p-Index From 2020 - 2025
8.577
P-Index
Claim Missing Document
Check
Articles

Found 2 Documents
Search
Journal : Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia

VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA) Sulhadi, S.; Fatiatun, F.; Marwoto, P.; Sugianto, S.; Wibowo, E.
Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Vol 11, No 1 (2015): January 2015
Publisher : Physics Department, Faculty of Mathematics and Natural Sciences, Semarang State University

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/jpfi.v11i1.4007

Abstract

Telah dilakukan deposisi film tipis ZnO:Ga di atas substrat kaca korning pada tekanan deposisi 500 mtorr dengan metode DC-magnetron sputtering. Film ditumbuhkan masing-masing pada suhu 325oC, 375oC, dan 425oC. Struktur, sifat optik dan sifat listrik film tipis yang dideposisikan telah dikarakterisasi dengan menggunakan EDX, XRD, SEM, spektrofotometer UV-Vis dan I-V Meter. Analisis EDX menunjukkan bahwa film yang terdeposisi merupakan film tipis ZnO:Ga. Hasil analisis struktur dengan XRD menunjukkan bahwa film tipis ZnO:Ga yang dideposisikan merupakan polikristalin dengan struktur heksagonal wurtzite. Film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325o mempunyai kualitas kristal yang lebih baik dibandingkan dengan film yang dideposisikan pada suhu 375o dan 425oC. Hasil XRD juga terkonfirmasi dengan observasi SEM menunjukkan bahwa film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325oC mempunyai ukuran butir yang lebih homogen dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada suhu deposisi 375o dan 425oC. Film tipis ZnO:Ga yang ditumbuhkan pada suhu 325oC mencapai transmitansi optik ~ 89% dan energi bandgap ~3,33 eV. Sifat listrik dapat diketahui dengan menggunakan I-V Meter yang menunjukkan nilai  1,74 x10ˉ3 (Ωcm)ˉ1 pada suhu deposisi 325oC. Thin films ZnO:Ga were deposited on corning glass substrates with argon gas pressure 500 mtorr and variation temperature at 325oC,  375oC and 425oC by DC-Magnetron Sputtering. The structural studies, optical and electricity properties of the thin films have been investigated by means of EDX, XRD, SEM, Uv-Vis spectroscopy and I-V meter. The EDX result show that thin films were deposited is ZnO:Ga thin films. The structural studies result from XRD show the ZnO:Ga thin films deposited have polycrystalline with the hexagonal wurtzite structure. ZnO:Ga film were deposited at 325oC have the better quality crystal with the other. The XRD result also appropriate with SEM, it was shown at 325oC has grain size more homogeny with the other films. Thin films ZnO:Ga was deposited at 325oC has the optical transmittance ~89% and the bandgap ~3,33 eV. Electrical conductivity 1.74 x10ˉ3 (Ωcm)ˉ1 at deposited  325oC. 
VARIASI SUHU DEPOSISI PADA STRUKTUR, SIFAT OPTIK DAN LISTRIK FILM TIPIS SENG OKSIDA DENGAN DOPING GALIUM (ZNO:GA) Sulhadi, S.; Fatiatun, F.; Marwoto, P.; Sugianto, S.; Wibowo, E.
Jurnal Pendidikan Fisika Indonesia Vol 11, No 1 (2015)
Publisher : Department of Physics, Faculty of Mathematics and Natural Sciences

Show Abstract | Download Original | Original Source | Check in Google Scholar | DOI: 10.15294/jpfi.v11i1.4007

Abstract

Telah dilakukan deposisi film tipis ZnO:Ga di atas substrat kaca korning pada tekanan deposisi 500 mtorr dengan metode DC-magnetron sputtering. Film ditumbuhkan masing-masing pada suhu 325oC, 375oC, dan 425oC. Struktur, sifat optik dan sifat listrik film tipis yang dideposisikan telah dikarakterisasi dengan menggunakan EDX, XRD, SEM, spektrofotometer UV-Vis dan I-V Meter. Analisis EDX menunjukkan bahwa film yang terdeposisi merupakan film tipis ZnO:Ga. Hasil analisis struktur dengan XRD menunjukkan bahwa film tipis ZnO:Ga yang dideposisikan merupakan polikristalin dengan struktur heksagonal wurtzite. Film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325o mempunyai kualitas kristal yang lebih baik dibandingkan dengan film yang dideposisikan pada suhu 375o dan 425oC. Hasil XRD juga terkonfirmasi dengan observasi SEM menunjukkan bahwa film ZnO:Ga yang dideposisikan pada suhu 325oC mempunyai ukuran butir yang lebih homogen dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada suhu deposisi 375o dan 425oC. Film tipis ZnO:Ga yang ditumbuhkan pada suhu 325oC mencapai transmitansi optik ~ 89% dan energi bandgap ~3,33 eV. Sifat listrik dapat diketahui dengan menggunakan I-V Meter yang menunjukkan nilai  1,74 x10ˉ3 (Ωcm)ˉ1 pada suhu deposisi 325oC. Thin films ZnO:Ga were deposited on corning glass substrates with argon gas pressure 500 mtorr and variation temperature at 325oC,  375oC and 425oC by DC-Magnetron Sputtering. The structural studies, optical and electricity properties of the thin films have been investigated by means of EDX, XRD, SEM, Uv-Vis spectroscopy and I-V meter. The EDX result show that thin films were deposited is ZnO:Ga thin films. The structural studies result from XRD show the ZnO:Ga thin films deposited have polycrystalline with the hexagonal wurtzite structure. ZnO:Ga film were deposited at 325oC have the better quality crystal with the other. The XRD result also appropriate with SEM, it was shown at 325oC has grain size more homogeny with the other films. Thin films ZnO:Ga was deposited at 325oC has the optical transmittance ~89% and the bandgap ~3,33 eV. Electrical conductivity 1.74 x10ˉ3 (Ωcm)ˉ1 at deposited  325oC. 
Co-Authors Abdul Latif Abdul Madjid Abdul Majid Abdul Majid Abdul Majid Abdul Majid Abu Bakar, Suriani Abu Bakar, Suriani Adi, Nugroho Prasetya Afifatul Khoeriyah Afiliyani, Mela Agus Yulianto Ahamad Zuhdi Ahdika Sidqi Ali Fauzilah Iyas Ahmad Khoiri Ahmad Rifai Ahmad Zahudin Ahmad Zuhdi Ainu, Qurotu Akhmat Khoiri Al Adib, Najib Alfana Salsabila Ali Imron Anang Widiantoro Anisa Fajriati Anisa V Samputri Anjani, Fidha Merry Anuari, Andika Apit Fathurohman Arina M Fanguna Aza Ima Rahmatika Baity, Lailia Nur Bakar, Suriani Abu Budi Astuti Cahyo, Gagad Dwi Che Ani, Norhidayah Darsono, Teguh Dewi Susanti Diandra Dewa Atmaja Dwi Masruroh, Dwi E. Wibowo Ekawati, Rizka Faisal Kamal Fajeri, Mei Laelatul Fajeri, Mei Laetul fatehiyah, nurul izzah Fathkhurrahman, Fathkhurrahman Fatimah Nur Hidayah Fatkhurrohman Fatkhurrohman Fatkhurrohman, Fatkhurrohman Fatturrokhman Fatturrokhman Ferra D Prasetyaningrum Firdaus Firdaus Firdaus Firdaus gema romadhona Ginto Ginto Hasanah, Nifa Nur Hashim, Norhayati Hasni, Nur 'Ainiyyah Hidayatu Munawaroh Hidayatu Munawaroh, Hidayatu Idris, Nur Jannah Intan Masruroh Swasti Irfan Choerul Anam Irmawanto, Rudi Istianah Istianah Khasanah, Farisa Umi Khasanah, Irma Nur Khumaeroh, Nadia khusna rofiqotul khusna rofiqotul khusna Kunikmah, Arisma Kurniawan, Muh. Alif Kusnanto Mukti Wibowo Kusnanto Mukti Wibowo Kusnanto Mukti Wibowo Luckyta Kusuma Janata M. Farrij Karbana Mahini, Sefty Awaliyah Majid, Ahmad Malek, Mohamad Firdaus Mamat, Mohamad Hafiz Marfungah, Marfungah Masturi Masturi Mawarni, Putri Indah Mohamad Ayubi, Dimas Mohamat, Rosmanisah Mohamed, Azmi Mohd Khairul Ahmad, Mohd Khairul MUCHAMMAD FAIZIN Muhammad Fakih Udin Muhammad Haikaludin Muhammad Iqbal Surya Negara Muhammad Miftah Pratama Muhammad Rizal Mukti Wibowo, Kusnanto Muqoyyanah Muqoyyanah Muqoyyanah, Muqoyyanah Muzaki, Wildan Afthon Nadhifah, Zulfa Lu'luin Naja, Farda NIhayan Naja, Khoiriyatin Nani Sunarmi Nasokah Nasokah Ni’mah, Azizatun Noor Aziz, Noor Nur Aufaa, Rifqi Nur Farida Nurjannah, Alfa Nurul H Nurul Mubin P. Marwoto Putri Swastika Putut Marwoto Rahayu, Gusrina Rahayu, Ismi Rahmayanti, Handika Dany Rakhmadhani, Annisa Ramadhan, Hendi Ade Putra Rifai, Rizal Rina Fitrohati Riza Afniasari Rizky Agung Pambudi Rohani, Rosiah Royan Royan royan, royan Sabila, Alviana Maya sadiah, Umi Halimatus Salamun, Ilham Salis Irvan Fuadi Saputra, Isro Wahdana Sari, Tia Indah Septyana, Ananda Lisa Siti Maisaroh Sri Haryanto Sri Jumini Sri Jumini Sugianto - Sugianto Sugianto Sukowati Sukowati, Sukowati Sulhadi - Sulistiyo Rini, Ari Suryani Abu Bakar Susanto, Fani Teti Alfiyah Tresiadi, Revika Tri Wiyanti Triyono Triyono Tubagus Achmad Faqih Ulumudin, Maftuh Uswatun Khasanah Utami, Nadia Dwi Verdiana, Vita W, Kusnanto Mukti Yulia Uswatun Hasanah Zahroh, Fina Azkiyati