sn : Se : Te = 1 : 0,29 : 0,58. For the sample 2, the molarity comparisons was Sn : Se : Te = 1 : 0,33 : 0,62.  Keywords: Sn thin films, vacuum evaporation, preparation, spacer.
STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN FILMS PREPARATION RESULT BY VACUUM EVAPORATION TECHNIC Eka Wulandari; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 5, No 7 (2016): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

AbstrakPenelitian ini bertujuan untuk menumbuhkan lapisan tipis Sn(S0,4Te0,6) sebagai bahan semikonduktor dengan teknik evaporasi vakum. Peneliti dapat mengetahui pengaruh variasi spacer terhadap kualitas lapisan tipis dan juga mengetahui struktur kristal, parameter kisi, morfologi permukaan, dan komposisi kimia lapisan tipis. Proses preparasi lapisan tipis Sn(S0,4Te0,6) dilakukan dengan menggunakan teknik evaporasi vakum yang bekerja pada tekanan sekitar ~10-5 mbar dengan melakukan variasi jarak antara sumber dengan substrat atau variasi spacer. Spacer divariasi sebanyak 3 kali, yaitu 10 cm, 15 cm, dan 25 cm. Setelah didapatkan sampel lapisan tipis yang diinginkan, kemudian sampel dikarakterisasi dengan menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaan, dan EDAX (Energy Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan bahwa lapisan tipis Sn(S0,4Te0,6) dari ketiga sampel memiliki struktur kristal kubik, dengan nilai parameter kisi sampel 1 (spacer 10 cm): a = 6,011 Å; sampel 2 (spacer 15 cm): a = 6,048 Å; sampel 3 (spacer 25 cm): a = 6,363 Å. Pemberian variasi spacer menyebabkan perbedaan kualitas pada sampel 1, 2, dan 3 yang ditandai dengan adanya perbedaan intensitas spektrum. Hasil karakterisasi SEM pada kristal Sn(S0,4Te0,6) menunjukkan bahwa morfologi permukaan sampel berupa butiran/grain dengan ukuran ~0,2 μm dan bersifat homogen. Hasil analisis EDAX lapisan tipis Sn(S0,4Te0,6) mengandung unsur Sn = 54,54 %, S = 11,01 %, Te = 34,46 % dan perbandingan molaritas Sn:S:Te adalah 1,00:0,20:0,63.Kata Kunci: teknik evaporasi vakum, lapisan tipis, semikonduktor Sn(S0,4Te0,6). AbstractThis reasearch aims to grow a thin film Sn(S0,4Te0,6) as a semicondukctor material by vacuum evaporation technic. Researcher can understand the effect of variation spacers to the quality of thin film and also understand crystal structure, latice parameter, surface morphology, and chemical composition of thin film. The process of preparation of a thin film Sn(S0,4Te0,6) was performed using vacuum evaporation technic that works at a pressure of about ~10-5 mbar by distance variation between the source of the substrate or variations spacer. Spacer was varied for 3 times, i.e 10 cm, 15 cm, and 25 cm. Having obtained a thin layer of the desired sample, then the samples were chacarterized by using XRD (X-Ray Diffraction) to determine the crystal structure, SEM (Scanning Electron Microscopy) to determine the surface morphology, and EDAX (Edax Dispersive X-Ray Analysis) to determine the chemical composition. XRD characterization results showed that a thin film Sn(S0,4Te0,6) of all samples have kubic crystal structure, the lattice parameter values of samples 1 (spacers 10 cm): a = 6,011 Å; samples 2 (spacers 15 cm): a = 6,048 Å; samples 3 (spacers 25 cm): a = 6,363 Å. The spacer variation causes the difference in thin film quality, marked by the difference of spectrum intencity between sample 1, 2, and 3. SEM characterization results on the crystal Sn(S0,4Te0,6) showed that the morphology of the sample surface in the form of grains with a size of ~0,2 μm and homogeneus. The results of EDAX analysis of thin film Sn(S0,4Te0,6) contains elements of Sn, S, and Te with the chemical composition precentage is Sn = 54,54 %, S = 11,01 %, Te = 34,46 % and the molarity comparison of Sn:S:Te adalah 1,00:0,20:0,63.Keywords: vacum evaporation technic, thin film, semiconductor Sn(S0,4Te0,6).
SUBSTRATE TEMPERATURE EFFECT ON ELECTRICAL PROPERTIES THIN LAYER SEMICONDUCTOR PbS, PbSe AND PbTe PREPARED BY VACUUM EVAPORATION TECHNIQUE abdul mafahir iim; sutjitno tjipto; Ariswan Ariswan
Jurnal Ilmu Fisika dan Terapannya (JIFTA) Vol 5, No 2 (2016): Jurnal Fisika
Publisher : Prodi Fisika, Departemen Pendidikan Fisika

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar

Abstract

This research aims to produce a thin layer of semiconductor with PbS, PbSe and PbTe material  by vacuum evaporation  techniques and  to find out electrical properties of these materials. Thin layer was produced  by using vacuum evaporation  techniques. Varied  temperature of substrate is used as  parameters during  preparation,ie  without heating (sample 1), 200 ℃ (sample 2), 350 ℃ (sample 3), and 500 ℃ (sample 4). Electrical properties are characterized by  using a four point probe (FPP). Results showed that  this  thin layer of PbS, PbSe and PbTe  is  type N semiconductor with  resistivity in   Ω.cm to  Ω.cm oreder Keywords: thin layer, evaporation, electrical properties
Simulasi Perhitungan Waktu Salat Menggunakan Spreadsheet Raisal, Abu Yazid; Ariswan, Ariswan; Sukma, Mega; Ritonga, Marataon
Al-Marshad: Jurnal Astronomi Islam dan Ilmu-Ilmu Berkaitan Vol 8, No 1 (2022): Al-Marshad
Publisher : University of Muhammadiyah Sumatera Utara

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.30596/jam.v8i1.8719

Abstract

The determination of prayer times initially only used the direct observation method (rukyat) namely observing the shadow of an object, then the determination of prayer times developed with the advent of the calculation method (hisab). The purpose of this study is to make a simulation of the calculation of prayer times using a spreadsheet. A simulation of the calculation of prayer times using a spreadsheet has been made. The prayer times generated by the spreadsheet are not much different from the prayer times obtained from the Accurate Times application. The simulation that has been made can show the effect of the Earth's revolution at prayer times at various latitudes.
Co-Authors abdul mafahir iim Abna Hidayati Abu Yazid Raisal Ade Yeti Nuryantini Anggraeni Kumala Dewi Anisha Nurcahyati Anissa Dyah Auliasari Aprilia Mayang Sari Arifin, I Aris, Muhammad Aris Asri Widowati A’yun, Dian Rifatul Baehaqi Bernathasari, Tesalonika Bian Itsna Ashfa Al Ashfiya Dede Widiawati Denny Darmawan Depi Oktasari Edi Istiyono Erda Harum Saputri Farida Hardheyanti Fika Fauzi Fiqry, Rizalul Gusril Gusril Hari Sutrisno Hatta Yarid Heru Kuswanto Hilma Eka Masitoh Hutauruk, Novri Elisabeth Iin Astarinugrahini Ilma, Arina Zaida Insih Wilujeng Jimmy Copriady Joko Utomo Utomo Jumadi Jumadi Jumadi Jumadi Jumadi, J Kuswanto, H Laila Katriani Mahmudah Setianingrum Marataon Ritonga Mega Sukma Miyaqi, Iqlides Ahmad Muniroh, Jaridatul Muri Yusuf Nggadas, Drikben Eka Putra Nur Arviyanto Himawan Nur Hidayat Nuril Hidayati Pinaka Elda Swastika Pratiwi, Ficha Aulia Indah Pratiwi, Septania Purwaningsih , Dyah Putri, R Z R Sari R. Yossi Aprian Sari Rahmi Putri Z rahmi putri z Ratnasari Ratnasari Retno Arianingrum Rida Siti NM Rita Prasetyowat Rita Prasetyowati Rizky Purnama Rusdinal Rusdinal Sardila Ayu Ihwani Sari, Aprilia Mayang Septia Mahen, Ea Cahya Siti Khoirunisa' St. Afifah Suparno Suparno sutjitno tjipto Sya'amzuri Hidayat Syifa Nurfalah Tiana Azmi Alawiyah Vina Hentri Tunita Ningrum Wahyu Lestari Warsono Warsono Warsono Warsono Warsono Warsono Wida Afosma Widiya Amanda Wipsar Sunu Brams Dwandaru Yanuar Hamzah Yosi Aprian Sari Yuliana Subekti Zainal Arifin Zakwandi, Rizki